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本发明提供一种SiC晶片的生成方法，其能够更经济地从单晶SiC晶锭生成晶片。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：剥离层形成工序，将对晶锭(2)具有透过性的波长的脉冲激光光线LB的聚光点FP定位在距离晶锭(2)的平坦面相当于要生成的SiC晶片...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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