封装结构制造技术

封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方。第二半导体装置在第二介电层上方。第二重分布线在第二介电层中且电连接至第二半导体装置。第一导电件电连接第一重分布线与第二重分布线。第一模制材料模制第一半导体装置及第一导电件。

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本揭露是有关于一种封装结构及一种形成封装结构的方法。
技术介绍
半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续提高各电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的整合密度，减小最小特征尺寸的方式允许更多组件整合至指定区域中。这些较小的电子组件在一些应用中亦要求更小封装，利用比过去封装更少的面积。用于半导体的一些更小类型的封装包括四方扁平封装(quadflatpack；QFP)、针栅阵列(pingridarray；PGA)、球栅阵列(ballgridarray；BGA)、覆晶(flipchips；FC)、三维集成电路(threedimensionalintegratedcircuits；3DIC)、晶圆级封装(waferlevelpackages；WLPs)、轨迹上粘合(bond-on-trace；BOT)封装、及层叠封装(packageonpackage；PoP)结构。
技术实现思路
根据本揭露多个实施方式，一种封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包含：一第一介电层；一第一半导体装置，在该第一介电层上方；一第一重分布线，在该第一介电层中且电连接至该第一半导体装置；一第二介电层，在该第一半导体装置上方；一第二半导体装置，在该第二介电层上方；一第二重分布线，在该第二介电层中且电连接至该第二半导体装置；一第一导电件，电连接该第一重分布线与该第二重分布线；以及一第一模制材料，模制该第一半导体装置及该第一导电件。

【技术特征摘要】
2017.03.30 US 62/479,237;2017.10.31 US 15/800,0351.一种封装结构，其特征在于，包含：一第一介电层；一第一半导体装置，在该第一介电层上方；一第一重分...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑心圃，陈硕懋，许峯诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71