【技术实现步骤摘要】
热头驱动用集成电路和半导体装置
[0001]本专利技术涉及热头(thermal head)驱动用集成电路和半导体装置。
技术介绍
[0002]热头驱动用集成电路(以下,有时将集成电路简称为IC)将多个热头驱动用IC级联连接来使用的例子较多。为了使安装热头驱动用IC的基板面积高效化,热头驱动用IC具有横穿IC内部的IC内部布线(例如参照专利文献1)。
[0003]专利文献1:日本特开昭63
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56466号公报
[0004]多数情况下,热头驱动用IC在其功能上设为IC芯片的纵横比较大的矩形状。使热头驱动用IC动作的信号例如成为了从IC芯片右边输入并在左边输出等单向。此外,如果仅对IC芯片两端的同一信号PAD在IC芯片内部进行接线的话,信号衰减较大等,使用便利性较差。因此,存在安装热头驱动用IC的刚性基板、柔性基板的设计自由度较少或者无法配置多个IC芯片等限制。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于,提供一种能够不固定使热头驱动用IC动作的信号的输入输出方向而从IC芯片左 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种热头驱动用集成电路,该热头驱动用集成电路具有:级联连接用信号的输入输出电路;以及输入输出切换信号输入端子,其对将所述级联连接用信号的输入输出电路设为输入电路、还是设为输出电路进行切换。2.根据权利要求1所述的热头驱动用集成电路,其中,所述级联连接用信号的输入输出电路具有第一个第1导电型MOS晶体管至第三个第1导电型MOS晶体管、第一个第2导电型MOS晶体管至第三个第2导电型MOS晶体管、NAND电路、NOR电路、第1反相器和第1端子至第3端子,所述第1端子与所述第二个第1导电型MOS晶体管的漏极端子、所述第一个第2导电型MOS晶体管的漏极端子、所述NAND电路的第1输入端子和所述NOR电路的第1输入端子连接,所述第2端子与所述第三个第1导电型MOS晶体管的漏极端子、所述第三个第2导电型MOS晶体管的漏极端子、所述第二个第1导电型MOS晶体管的栅极端子和所述第一个第2导电型MOS晶体管的栅极端子连接,所述第3端子与所述NAND电路的第2输入端子、所述第1反相器的输入端子和所述第一个第1导电型MOS晶体管的栅极端子连接,所述第1反相器的输出端子与所述NOR电路的第2输入端子和所述第二个第2导电型MOS晶体管的栅极端子连接,所述NAND电路的输出端子与所述第三个第1导电型MOS晶体管的栅极端子连接,所述NOR电路的输出端子与所述第三个第2导电型MOS晶体管的栅极端子连接,所述第一个第1导电型MOS晶体管的源极端子与第1电源端子连接,漏极端子与第二个第1导电型MOS晶体管的源极端子连接,所述第二个第2导电型MOS晶体管的漏极端子与所述第一个第2导电型MOS晶体管的源极端子连接,所述第二个第2导电型MOS晶体管的源极端子与第2电源端子连接,所述第三个第1导电型MOS晶体管的源极端子与第1电源端子连接,所述第三个第2导电型MOS晶体管的源极端子与第2电源端子连接。3.根据权利要求2所述的热头驱动用集成电路,其中,所述级联连接用信号的输入输出电路还具有第2反相器,所述第2反相器插入到所述第2端子、所述第二个第1导电型MOS晶体管的栅极端子和所述第一个第2导电型MOS晶体管的...
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