【技术实现步骤摘要】
半导体装置、液体排出头基板、液体排出头和装置
本专利技术的一个方面涉及一种包括反熔丝元件的半导体装置、液体排出头基板、液体排出头或液体排出装置。
技术介绍
在近年来，用于在制造产品之后记录诸如芯片标识符或设置参数之类的产品特定信息的一次可编程(OTP)存储器用于半导体装置中。OTP存储器有两种：使用熔丝元件的OTP存储器和使用反熔丝元件的OTP存储器。在例如日本专利公开第2014-58130号中公开了使用反熔丝元件的技术。
技术实现思路
实施例的一个方面提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基板；晶体管，设置在半导体基板上，并连接到被供应有第一电压的第一端子；反熔丝元件，设置在半导体基板上并连接在晶体管与被供应有第二电压的第二端子之间；第一电阻元件，设置在半导体基板上，且与反熔丝元件并联连接在晶体管和第二端子之间；以及电流供应单元，包括设置在半导体基板上的电流供应晶体管，电流供应单元被配置为向反熔丝元件和第一电阻元件供应电流。实施例的另一个方面提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基板；晶体管，设置在半导体基板上，并连接到被供应有第一电压的第一端子...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板；晶体管，设置在半导体基板上，并连接到被供应有第一电压的第一端子；反熔丝元件，设置在半导体基板上并连接在晶体管与被供应有第二电压的第二端子之间；第一电阻元件，设置在半导体基板上，并且与反熔丝元件并联连接在晶体管和第二端子之间；以及电流供应单元，包括设置在半导体基板上的电流供应晶体管，电流供应单元被配置为向反熔丝元件和第一电阻元件供应电流。
【技术特征摘要】
2017.03.30 JP 2017-0686921.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板；晶体管，设置在半导体基板上，并连接到被供应有第一电压的第一端子；反熔丝元件，设置在半导体基板上并连接在晶体管与被供应有第二电压的第二端子之间；第一电阻元件，设置在半导体基板上，并且与反熔丝元件并联连接在晶体管和第二端子之间；以及电流供应单元，包括设置在半导体基板上的电流供应晶体管，电流供应单元被配置为向反熔丝元件和第一电阻元件供应电流。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，电流供应单元连接到第二端子，并且其中，第二电阻元件经由电流供应单元连接到第二端子，电流供应单元设置在第二电阻元件和第二端子之间。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一电阻元件和第二电阻元件分别由扩散电阻器形成。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，电流供应晶体管包括构成电流镜电路的第一晶体管和第二晶体管，其中，外部电压被施加到第一晶体管的源极和第二晶体管的源极，其中，第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极连接到第一晶体管的漏极，其中，第一晶体管的漏极经由第二电阻元件连接到被供应有第一电压的端子，所述第二电阻元件插入第一晶体管的漏极和所述被供应有第一电压的端子之间，并且其中，第二晶体管的漏极连接到第二端子。5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：连接在电流供应单元和第二端子之间的开关。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，开关被配置为被控制为在将信息写入到反熔丝元件中时处于断开状态，并且在从反熔丝元件读出信息时处于接通状态。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，电流供应单元连接在第一端子和晶体管之间。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，当反熔丝元件处于导通状态时，晶体管在饱和区域中操作，以及其中，当反熔丝元件处于非导通状态时，晶体管在线性区域中操作。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，电流供应单元被配置为在将信息写入到反熔丝元件中时供应第一电流量，并且在从反熔丝元件读出信息时供应第二电流量，并且其中，第一电流量大于第二电流量。10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，电流供应晶体管被配置为使得：电流供应晶体管供应的电流量根据施加到电流供应晶体管的栅极的电压来被控制。11.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：第一存储器单元和第二存储器单元，每个存储器单元都包括反熔丝元件和第一电阻元件，其中，电流供应单元包括与第一存储器单元和第二存储器单元相对应的第一电流供应单元和第二电流供应单元，以及其中，第一存储器单元连接到相对于第一存储器单元中的第一电阻元件具有较短的连接线的第一电流供应单元或第二电流供应单元。12.一种半导体装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤井一成，矶田尚希，根岸俊雄，远藤航，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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