The invention provides a method for generating SiC wafers, which can generate wafers more economically from single crystal SiC ingots. The method for generating the SiC wafer includes the following steps: the peeling layer formation process, which locates the focusing point FP of the pulsed laser light LB of the transmittance wavelength of the ingot (2) on the flat plane from the ingot (2) to the depth of the thickness of the SiC wafer to be generated, and irradiates the pulsed laser light LB of the ingot (2) to form the peeling layer (26); In the stripping process of wafer, starting from the stripping layer (26), the generated SiC wafer (40) is stripped from the ingot (2); and in the flat surface finishing process, the upper surface (42) of the ingot (2) after stripping the SiC wafer (40) is grinded to remove concave and convex, and to finish into a flat surface. Flat surface finishing process includes: the first grinding step, rough grinding of the upper surface (42) of ingot (2), incomplete removal of concave and convex residues; and the second grinding step, fine grinding of the upper surface (42) of ingot (2), removing residual concave and convex residues, and finishing into a flat surface.
【技术实现步骤摘要】
SiC晶片的生成方法
本专利技术涉及一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)、Al2O3(蓝宝石)等为材料的晶片的表面层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为材料的晶片的表面层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片利用切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电气设备中。形成器件的晶片通常是通过利用划片锯将圆柱形状的晶锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的表面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如参见专利文献1)。但是，在利用划片锯切断晶锭并对切断得到的晶片的表面和背面进行研磨时，晶锭的大部分(70～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是单晶SiC晶锭，其硬度高，难以利用划片锯切断，需要花费相当长的时间，因而生产率差，并且晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面存在问题。因此，提出了下述技术：将对单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在单晶SiC晶锭的内部...
【技术保护点】
1.一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：剥离层形成工序，将对单晶SiC晶锭具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的平坦面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，形成剥离层；晶片的剥离工序，以该剥离层作为起点，将要生成的SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离；以及平坦面精整工序，对剥离SiC晶片后的单晶SiC晶锭的上表面进行磨削，除去凹凸，精整成平坦面，该平坦面精整工序包括下述步骤：第一磨削步骤，对单晶SiC晶锭的上表面进行粗磨削，有残留地不完全除去凹凸；以及第二磨削步...
【技术特征摘要】
2017.04.25 JP 2017-0860741.一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：剥离层形成工序，将对单晶SiC晶锭具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的平坦面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，形成剥离层；晶片的剥离工序，以该剥离层作为起点，将要生成的SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离；以及平坦面精整工序，对剥离SiC晶片后的单晶SiC晶锭的上表面进行磨削，除去凹凸，精整成平坦面，该平坦面精整工序包括下述步骤：第一磨削步骤，对单晶SiC晶锭的上表面进行粗磨削，有残留地不完全除去凹凸；以及第二磨削步骤，在实施第一磨削步骤之后，对单晶SiC晶锭的上表面进行精磨削，除去残留的凹凸，精加工成平坦面。2.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，该第一磨削步骤中使用的磨削磨具由#1000～#2000的金刚石磨粒构成，该第二磨削步骤中使用的磨削磨具由...
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