晶圆级封装、半导体器件单元及其制造方法技术

晶圆级封装、半导体器件单元及其制造方法。可以提供晶圆级封装和/或半导体器件单元。所述晶圆级封装可以包括设置在互连结构层上并且彼此横向分隔开的半导体芯片。所述晶圆级封装可以包括附接至所述半导体芯片的加固夹具。所述晶圆级封装可以包括模制层，所述模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具。还提供了相关的方法。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级封装、半导体器件单元及其制造方法
本公开的实施方式总体上可以涉及封装技术，并且更具体地，涉及晶圆级封装、半导体器件单元及其制造方法。
技术介绍
在半导体封装技术中，随着更小的电子系统或产品的发展，对扇出晶圆级封装(FOWLP)的需求日益增加。根据FOWLP，输入/输出(I/O)端子可以设置在FOWLP中的每一个中包括的芯片的外部区域上。因此，能够减小芯片的尺寸，并且能够在FOWLP中使用标准化的球布局。因此，可以在移动产品中广泛地采用FOWLP。可以在不使用任何印刷电路板(PCB)的情况下在移动产品中采用FOWLP。因此，可以使用FOWLP来实现薄且紧凑的移动产品。然而，为了制造可靠的FOWLP，必须解决翘曲现象和芯片移位现象。
技术实现思路
根据实施方式，可以提供一种晶圆级封装。所述晶圆级封装可以包括并排地设置在互连结构层上的半导体芯片。所述晶圆级封装可以包括附接至所述半导体芯片的加固夹具(reinforcementzig)。所述晶圆级封装可以包括模制层，所述模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具。根据实施方式，可以提供一种晶圆级封装。所述晶圆级封装可以包括设置在互连结构层上的半导体芯片。所述晶圆级封装可以包括加固夹具，所述加固夹具按照包括至少一个条部的方式附接至所述半导体芯片的表面。所述晶圆级封装可以包括模制层，所述模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具。根据实施方式，可以提供一种制造晶圆级封装的方法。该方法可以包括将半导体芯片的第一表面附接至载体。该方法可以包括将加固夹具附接至所述半导体芯片的第二表面。该方法可以包括形成覆盖所述半导体芯片的模制层。根据实施方式，可以提供一种半导体器件单元。该半导体器件单元可以包括设置在互连结构层上的半导体芯片。所述半导体器件单元可以包括保护层，所述保护层附接至所述半导体芯片，并且可以包括覆盖所述半导体芯片的模制层和嵌入所述模制层中的网状部(meshportion)。附图说明图1是例示实施方式中的将半导体芯片附接至载体的步骤的截面图。图2是例示实施方式中的将加固夹具附接至半导体芯片的步骤的截面图。图3是例示图2的加固夹具的平面图。图4是例示图2的加固夹具的立体图。图5是例示实施方式中的在载体上形成模制层的步骤的截面图。图6是例示根据实施方式的扇出晶圆级封装(FOWLP)的截面图。图7是例示根据实施方式的扇出晶圆级封装(FOWLP)的立体图。图8是例示根据实施方式的采用包括封装的存储卡的电子系统的框图。图9是例示根据实施方式的包括封装的电子系统的框图。具体实施方式本文中使用的术语可以对应于考虑到它们在实施方式中的功能而选择的词语，并且所述术语的含义可以被解释为根据实施方式所属的领域中的普通技术人员是不同的。如果被详细地定义，则所述术语可以根据定义来解释。除非另有定义，否则本文中使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有与实施方式所属的领域中的普通技术人员通常理解的相同的含义。应该理解，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“顶”、“底”、“上”、“下”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开，而不是用于仅限定元件本身或者意指特定的顺序。根据以下实施方式的半导体封装可以包括诸如半导体管芯或半导体芯片这样的半导体器件，并且可以通过使用管芯锯切工艺将包括电子电路的诸如半导体晶圆这样的半导体基板分割成多个件(具有半导体管芯形状或半导体芯片形状)来获得单独的半导体管芯或单独的半导体芯片。半导体芯片可以对应于诸如动态随机存取存储器(DRAM)芯片、静态随机存取存储器(SRAM)芯片、NAND型闪存芯片、NOR型闪存芯片、磁性随机存取存储器(MRAM)芯片、电阻式随机存取存储器(ReRAM)芯片、铁电随机存取存储器(FeRAM)芯片或相变随机存取存储器(PcRAM)芯片这样的存储器芯片。另选地，半导体芯片可以对应于逻辑芯片或专用集成电路(ASIC)芯片。在诸如移动电话、与生物技术或健康护理关联的电子系统或者可穿戴电子系统这样的通信系统中，可以采用根据以下实施方式的半导体封装。在整篇说明书中，相同的参考标号是指相同的元件。因此，即使没有参照附图提及或描述参考标号，也可以参照另一附图提及或描述参考标号。另外，即使在附图中没有例示参考标号，也可以参照另一附图提及或描述参考标号。图1是例示将半导体芯片100附接至载体200的步骤的截面图。参照图1，可以使用第一粘合层250将半导体芯片100附接至载体200。半导体芯片100可以按照彼此横向分隔开的方式设置在载体200上。在实施方式中，例如，半导体芯片100可以按照彼此分隔开的方式并排地设置在载体200上。载体200可以是硅晶圆形状的基板或面板形状的基板。载体200可以比半导体芯片100厚。在晶圆级封装处理期间，载体200可以充当用于支承半导体芯片100的支承件或用于操作半导体芯片100的操作构件。第一粘合层250可以是具有粘合特性和可去除特性二者的紫外线可固化压敏粘合剂(UV可固化PSA)层。UV可固化PSA层可以是采用丙烯酸树脂成分作为粘合剂成分的丙烯酸PSA层。第一粘合层250可以用作用于将半导体芯片100暂时地接合至载体200的临时粘合剂。因此，如果在后续处理中将UV射线照射到第一粘合层250上，则能够减小第一粘合层250的粘合强度，以使半导体芯片100与载体200分离。半导体芯片100中的每一个可以具有面对载体200或第一粘合层250的第一表面103、位于载体200对面的第二表面105以及将第一表面103连接至第二表面105的侧壁107。每个半导体芯片100的第一表面103可以对应于与其中形成有集成电路元件的有源区相邻的前侧表面，并且第二表面105可以对应于半导体芯片100的后侧表面。半导体芯片100可以包括存储器件，例如，DRAM器件或NAND型闪存器件。另选地，半导体芯片100可以包括中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、微处理器、微控制器、应用处理器、数字信号处理核或ASIC器件。芯片连接器130可以设置在半导体芯片100中的每一个的第一表面103上。芯片连接器130可以是用于将半导体芯片100与外部装置(未例示)连接的构件。芯片连接器130可以是芯片焊盘。半导体芯片100可以附接至第一粘合层250，使得芯片连接器130与第一粘合层250接触。第二粘合层300可以形成在半导体芯片100的第二表面105上。第二粘合层300可以被形成为覆盖半导体芯片100的第二表面105。第二粘合层300可以具有与第一粘合层250的粘合剂成分不同的粘合剂成分。例如，第二粘合层300可以包含提供由于聚合反应而导致的永久接合的粘合剂成分。第二粘合层300可以包含环氧化物成分。图2是例示将加固夹具400附接至半导体芯片100的步骤的截面图。图3是例示图2的加固夹具400的平面图，图4是例示图2的加固夹具400的立体图。图2是沿着图3的线A-A’截取的截面图。参照图2，可以使用第二粘合层300将加固夹具400附接至半导体芯片100。加固夹具400可以通过第二粘合层300与半导体芯片100的第二表面105接合，以将半导体芯片100附加地固定至载体200。参照图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级封装，该晶圆级封装包括：半导体芯片，所述半导体芯片被并排地设置在互连结构层上；加固夹具，该加固夹具附接至所述半导体芯片；以及模制层，该模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具。

【技术特征摘要】
2017.04.04 KR 10-2017-00435721.一种晶圆级封装，该晶圆级封装包括：半导体芯片，所述半导体芯片被并排地设置在互连结构层上；加固夹具，该加固夹具附接至所述半导体芯片；以及模制层，该模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具。2.根据权利要求1所述的晶圆级封装，其中，所述加固夹具包括：条部，所述条部附接至所述半导体芯片；以及边缘部，该边缘部与所述条部连接。3.根据权利要求2所述的晶圆级封装，其中，所述条部彼此交叉，以提供具有网格形状的网状部；并且其中，所述半导体芯片被设置在由所述网状部和所述边缘部包围并限定的内部空间中。4.根据权利要求2所述的晶圆级封装，其中，所述加固夹具的所述边缘部按照覆盖所述模制层的侧壁的方式延伸。5.根据权利要求1所述的晶圆级封装，其中，所述加固夹具包含不锈钢材料、合金材料或玻璃材料。6.根据权利要求1所述的晶圆级封装，其中，所述加固夹具的热膨胀系数低于所述模制层的热膨胀系数。7.根据权利要求1所述的晶圆级封装，其中，所述加固夹具包含刚性比所述模制层大的材料。8.根据权利要求1所述的晶圆级封装，该晶圆级封装还包括粘合层，所述粘合层按照将所述半导体芯片永久地接合至所述加固夹具的方式设置在所述半导体芯片中的每一个和所述加固夹具之间。9.根据权利要求8所述的晶圆级封装，其中，所述粘合层被设置在所有所述半导体芯片上。10.根据权利要求1所述的晶圆级封装，其中，所述互连结构层包括用于将所述半导体芯片与外部装置电连接的迹线图案；并且其中，所述迹线图案中的至少一个按照与模制层交叠的方式延伸。11.根据权利要求1所述的晶圆级封装，其中，所述互连结构层包括用于将所述半导体芯片与外部连接端子电连接的迹线图案；并且其中，所述迹线图案中的至少一个按照与模制层交叠的方式延伸。12.一种晶圆级封装，该晶圆级封装包括：半导体芯片，该半导体芯片被设置在互连结构层上；加固夹具，该加固夹具按照包括至少一个条部的方式附接至所述半导体芯片的表面；以及模制层，该模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具。13.根据权利要求12所述的晶圆级封装，其中，所述至少一个条部包括两个条部；并且其中，所述两个条部彼此交叉，以提供与所述加固夹具对应的网状部。14.根据权利要求12所述的晶圆级封装，其中，所述加固夹具包含不锈钢材料、合金材料或玻璃材料，其中，所述加固夹具的热膨胀系数低于所述模制层的热膨胀系数，并且其中，所述加固夹具包含刚性比所述模制层大的材料。15.一种半导体器件单元，该半导体器件单元包括：半导体芯片，该半导体芯片被设置在互连结构层上；以及保护层，该保护层附接至所述半导体芯片并且包括：模制层，该模制层覆盖所述半导体芯片；以及网状部，该网...

【专利技术属性】
技术研发人员：南宗铉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR