树脂密封型半导体装置以及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:19241415 阅读:39 留言:0更新日期:2018-10-24 04:33
本发明专利技术涉及树脂密封型半导体装置以及其制造方法。具备在半导体芯片(1)的元件面侧设置的凸块电极(2);与凸块电极(2)电连接的外部端子(3);以及覆盖半导体芯片(1)、凸块电极(2)和外部端子(3)的树脂密封体(6),在与树脂密封体(6)的背面形成同一面的半导体芯片(1)的背面形成有金属层(4)和层叠膜(5),在外部端子(3)的表面形成有层叠膜(5),外部端子(9)被配置在半导体芯片(1)的外缘的内侧。

【技术实现步骤摘要】
树脂密封型半导体装置以及其制造方法
本专利技术涉及树脂密封型半导体装置的构造以及其制造方法。
技术介绍
关于智能电话等移动终端的驱动用电池,寻求更小型且更大容量的锂离子电池。伴随着其,在进行锂离子电池的充放电的管理的保护电路中也要求进一步的小型化、轻量化。此外,用于电池管理的保护电路的功率MOSFET与锂离子电池串联连接,因此,当将功率MOSFET的导通电阻极小化时,电池的损失变小,能够更长期间持续终端的工作时间。因此,关于功率MOSFET,寻求小型化、低导通电阻化。如图11所示那样,在专利文献1中,提出了在作为功率MOSFET的半导体芯片25的表面设置的源极电极、栅极电极和漏极电极的各个中具备凸块电极20、21、22并且经由凸块电极安装于基板的倒装芯片构造的半导体装置200。根据该专利技术,能够进行半导体装置200的外缘与半导体芯片25的外缘一致的尺寸的小空间安装,并且,通过从接合线到凸块电极代替布线,从而降低布线电阻,能够使功率MOSFET的导通电阻变小。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2002-368218号公报。专利技术要解决的课题可是,上述构造的半导体装置随着半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种树脂密封型半导体装置,具备:树脂密封体,具有第一面和所述第一面的相反侧的第二面;半导体芯片,埋入到所述树脂密封体中;以及外部端子,设置在所述半导体芯片的元件面上,并且,埋入到所述树脂密封体中,所述半导体装置的特征在于,在所述外部端子上设置的层叠膜在所述第一面露出,所述半导体芯片的元件面的相反侧的背面与所述第二面形成同一面,在所述半导体芯片的背面设置有比所述第二面突出的金属层。

【技术特征摘要】
2017.03.29 JP 2017-0659091.一种树脂密封型半导体装置,具备:树脂密封体,具有第一面和所述第一面的相反侧的第二面;半导体芯片,埋入到所述树脂密封体中;以及外部端子,设置在所述半导体芯片的元件面上,并且,埋入到所述树脂密封体中,所述半导体装置的特征在于,在所述外部端子上设置的层叠膜在所述第一面露出,所述半导体芯片的元件面的相反侧的背面与所述第二面形成同一面,在所述半导体芯片的背面设置有比所述第二面突出的金属层。2.根据权利要求1所述的树脂密封型半导体装置,其特征在于,在平面视上所述金属层的外缘与所述半导体芯片的外缘相同,并且,使所述金属层为与所述半导体芯片相同的大小。3.根据权利要求1所述的树脂密封型半导体装置,其特征在于,在平面视上所述金属层的外缘与所述树脂密封体的外缘相同,并且,使所述金属层为与所述树脂密封体相同的大小。4.根据权利要求1至权利要求3的任一项所述的树脂密封型半导体装置,其特征在于,所述层叠膜的表面与所述第一面形成同一面。5.根据权利要求1至权利要求3的任一项所述的树脂密封型半导体装置,其特征在于,所述外部端子的表面与所述第一面形成同一面,所述层叠膜比所述第一面突出。6.根据权利要求1至权利要求3的任一项所述的树脂密封型半导体装置,其特征在于,所述外部端子具备凸块电极和设置在所述凸块电极上的导电层。7.根据权利要求6所述的树脂密封型半导体装置,其特征在于,在平面视上所述凸块电极的截面积比所述导电层的截面积小。8.一种树脂密封型半导体装置的制造方法,所述树脂密封型半导体装置具备:树脂密封体,具有第一面和所述第一面的相反侧的第二面;半导体芯片,埋入到所述树脂密封体中;以及外部端子,设置在所述半导体芯片的元件面上,并且,埋入到所述树脂密封体中,所述制造方法的特征在于,具备:准备具有第一主面和与所述第一主面相反侧的第二主面的基板的工序;在所述第一主面形成导电层的工序;将在所述半导体芯片上设置的凸块电极与所述导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员:木村纪幸
申请(专利权)人:艾普凌科有限公司
类型:发明
国别省市:日本,JP

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