【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路板，具体涉及一种高速信号微小结构pcb加工方法。
技术介绍
1、目前pcb多层板制作流程为“在ccl(覆铜板)上制作内层线路à将各个内层ccl(覆铜板)+pp(半固化片)+铜箔压合为一体à在压合体上钻孔或镭射钻孔à沉铜电镀à在压合体的铜箔上再次制作线路”，基本上全部通过钻孔或镭射钻孔+沉铜电镀工艺实现内外层导通。
2、但是受限于钻针直径等工艺影响，传统pcb内外层导通时无法得到占用面积更小的孔（目前最小直径为0.15~0.2mm，通常为0.25mm），又由于芯片设计需要，pad间距趋于微小，导致孔占用面积较大，且孔间距过小会导致caf（导电性阳极丝）不良，因此使用传统机械钻孔或镭射钻孔，对芯片使用的限制愈发趋于明显。
3、对于高速线路，由于传统工艺需要在高速信号孔周围加屏蔽孔，需要占用较多的面积，无法达到明显的屏蔽效果，因孔的阻抗受多方面因素的影响，过孔阻抗一直是高速信号线路的痛点，因此，如何设计出一种应用于高速信号的微小结构pcb线路板成为本领域技术人员急需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种高速信号微小结构pcb加工方法，通过镭射和蚀刻工艺，得到垂直方向的线路，实现层间导通的作用，同时占用更小的面积。
2、为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案实现：
3、一种高速信号微小结构pcb加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
4、在覆铜板上镭射出镭射槽，得到具有镭射槽的子板
5、对所述具有镭射槽的子板做沉铜电镀处理，得到沉铜电镀后的子板；
6、对所述沉铜电镀后的子板根据设计需求再次加工，后进行镭射和蚀刻处理，得到垂直导线电路覆铜板。
7、可选的，所述根据设计需求再次加工，后进行镭射和蚀刻处理，方法包括：
8、对所述沉铜电镀后的子板进行镀锡处理，并通过镭射去除不需要导通位置的锡面，得到去除锡面的底部的铜体，后使用碱性蚀刻去除裸露的铜体；
9、或，对所述沉铜电镀后的子板的加工区使用湿膜填充，板面使用干膜覆盖，并通过镭射蚀刻出不需要导通位置的区域，或者对需要保留铜体的位置进行曝光处理，不需要保留铜体的位置进行显影处理后用酸性蚀刻去除裸露的铜体；
10、或，在所述沉铜电镀后的子板的所述镭射槽内塞满树脂，后进行压干膜处理并全板曝光，并镭射去除不需要导通位置的干膜区和不需要导通区域的铜体表面的树脂，使用酸性蚀刻去除裸露的铜体。
11、可选的，在进行所述对需要保留的铜体位置进行曝光处理，不需要保留的铜体位置进行显影处理后用酸性蚀刻去除裸露的铜体之后，还需要去除所述湿膜和干膜。
12、可选的，所述在覆铜板上镭射出镭射槽，方法包括：
13、根据设计需求在覆铜板的铜箔上制作内层线路，得到多个内层基板；
14、将所述多个内层基板进行半固化并压合，得到铜箔压合体；
15、在所述铜箔压合体打定位孔，后分别对所述铜箔压合体进行压模、曝光、显影、蚀刻处理，得到需要加工的位置；
16、对所述需要加工的位置进行除胶，后将开窗区域以镭射光或机械的方式加工至需要的设计深度，得到镭射槽。
17、可选的，在得到所述垂直导线电路覆铜板后，方法还包括：
18、对所述垂直导线电路覆铜板中的所述镭射槽或烧除的树脂区域进行树脂塞孔；
19、对塞孔后的垂直导线电路覆铜板进行进一步钻孔处理，并进行沉铜电镀处理；
20、对所述经过沉铜电镀处理后的垂直导线电路覆铜板制作外层线路；
21、根据aoi扫描所述外层线路，判断其是否存在开/短路；
22、将所述外层线路印刷一层绿油；
23、根据设计需求对所述外层线路进行表面处理。
24、可选的，所述对所述经过沉铜电镀处理后的垂直导线电路覆铜板制作外层线路，方法包括：
25、对所述沉铜电镀处理后的垂直导线电路覆铜板贴感光干膜，后分别对其进行曝光、显影、蚀刻处理，得到所述外层线路。
26、可选的，在对所述垂直导线电路覆铜板中的所述镭射槽或烧除的树脂区域进行树脂塞孔之前，还包括对所述垂直导线电路覆铜板进行棕化和烘烤。
27、可选的，所述并通过镭射去除不需要导通位置的锡面，其镭射采用的是uv激光镭射。
28、可选的，所述将开窗区域以镭射或机械的方式加工至需要的设计深度，其镭射采用的是co2激光镭射。
29、与现有技术相比，本专利技术所达到的有益效果：
30、通过采用镭射和蚀刻工艺，得到垂直方向的导电线路，实现层间导通的作用，同时占用更小的面积，一定程度上节约了成本，并且可在相同面积上实现出更多线路的功效；
31、应用于高速信号线路时，本专利技术通过设计垂直方向的导电线路，并且垂直线路对面的槽壁是连续铜壁，因此可以起到更好的屏蔽效果；
32、与传统盲孔压合相比，本专利技术通过镭射方式可以做到任意深度，从而增加压合层数。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高速信号微小结构PCB加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高速信号微小结构PCB加工方法，其特征在于，所述根据设计需求再次加工，后进行镭射和蚀刻处理，方法包括：
3.根据权利要求2所述的高速信号微小结构PCB加工方法，其特征在于，在进行所述对需要保留的铜体位置进行曝光处理，不需要保留的铜体位置进行显影处理后用酸性蚀刻去除裸露的铜体之后，还需要去除所述湿膜和干膜。
4.根据权利要求1所述的高速信号微小结构PCB加工方法，其特征在于，所述在覆铜板上镭射出镭射槽，方法包括：
5.根据权利要求1所述的高速信号微小结构PCB加工方法，其特征在于，在得到所述垂直导线电路覆铜板后，方法还包括：
6.根据权利要求5所述的高速信号微小结构PCB加工方法，其特征在于，所述对所述经过沉铜电镀处理后的垂直导线电路覆铜板制作外层线路，方法包括：
7.根据权利要求5所述的高速信号微小结构PCB加工方法，其特征在于，在对所述垂直导线电路覆铜板中的所述镭射槽或烧除的树脂区域进行树脂塞孔之前，还包括对所述垂直
8.根据权利要求2所述的高速信号微小结构PCB加工方法，其特征在于，所述并通过镭射去除不需要导通位置的锡面，其镭射采用的是UV激光镭射。
9.根据权利要求4所述的高速信号微小结构PCB加工方法，其特征在于，所述将开窗区域以镭射或机械的方式加工至需要的设计深度，其镭射采用的是CO2激光镭射。
...【技术特征摘要】
1.一种高速信号微小结构pcb加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高速信号微小结构pcb加工方法，其特征在于，所述根据设计需求再次加工，后进行镭射和蚀刻处理，方法包括：
3.根据权利要求2所述的高速信号微小结构pcb加工方法，其特征在于，在进行所述对需要保留的铜体位置进行曝光处理，不需要保留的铜体位置进行显影处理后用酸性蚀刻去除裸露的铜体之后，还需要去除所述湿膜和干膜。
4.根据权利要求1所述的高速信号微小结构pcb加工方法，其特征在于，所述在覆铜板上镭射出镭射槽，方法包括：
5.根据权利要求1所述的高速信号微小结构pcb加工方法，其特征在于，在得到所述垂直导线电路覆铜板后，方法还包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋玉柱，孙丽丽，王永军，解福洋，乔·迪克森，
申请(专利权)人：沪士电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。