金属离子监控方法技术

本发明专利技术提供了一种金属离子监控方法，提供晶圆，所述晶圆中注入有采样离子；将所述晶圆装载至待监控设备中进行正常作业；所述晶圆自所述待监控设备载出后，对所述晶圆进行缺陷扫描；以及依据扫描后晶圆上的缺陷判断所述待监控设备中是否存在金属离子。传统的检测金属离子的滴定法分析，整个检测过程复杂，且所需时间较长。本发明专利技术所提供方法，通过检测工程晶圆表面出现结晶以及白色条状痕迹的缺陷情况快速检测设备中金属离子情况，可以在较短时间内得到金属离子检测结果，及时对设备情况作出判断，缩短影响区间，缩短响应时间，可有效减少由于湿法去胶设备溶液中金属离子超标对产品良率产生的不良影响，提升产品质量。

Monitoring methods of metal ions

The invention provides a metal ion monitoring method, provides a wafer, in which sampling ions are injected, loads the wafer to a monitoring device for normal operation, scans the wafer defects after the monitoring device is loaded, and judges the defects on the wafer after scanning. Is there any metal ion in the monitoring equipment? The traditional method of titration analysis of metal ions is complex and requires a long time. The method provided by the invention can quickly detect metal ions in the equipment by detecting defects of crystallization and white strip marks on the surface of the engineering wafer, and can obtain the detection results of metal ions in a relatively short time, judge the equipment situation in time, shorten the influence interval, shorten the response time, and effectively reduce the metal ions. The product quality is improved due to less adverse effect of metal ions exceeding the standard in the solution of wet degumming equipment on product yield.

【技术实现步骤摘要】
金属离子监控方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种金属离子监控方法。
技术介绍
伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，这也导致了非常微小的颗粒也变得足以影响半导体器件的制造和性能，所以，硅片清洗工艺也变得越来越重要，在所有的清洗步骤中，由于注入或刻蚀工艺使光刻胶表面形成一层被碳化的硬壳，很难通过常规的湿法清洗方式进行去除，因此去除刻蚀或者大剂量离子注入后的光刻胶剥离是最为困难的一个步骤，常用的方法是先使用氧等离子体对光刻胶进行处理，再使用湿法清洗工艺去除残余光刻胶。在湿法去胶过程中，若湿法去胶机台溶液中的金属离子浓度过高，将产生晶圆表面有结晶的缺陷，同时金属离子对于CIS(CMOS影像传感器)产品将产生暗电流、白色像素等不良影响，严重降低产品质量，因此在湿法工艺过程中必须严格控制溶液中的金属离子含量。目前FAB内检测机台金属含量的方法是将作业完成的晶圆送至实验室进行滴定法分析，整个检测过程复杂，且所需时间较长。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金属离子监控方法，以解决目前湿法去胶机台中金属离子含量检测方法过程复杂，且所需时间较长含量的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属离子监控方法，其特征在于，包括，提供晶圆，所述晶圆中注入有采样离子；将所述晶圆装载至待监控设备中进行正常作业；所述晶圆自所述待监控设备载出后，对所述晶圆进行缺陷扫描；以及依据扫描后晶圆上的缺陷判断所述待监控设备中是否存在金属离子。

【技术特征摘要】
1.一种金属离子监控方法，其特征在于，包括，提供晶圆，所述晶圆中注入有采样离子；将所述晶圆装载至待监控设备中进行正常作业；所述晶圆自所述待监控设备载出后，对所述晶圆进行缺陷扫描；以及依据扫描后晶圆上的缺陷判断所述待监控设备中是否存在金属离子。2.如权利要求1所述的金属离子监控方法，其特征在于，所述依据扫描后晶圆上的缺陷判断所述待监控设备中是否存在金属离子的步骤包括：若缺陷扫描后发现缺陷，则利用SEM对所述晶圆进行拍照，获取缺陷分布状况；依据所述缺陷分布状况判断是否存在金属离子。3.如权利要求2所述的金属离子监控方法，其特征在于，所述缺陷包括晶圆表面有结晶和白色带状痕迹，则判断存在金属离子。4.如权利要求3所述的金属离子监控方...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹秋凤，陈宏璘，龙吟，倪棋梁，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31