研磨平台及研磨设备制造技术

本发明专利技术提供一种研磨平台，包括第一真空吸附区和第二真空吸附区，第一真空吸附区上设有多个贯穿研磨平台的第一吸附孔，且至少有一个第一吸附孔位于第一真空吸附区的中心，其中，至少在部分第一吸附孔上设置有弹性吸附管，弹性吸附管的管体内设置有上下贯通的通孔，以暴露出第一吸附孔；第二真空吸附区位于第一真空吸附区的外围，第二真空吸附区上设有多个贯穿研磨平台的第二吸附孔。本发明专利技术的研磨平台，能有效解决因硅晶圆表面的不平整而造成的硅晶圆与研磨平台之间的吸附力不强的问题，提高研磨过程的稳定性和安全性，从而有助于提高研磨良率，提高生产效率。采用本发明专利技术的研磨设备，能够提高研磨过程中的安全性，提高取样效率。

【技术实现步骤摘要】
研磨平台及研磨设备
本专利技术涉及晶圆制造领域，特别是涉及一种研磨平台及研磨设备。
技术介绍
硅晶圆(wafer)即表面没有制作任何器件的晶圆，是制造半导体芯片最基础也是最重要的材料。硅晶圆的生产流程包括多个步骤，比如先将在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中的硅原料进行提炼及提纯以得到电子级硅材料，然后进行单晶硅生长生成单晶硅棒，之后按客户需要的尺寸将单晶硅棒进行切割和研磨，将凹凸的切痕磨掉，再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜，硅晶圆的生产过程就算基本完成。随着半导体制造技术的发展，硅晶圆的尺寸越来越大，12寸的硅晶圆已经成为市场主流，这对硅晶圆的品质提出了越来越高的要求，也因此针对硅晶圆需要进行多个项目的测试，要取片快/检测快/测试全，这样才能在最短时间内得到硅晶圆的品质数据。其中取片后的工序就是研磨样片，晶块研磨设备就是将单晶硅棒上切下的厚度在2-3mm左右的晶块进行面的研磨，最后得到厚度和平面度均符合测试标准的晶圆。现有的晶块研磨设备存在的最大问题是，由于现有的普通的研磨平台为热处理后的金属材质的硬平台，在晶块的面平整度不是很好的情况下，研磨平台对晶块的真空吸附效果很差，无法对晶块进行有效研磨，甚至会导致晶块在研磨过程中从研磨平台飞出，不仅造成经济损失，且飞出的晶块还可能伤到工作人员，存在极大的安全隐患。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种研磨平台及研磨设备，用于解决现有技术中因晶块表面不平整，研磨平台对晶块表面的真空吸附效果不好，导致晶块容易从研磨平台表面飞出去等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种研磨平台，所述研磨平台包括第一真空吸附区和第二真空吸附区，所述第一真空吸附区上设有多个贯穿所述研磨平台的第一吸附孔，且至少有一个所述第一吸附孔位于所述第一真空吸附区的中心，其中，至少在部分所述第一吸附孔上设置有弹性吸附管，所述弹性吸附管的管体内设置有上下贯通的通孔，以暴露出所述第一吸附孔；所述第二真空吸附区位于所述第一真空吸附区的外围，所述第二真空吸附区上设有多个贯穿所述研磨平台的第二吸附孔。优选地，所述弹性吸附管的数量为多个，多个所述弹性吸附管以所述第一真空吸附区的中心呈中心对称分布。优选地，所述第一真空吸附区上分布有5个所述弹性吸附管，其中，一个所述弹性吸附管位于所述第一真空吸附区的中心，其他4个所述弹性吸附管以所述第一真空吸附区的中心呈中心对称分布。优选地，位于所述第一真空吸附区的中心的所述弹性吸附管的直径大于位于所述中心以外的位置的所述弹性吸附管的直径。优选地，位于所述第一真空吸附区的中心的所述弹性吸附管的直径介于20～40mm之间。优选地，所述研磨平台上还设有若干个横向沟槽和若干个纵向沟槽，若干个所述横向沟槽和若干个所述纵向沟槽纵横交错排布，以于所述研磨平台表面形成包括若干个交点的网格区域；所述网格区域自所述第一真空吸附区延伸至所述第二真空吸附区；所述第一吸附孔位于所述第一真空吸附区内的所述交点处，所述第二吸附孔位于所述第二真空吸附区内的所述交点处。优选地，所述第一吸附孔和所述第二吸附孔的直径均介于1～3mm之间。优选地，所述第一吸附孔连接至第一真空吸附装置，所述第二吸附孔连接至第二真空吸附装置。优选地，所述第一真空吸附区和所述第二真空吸附区一体无缝连接。在另一示例中，所述第一真空吸附区和所述第二真空吸附区可拆卸连接。优选地，所述弹性吸附管的材质为橡胶，所述弹性吸附管的底部呈吸盘状，以使所述弹性吸附管能固定在所述第一真空吸附区。优选地，所述弹性吸附管的高度介于1.0～1.5mm之间。本专利技术还提供一种研磨设备，所述研磨设备包括如上述任一方案中所述的研磨平台。如上所述，本专利技术的研磨平台及研磨设备，具有以下有益效果：本专利技术的研磨平台通过改善的结构设计，使得研磨平台对晶圆片的真空吸附效果极大改善，因而即便晶圆片与所述研磨平台接触的表面不平整，也能和整个研磨平台很好地贴合，从而使得研磨过程能够顺利进行，有助于提高研磨效果，提高晶圆取样效率。附图说明图1显示为本专利技术的研磨平台的平面结构示意图。图2显示为图1中的弹性吸附管的平面结构示意图。图3显示为图1中的弹性吸附管的截面结构示意图。元件标号说明1第一真空吸附区11第一吸附孔2弹性吸附管21通孔22辅助通孔3第二真空吸附区31第二吸附孔41横向沟槽42纵向沟槽具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。请参阅图1至图3。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
所能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质
技术实现思路
的变更下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。如图1所示，本专利技术提供一种研磨平台，所述研磨平台适用于取片后的研磨样片工序，所述研磨平台包括第一真空吸附区1和第二真空吸附区3，所述第一真空吸附区1上设有多个贯穿所述研磨平台的第一吸附孔11，且至少有一个所述第一吸附孔11位于所述第一真空吸附区1的中心，其中，至少在部分所述第一吸附孔11上设置有弹性吸附管2，所述弹性吸附管2的管体内设置有上下贯通的通孔21，以暴露出所述第一吸附孔11；所述第二真空吸附区3位于所述第一真空吸附区1的外围，所述第二真空吸附区3上设有多个贯穿所述研磨平台的第二吸附孔31。所述第一真空吸附区1和所述第二真空吸附区3的具体形状和尺寸可以根据需要设置，尤其是根据待研磨的硅晶圆的尺寸设置，本实施例中，所述第一真空吸附区1的形状为圆形，直径大于300mm,比如介于305～315mm之间，以适于放置300mm尺寸的硅晶圆；所述第二真空吸附区3可以环绕所述第一真空吸附区1设置，或者部分环绕所述第一真空吸附区1设置，本实施例中，所述第二真空吸附区3部分环绕所述第一真空吸附区1，所述第二真空吸附区3和所述第一真空吸附区1构成一矩形，其中，所述矩形的短边与所述第一真空吸附区1的直径相等。当然，所述第一真空吸附区1和所述第二真空吸附区3还可以有其他设置，具体不做限制。需要再做说明的是，本实施例中在描述数值时使用的“介于……之间”的描述均包含端点值，对此再后续内容中不再重复说明。作为示例，所述弹性吸附管2的数量为多个，多个所述弹性吸附管2以所述第一真空吸附区1的中心呈中心对称分布。本实施例中，所述第一真空吸附区1上分布有5个所述弹性吸附管2，其中，一个所述弹性吸附管2位于所述第一真空吸附区1的中心，其他4个所述弹性吸附管2以所述第一真空吸附区1的中心呈中心对称分布。位于所述第一真空吸附区1的中心的所述弹性吸附管2的直径和位于所述中心以外的位置的所述弹性吸附管2的直径可以根据需要设置，可以相同，也可以不同，本实施例中，综合待研磨的硅晶圆的尺寸和设置的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨平台，其特征在于，包括：第一真空吸附区，所述第一真空吸附区上设有多个贯穿所述研磨平台的第一吸附孔，且至少有一个所述第一吸附孔位于所述第一真空吸附区的中心，其中，至少在部分所述第一吸附孔上设置有弹性吸附管，所述弹性吸附管的管体内设置有上下贯通的通孔，以暴露出所述第一吸附孔；第二真空吸附区，位于所述第一真空吸附区的外围，所述第二真空吸附区上设有多个贯穿所述研磨平台的第二吸附孔。

【技术特征摘要】
1.一种研磨平台，其特征在于，包括：第一真空吸附区，所述第一真空吸附区上设有多个贯穿所述研磨平台的第一吸附孔，且至少有一个所述第一吸附孔位于所述第一真空吸附区的中心，其中，至少在部分所述第一吸附孔上设置有弹性吸附管，所述弹性吸附管的管体内设置有上下贯通的通孔，以暴露出所述第一吸附孔；第二真空吸附区，位于所述第一真空吸附区的外围，所述第二真空吸附区上设有多个贯穿所述研磨平台的第二吸附孔。2.根据权利要求1所述的研磨平台，其特征在于：所述弹性吸附管的数量为多个，多个所述弹性吸附管以所述第一真空吸附区的中心呈中心对称分布。3.根据权利要求2所述的研磨平台，其特征在于：所述第一真空吸附区上分布有5个所述弹性吸附管，其中，一个所述弹性吸附管位于所述第一真空吸附区的中心，其他4个所述弹性吸附管以所述第一真空吸附区的中心呈中心对称分布。4.根据权利要求3所述的研磨平台，其特征在于：位于所述第一真空吸附区的中心的所述弹性吸附管的直径大于位于所述中心以外的位置的所述弹性吸附管的直径。5.根据权利要求4所述的研磨平台，其特征在于：位于所述第一真空吸附区的中心的所述弹性吸附管的直径介于20～40mm之间。6.根据权利要求1所述的研磨平台，其特征在于：所述研磨平台上还设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵旭良，徐景源，张灿，瞿建春，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31