The invention provides a semiconductor structure and a forming method thereof. The forming method includes: providing a substrate; plasma vulcanizing the substrate; and forming a high K dielectric layer on the substrate after plasma vulcanizing the substrate. The electrical properties of the semiconductor structure formed by the method of the invention are improved.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的飞速发展，半导体结构的特征尺寸不断缩小，使得集成电路的集成度越来越高，这对器件的性能也提出了更高的要求。目前，随着金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的尺寸不断变小。为了适应工艺节点的减小，只能不断缩短MOSFET场效应管的沟道长度。沟道长度的缩短具有增加芯片的管芯密度、增加MOSFET场效应管的开关速度等好处。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，这样一来栅极对沟道的控制能力变差，栅极电压夹断(pinchoff)沟道的难度也越来越大，使得亚阀值漏电现象，即短沟道效应(SCE：short-channeleffects)成为一个至关重要的技术问题。因此，为了更好的适应器件尺寸按比例缩小的要求，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET晶体管向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应管(FinFET)。FinFET具有很好的沟道控制能力。然而，现有技术形成的半导体结构的电学性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；对所述基底进行等离子体硫化处理；对所述基底进行等离子体硫化处理之后，在所述基底上形成高K介质层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；对所述基底进行等离子体硫化处理；对所述基底进行等离子体硫化处理之后，在所述基底上形成高K介质层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子硫化处理的步骤包括：对所述基底进行掺硫处理；掺硫处理之后，对所述基底进行退火处理。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体H2S气体对所述基底进行掺硫处理。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体H2S气体对所述基底进行掺硫处理的工艺参数包括：通入H2S气体，所述H2S气体的气体流量为40sccm至120sccm，功率为500w至1200w，压力为0.5mtorr至20mtorr，温度为500℃至1050℃，时间为60s至150s。5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数包括：温度为400℃至1100℃，时间为80s至120s。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底为单层结构或者叠...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘焕新，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。