晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，在对晶片的背面侧进行磨削时，能够充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响，磨削后的处理也简单。该加工方法包含：液体提供步骤，对在正面上具有器件区域的晶片的正面提供液体，在该器件区域中形成有具有凹凸的器件；保护膜紧贴步骤，隔着液体将保护膜向晶片的正面侧按压，使保护膜效仿凹凸而紧贴在正面侧；带保护部件的晶片形成步骤，利用由因外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成的保护部件对保护膜进行包覆，形成由保护部件对晶片的正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片；磨削步骤，在对带保护部件的晶片的保护部件侧进行了保持的状态下磨削晶片的背面而使晶片变薄；和剥离步骤，将保护部件和保护膜从已变薄的晶片剥离。

Processing method of wafer

A wafer processing method is provided. When grinding the back side of the wafer, the concave and convex effect on the front side can be fully suppressed. The grinding process is also simple. The processing method includes: a liquid supply step, which provides liquid to the front of a wafer with a device area on the front, and a device with concave and convex shape is formed in the device area; a protective film is pressed to the front side of the wafer through the liquid to make the protective film imitate concave and convex and close to the front side; The wafer forming step of the protective component is to coat the protective film with a protective component consisting of a hardened liquid resin hardened by external stimuli to form a wafer with a protective component covered by the protective component on the front side of the wafer; the grinding step is to protect the protective component side of the wafer with a protective component. The wafer is thinned by grinding the back of the wafer in the holding state; and the stripping step is to strip the protective components and the protective film from the thinned wafer.

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，晶片的加工方法在对正面上具有凹凸的晶片进行磨削时使用。
技术介绍
为了使组入各种电子设备等的器件芯片小型化、轻量化，将被分割成器件芯片前的晶片加工得较薄的机会增加。例如利用卡盘工作台对晶片的设置有器件的正面侧进行保持并将旋转的磨具工具向晶片的背面侧按压，从而能够对该晶片进行磨削而变薄。在利用上述那样的方法对晶片进行磨削时，通常在晶片的正面侧粘贴保护部件(例如，参照专利文献1)。由此，能够防止由于磨削时施加的力等使正面侧的器件破损。作为保护部件，例如使用由树脂等材料形成的粘接带或硬度高的基板等。专利文献1：日本特开平10-50642号公报但是，大多情况下在该晶片的正面侧因作为器件的电极发挥功能的凸块等而形成有凹凸。当在晶片的正面侧存在凹凸时，无法利用粘接带充分地缓和该凹凸的高低差，会在磨削后的晶片的背面侧出现与凹凸对应的形状。另一方面，若使用硬度高的基板作为保护部件，则几乎不会产生这样的问题。但是，该基板利用热塑性蜡等粘接剂粘接在晶片上，因此在将基板从磨削后的晶片剥离时，需要浸渍于溶液或进行高温加热之类的仅用于剥离的繁琐的作业。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，在对晶片的背面侧进行磨削时，能够充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响，并且磨削后的处理也简单。根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：液体提供步骤，对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的该正面提供液体，其中，在所述器件区域中形成有具有凹凸的器件；保护膜紧贴步骤，隔着该液体将保护膜向该晶片的该正面侧按压而使该保护膜效仿该凹凸而紧贴在该正面侧；带保护部件的晶片形成步骤，利用保护部件对该保护膜进行包覆，形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片，其中，该保护部件由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成；磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下，对该晶片的背面进行磨削，使该晶片变薄；以及剥离步骤，将该保护部件和该保护膜从已变薄的该晶片剥离。在本专利技术的一个方式中，也可以是，在该剥离步骤中，对存在于该保护膜与该晶片的该正面之间的该液体进行加热而使该液体气化。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，在该剥离步骤中，将该带保护部件的晶片投入至减压腔室中，对存在于该保护膜与该晶片的该正面之间的该液体进行减压而使该液体气化。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，在该液体提供步骤中，将该液体提供至该晶片的中心部。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，在该保护膜紧贴步骤中，通过对该保护膜的与面对该晶片的面相反的一侧的面喷射气体而将该保护膜向该晶片的该正面侧按压。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，在该保护膜紧贴步骤中，使用按压辊将该保护膜向该晶片的该正面侧按压。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，在该带保护部件的晶片形成步骤中，在隔着该保护膜将该晶片按压至被涂布在平坦的片上的该液态树脂之后，利用外部刺激使该液态树脂硬化而将由该液态树脂构成的该保护部件固定在该晶片上。在本专利技术的一个方式的晶片的加工方法中，在使保护膜效仿凹凸而紧贴在形成有具有凹凸的器件的晶片的正面侧之后，利用保护部件对保护膜进行包覆，形成由保护部件对晶片的正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片，其中，该保护部件由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成，因此通过将保护部件形成为适当的厚度，能够充分缓和正面侧的凹凸。另外，在本专利技术的一个方式的晶片的加工方法中，保护膜仅紧贴在器件区域而未进行粘接，因此即使不进行浸渍于溶液或高温加热之类的仅用于剥离的繁琐的作业，也能够将保护部件和保护膜从晶片剥离。这样，根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，在对晶片的背面侧进行磨削时，能够充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响，磨削后的处理也简单。另外，在本专利技术的一个方式的晶片的加工方法中，隔着供给至晶片的正面的液体将保护膜向晶片的正面侧按压，因此能够防止在晶片与保护膜之间残留空气，能够使保护膜可靠地紧贴。由此，即使使用不具有粘接剂(糊)所带来的粘接力的保护膜，在磨削等时保护膜和保护部件也不会从晶片剥离。附图说明图1的(A)是示意性示出使保护膜与晶片的正面侧面对的情况的立体图，图1的(B)是示意性示出使保护膜紧贴在晶片的正面侧的状态的立体图。图2的(A)是示意性示出使保护膜与晶片的正面侧面对的状态的剖视图，图2的(B)是示意性示出使保护膜紧贴在晶片的正面侧的情况的剖视图。图3的(A)是示意性示出使保护膜紧贴在晶片的正面侧的状态的剖视图，图3的(B)是示意性示出保护膜已紧贴的状态的晶片的一部分的剖视图。图4的(A)是示意性示出隔着保护膜将晶片向涂布在片上的液态树脂上按压的情况的剖视图，图4的(B)是示意性示出使液态树脂硬化而将由液态树脂构成的保护部件固定在晶片上的情况的剖视图，图4的(C)是示意性示出已完成的带保护部件的晶片的剖视图。图5的(A)是示意性示出对晶片的背面进行磨削的情况的剖视图，图5的(B)是示意性示出磨削后的晶片的剖视图。图6是示意性示出将保护膜、保护部件等从晶片剥离的情况的剖视图。图7是示意性示出在第1变形例的晶片的加工方法的剥离步骤中将保护膜和保护部件等从晶片剥离的情况的剖视图。图8是示意性示出在第2变形例的晶片的加工方法的剥离步骤中将保护膜和保护部件等从晶片剥离的情况的剖视图。图9的(A)和图9的(B)是用于对第3变形例的晶片的加工方法的保护膜紧贴步骤进行说明的示意性剖视图。标号说明11：晶片；11a：正面；11b：背面；11c：外周缘；11d：器件区域；11e：外周剩余区域；13：分割预定线(间隔道)；15：器件；17：凸块(凹凸)；21：保护膜；23：液体；25：片(载片)；27：液态树脂；29：保护部件；31：片(脱离片)；2：保护膜紧贴装置；4：支承工作台；4a：支承面；4b：引导部；6：保护膜保持单元；6a：保持面；6b：第1流路；6c：第2流路；8：阀；10：吸引源；12：阀；14：压缩空气提供源；16：阀；18：阀；20：加热器；22：保护部件固定装置；24：保持工作台；24a：凹部；24b：吸引路；26：紫外线光源；28：板；30：阀；32：吸引源；34：晶片保持单元；34a：下表面；42：磨削装置；44：保持工作台(卡盘工作台)；44a：保持面；46：磨削单元；48：主轴；50：安装座；52：磨削磨轮；54：磨轮基台；56：磨削磨具；62：晶片保持单元；62a：保持面；64：剥离单元；66：加热器；72：减压腔室；72a：箱体；72b：门体；72c：开口部；74：排气管；76：阀；78：进气管；80：阀；82：轴承；84：晶片保持单元；84a：下表面；86：加热器；88：剥离单元；92：保持工作台；92a：保持面；94：加热器；96：辊。具体实施方式参照附图，对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。本实施方式的晶片的加工方法包含液体提供步骤、保护膜紧贴步骤(参照图1的(A)、图1的(B)、图2的(A)、图2的(B)、图3的(A)、图3的(B))、带保护部件的晶片形成步骤(参照图4的(A)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：液体提供步骤，对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的该正面提供液体，其中，在所述器件区域中形成有具有凹凸的器件；保护膜紧贴步骤，隔着该液体将保护膜向该晶片的该正面侧按压而使该保护膜效仿该凹凸而紧贴在该正面侧；带保护部件的晶片形成步骤，利用保护部件对该保护膜进行包覆，形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片，其中，该保护部件由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成；磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下，对该晶片的背面进行磨削，使该晶片变薄；以及剥离步骤，将该保护部件和该保护膜从已变薄的该晶片剥离。

【技术特征摘要】
2017.05.11 JP 2017-0949171.一种晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：液体提供步骤，对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的该正面提供液体，其中，在所述器件区域中形成有具有凹凸的器件；保护膜紧贴步骤，隔着该液体将保护膜向该晶片的该正面侧按压而使该保护膜效仿该凹凸而紧贴在该正面侧；带保护部件的晶片形成步骤，利用保护部件对该保护膜进行包覆，形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片，其中，该保护部件由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成；磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下，对该晶片的背面进行磨削，使该晶片变薄；以及剥离步骤，将该保护部件和该保护膜从已变薄的该晶片剥离。2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，在该剥离步骤中，对存在于该保护膜与该晶片的该正面之间的该液...

【专利技术属性】
技术研发人员：关家一马，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP