The invention discloses a method for semi-embedded circuit after plating fine lines on copper foil, which includes the following steps: S01, making copper foil carrier and plating circuit on copper foil; S02, pasting photosensitive film on copper clad plate to obtain inner core plate; S03, punching and locating holes on inner core plate and copper foil carrier; S04, etching copper foil. Carrier, inner core plate for browning treatment; S05, the punched semi-cured sheet, inner core plate and copper foil carrier for pressing; S06, fishing and milling with a fishing machine to remove the semi-cured sheet rim, remove the hardness support layer on the copper foil carrier; S07, drilling or laser drilling the plate, drilling drying plate; S08, sent into the immersed copper plating. Line first de-glue and then deposit copper plating; S09, positive etching to remove copper retained hole copper; S10, if ELIC, will complete the etching of the press as the core plate repeatedly above process; S11, printing ink and then surface treatment. The invention provides a method for embedding the second half of a fine line on copper foil, which makes the line more fine and can realize the effect of making more lines on the same area and reducing the crosstalk of lines.
【技术实现步骤摘要】
一种用于在铜箔上电镀精细线路后半埋嵌线路方法
本专利技术涉及一种用于在铜箔上电镀精细线路后半埋嵌线路方法,属于印制线路板领域。
技术介绍
HDI板(高密度互联板)与ELIC(任意层互联板)的制作流程为“在CCL(覆铜板)上制作内层线路→将各个内层CCL(覆铜板)+PP(半固化片)+铜箔压和为一体→在压和体上钻孔或镭射钻孔→沉铜电镀→在压和体的电镀后的铜箔上再次制作线路”,根据层数反复上述流程→印绿油→表面处理。制作流程中铜箔位于压和体的外侧,HDI或ELIC使用的铜箔厚度Toz(12um),Hoz(17um)。但此流程中铜箔在经过沉铜电镀流程后铜层变厚,其HDI或ELIC以Hoz,Toz铜箔为基铜的电镀后厚度变为20-35um。由于铜层厚度的增加导致此流程无法制作线宽L和线距S小于30um的精细线路。由于铜箔在电镀后厚度增加,在蚀刻过程中蚀刻线路的侧蚀加重,线路宽度(W2)受限制,线路间距(S)变小。另外有有些技术采用更加薄的铜箔,通过控制电镀后的总铜厚度来实现制作细线路。但是薄铜不但价格昂贵,而且硬度过小,所以压合过程中需要载体以防止压合褶皱,同时这一技术会由于总铜厚度过薄而降低PCB的导热性。
技术实现思路
为解决现有技术的不足,本专利技术的目的在于克服传统电镀后的铜箔比较厚导致线路L/S受限制的缺陷,提供一种能够降低电镀的铜箔厚度的用于在铜箔上电镀精细线路后半埋嵌线路方法。为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案为:一种用于在铜箔上电镀精细线路后半埋嵌线路方法,包括以下步骤:S01,制作铜箔载体且在铜箔上制作电路,具体为:1),准备若干张半固化片,沿 ...
【技术保护点】
1.一种用于在铜箔上电镀精细线路后半埋嵌线路方法,其特征在于:包括以下步骤:S01,制作铜箔载体且在铜箔上制作电路,具体为:1),准备若干张半固化片,沿着半固化片周圈方向冲好定位孔后捞去半固化片中间部分,留下闭合的半固化片框边;2),准备与半固化片被捞去中间部分大小相同的硬度支撑层;3),先将第一个半固化片框放在铜箔上,然后将硬度支撑层放入到第一个半固化片框边中,再然后在第一个半固化片框边上放覆盖一张半固化片,再在半固化片上放置第二个半固化片框边,再在第二个半固化片框边中放置硬度支撑层,最后将铜箔覆盖在第二个半固化片框边上;4),将上一步得到的堆叠体放入压机压合制作铜箔载体;5),将铜箔载体依次进行贴抗电镀干膜、曝光、显影、电镀线路和褪去干膜处理;S02,在覆铜板上贴感光光膜,曝光、显影后蚀刻线路,最后去除干膜,从而得到内层芯板;S03,对内层芯板及铜箔载体冲定位孔,之后用自动光学检测仪扫描铜箔载体及内层芯板进行开短路测试,同时用冲孔机对半固化片进行冲孔;S04,将蚀刻后的铜箔载体,内层芯板进行棕化处理;S05,将冲好孔的半固化片、内层芯板和铜箔载体套在带有铆钉的钢盘上,送入压机进行压 ...
【技术特征摘要】
1.一种用于在铜箔上电镀精细线路后半埋嵌线路方法,其特征在于:包括以下步骤:S01,制作铜箔载体且在铜箔上制作电路,具体为:1),准备若干张半固化片,沿着半固化片周圈方向冲好定位孔后捞去半固化片中间部分,留下闭合的半固化片框边;2),准备与半固化片被捞去中间部分大小相同的硬度支撑层;3),先将第一个半固化片框放在铜箔上,然后将硬度支撑层放入到第一个半固化片框边中,再然后在第一个半固化片框边上放覆盖一张半固化片,再在半固化片上放置第二个半固化片框边,再在第二个半固化片框边中放置硬度支撑层,最后将铜箔覆盖在第二个半固化片框边上;4),将上一步得到的堆叠体放入压机压合制作铜箔载体;5),将铜箔载体依次进行贴抗电镀干膜、曝光、显影、电镀线路和褪去干膜处理;S02,在覆铜板上贴感光光膜,曝光、显影后蚀刻线路,最后去除干膜,从而得到内层芯板;S03,对内层芯板及铜箔载体冲定位孔,之后用自动光学检测仪扫描铜箔载体及内层芯板进行开短路测试,同时用冲孔机对半固化片进行冲孔;S04,将蚀刻后的铜箔载体,内层芯板进行棕化处理;S05,将冲好孔的半固化片、内层芯板和铜箔载体套在带有铆钉的钢盘上,送入压机进行压合;S06,将S05压合好的板子扫描X-Ray,钻定位孔,按照定位孔的位置用捞机捞铣去掉半固化片...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔迪克森,莫锡焜,吴传林,唐子全,吴昌夏,
申请(专利权)人:沪士电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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