可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆制造技术

本实用新型专利技术涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆。本实用新型专利技术提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象，提高了芯片打线的可靠性。本实用新型专利技术提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计，晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片，还包含两根引线，所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。

【技术实现步骤摘要】
可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆
本技术涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆。
技术介绍
晶圆级老化处理是基于温度加速法筛选早期失效芯片的有效方法。晶圆级老化处理的方法应该满足如下要求：1)不应该毁坏芯片本身；2)应用方便。现有的晶圆级老化处理方法是：在高温下，如165度下通电90分钟后，再测试芯片的基本参数，将失效的芯片剔除出去，该方法加速模拟芯片澡盆形状早期失效的环境，因此可以减小产品的现场失效机会。图1所示是现有技术中一个典型的晶圆级老化处理：在一个晶圆上，每颗芯片的电源端Vdd都需要一个探针，用于提供电源，另外，在每一个芯片的Vss端也需要一个探针。这样，在老化时，就会有2N个探针作用在晶圆上，导致如下缺陷：1)探针过多，导致成本过高；2)可靠性变差。过多的探针接触所有芯片的可靠性变差，有可能导致有的芯片漏掉老化处理；3)每一个芯片电源和地的打线端上都会产生探针印，会影响后续打线的可靠性，从而影响产品的可靠性。
技术实现思路
为克服上述现有技术中存在的不足，本技术提出一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片(1)，其特征在于：还包含两根引线(2)，两根引线(2)分别从芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。

【技术特征摘要】
1.一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片(1)，其特征在于：还包含两根引线(2)，两根引线(2)分别从芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。2.一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，包括晶圆本体(3)和阵列在晶圆本体(3)上的多个芯片(1)，其特征在于：所述晶圆本体(3)上还设有测试区(4)；测试区(4)包括Vdd端和Vss端；所有芯片(1)还包含两根引线(2)，两根引线(2)分别从芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘；所有芯片(1)的Vdd端通过引线(2)与测试区(4)的Vdd端连接，所有芯片(1)的Vss端通过引线(2)与测试区(4)的Vss端连接。3.根据权利要求2所述的一种可实现集束晶圆级老化...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文伟，
申请(专利权)人：中国科学院西安光学精密机械研究所，西安中科阿尔法电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61