陶瓷加热器制造技术

陶瓷加热器可以包括：主体，其为陶瓷主体，具有为了举升销的升降而上下贯通的多个销孔；发热构件，其配备于所述主体的内部，借助于从外部接入的电源而发生热，用于加热所述晶片；及多个热传递构件，其在所述主体的上部面，沿着所述销孔配备部位的四周配备，用于使所述发热构件发生的热传导到所述晶片，以便所述晶片被均一加热。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷加热器
本专利技术涉及陶瓷加热器，更详细而言，涉及一种用于在半导体制造工序中加热晶片的陶瓷加热器。
技术介绍
一般而言，半导体元件可以在晶片上通过沉积工序及照片蚀刻工序等而形成电路图案，对所述电路图案进行个别化而获得多个半导体芯片后，通过对所述半导体芯片进行封装而制造。所述沉积工序作为在所述晶片上形成绝缘膜、导电膜等多样膜的工序，根据需要，可以执行物理气相沉积、化学气相沉积、等离子体强化化学气相沉积等工序。特别是等离子体强化化学气相沉积工序，将所述晶片加热到工序温度，利用形成为等离子体状态的源气体和反应气体，可以在所述晶片上形成希望的膜。用于执行所述等离子体强化化学气相沉积工序的装置可以使用等离子体源和陶瓷加热器，所述等离子体源用于将供应到工序腔室内部的源气体和反应气体形成为等离子体状态，所述陶瓷加热器用于支撑所述晶片并加热到工序温度。在所述陶瓷加热器中具备用于将所述晶片加热到工序温度的发热构件、用于将所述源气体和反应气体形成为等离子体状态的电极构件。另外，在所述陶瓷加热器中具备为了举升销的升降而上下贯通的多个销孔。此时，所述发热构件及所述电极构件与所述销孔隔开配置。所述发热构件与所述销孔隔开配置，所述销孔具有截面积在所述陶瓷加热器的上端部位增加的结构，因而所述发热构件发生的热无法均一传递到被所述陶瓷加热器支撑的晶片。即，在所述晶片中，位于所述销孔上方的部位的温度会与其余部位的温度存在差异。因此，所述晶片的温度分布会不均一。在所述晶片温度不均一的状态下，当针对所述晶片执行沉积工序时，在所述晶片中，在位于所述销孔上方的部位形成的膜的厚度相对较薄，膜无法在所述晶片上均一地形成。因此，会对所述晶片的品质产生不良影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够均一地加热晶片的陶瓷加热器。本专利技术的陶瓷加热器可以包括：主体，其为陶瓷主体，具有为了举升销的升降而上下贯通的多个销孔；发热构件，其配备于所述主体的内部，借助于从外部接入的电源而发生热，用于加热所述晶片；及多个热传递构件，其在所述主体的上部面，沿着所述销孔配备部位的四周配备，用于使所述发热构件发生的热传导到所述晶片，以便所述晶片被均一加热。根据本专利技术的一个实施例，所述多个热传递构件可以由与所述主体相同的材质构成，或由具有高于所述主体的热传递率的材质构成。根据本专利技术的一个实施例，所述多个热传递构件可以沿着所述各销孔的四周，以环形态配备。根据本专利技术的一个实施例，所述多个热传递构件可以沿着所述各销孔的四周，相互隔开地配备多个。根据本专利技术的一个实施例，所述多个热传递构件可以与所述各销孔贴紧或从所述各销孔隔开配置。根据本专利技术的一个实施例，所述多个热传递构件与所述各销孔之间的隔开间隔可以为0至20㎜。根据本专利技术的一个实施例，沿着一个销孔四周配备的热传递构件的上部面面积可以为13mm2至1900mm2。根据本专利技术的一个实施例，所述陶瓷加热器可以还包括多个支撑构件，其在所述主体的上部面相互隔开配备，用于支撑晶片。根据本专利技术的一个实施例，所述多个热传递构件可以具有与所述支撑构件相同的高度。根据本专利技术的一个实施例，所述多个热传递构件的高度可以为5μm至40μm。根据本专利技术的一个实施例，所述陶瓷加热器可以还包括电极构件，其配置于所述主体的内部，与外部的接地构件电气连接。本专利技术的陶瓷加热器在陶瓷主体的上面，沿着销孔的四周具备热传递构件。因此，在所述陶瓷主体内部，发热构件与所述销孔隔开，所述销孔具有截面积向所述陶瓷加热器上面越来越增加的结构，即使如此，所述发热构件发生的热可以通过所述多个热传递构件，传递到晶片中位于所述销孔上方的部位。因此，被所述陶瓷加热器支撑的晶片可以被均一地加热。由于所述晶片被均一地加热，因而在等离子体强化化学气相沉积工序中，可以在所述晶片上均一地形成膜。因此，可以提高所述晶片的品质。附图说明图1是用于说明本专利技术一个实施例的陶瓷加热器的部分剖面图。图2是用于说明图1所示的陶瓷加热器的俯视图。图3是用于说明图1所示的热传递构件的一个示例的多个俯视图。图4是用于说明图1所示的热传递构件的另一示例的多个俯视图。符号说明100：陶瓷加热器110：主体112：销孔120：支撑构件130：发热构件140：电极构件150：热传递构件具体实施方式下面参照附图，对本专利技术实施例的陶瓷加热器进行详细说明。本专利技术可以施加多样的变更，可以具有多种形态，将在附图中示例性图示特定实施例并在正文中详细说明。但是，这并非要将本专利技术限定于特定的公开形态，应理解为包括本专利技术的思想及技术范围内包含的所有变更、等同物以及替代物。在说明各图的同时，针对类似的构成要素，使用了类似的附图标记。在附图中，为了本专利技术的明确性，结构物的尺寸比实际放大图示。第一、第二等术语可以用于说明多样的构成要素，但所述构成要素不得由所述术语所限定。所述术语只用于将一个构成要素区别于其他构成要素之目的。例如，在不超出本专利技术权利范围的同时，第一构成要素可以命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以命名为第一构成要素。本申请中使用的术语只用于说明特定的实施例，并非要限定本专利技术之意。只要在文理上未明确表示不同，单数的表现包括复数的表现。在本申请中，“包括”或“具有”等术语是要指定在说明书中记载的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或他们的组合的存在，应理解为不预先排除一个或其以上其他特征或数字、步骤、动作、构成要素、部件或他们的组合的存在或附加可能性。只要未不同地定义，包括技术性或科学性术语在内，此处使用的所有术语具有与本专利技术所属
的普通技术人员一般理解的内容相同的意义。与一般使用的字典定义的内容相同的术语，应解释为具有与在相关技术的文理上具有的意义一致的意义，只要在本申请中未明确定义，不得解释为理想性地，过度形式上的意义。图1是用于说明本专利技术一个实施例的陶瓷加热器的部分剖面图，图2是用于说明图1所示的陶瓷加热器的俯视图。如果参照图1及图2，陶瓷加热器100包括主体110、多个支撑构件120、发热构件130、电极构件140及热传递构件150。主体110具有平板形态，可以由陶瓷材质构成。所述陶瓷材质的耐热性优秀，为电气绝缘体。例如，所述陶瓷材质可以为Al2O3、Y2O3、Al2O3/Y2O3、ZrO2、AlC(Autoclavedlightweightconcrete)、TiN、AlN、TiC、MgO、CaO、CeO2、TiO2、BxCy、BN、SiO2、SiC、YAG、Mullite、AlF3等。主体110具有上下贯通的多个销孔112。多个举升销(图上未示出)配备得沿着多个销孔112升降，可以将晶片加载于主体110上，或将所述晶片从主体110卸载。另一方面，多个销孔112具有截面积在主体110的上端部位增加的结构。多个支撑构件120相互隔开地配备于主体110的上部面，支撑所述晶片。在主体110中，即使所述上部面的平坦度不良，多个支撑构件120也可以平坦、稳定地支撑所述晶片。多个支撑构件120可以由与主体110相同的材质构成。发热构件130配备于主体110内部。发热构件130与外部电源供应部(图上未示出)电气连接。因此，发热构件130可以从所述电源供应部(图上未示出)接入电源并发生热，加热放置于主体110的多个支撑构件120本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷加热器，其中，包括：主体，其为陶瓷主体，具有为了举升销的升降而上下贯通的多个销孔；发热构件，其配备于所述主体的内部，借助于从外部接入的电源而发生热，用于加热所述晶片；及多个热传递构件，其在所述主体的上部面，沿着所述销孔配备部位的四周配备，用于使所述发热构件发生的热传导到所述晶片，以便所述晶片被均一加热。

【技术特征摘要】
2017.04.03 KR 10-2017-00428561.一种陶瓷加热器，其中，包括：主体，其为陶瓷主体，具有为了举升销的升降而上下贯通的多个销孔；发热构件，其配备于所述主体的内部，借助于从外部接入的电源而发生热，用于加热所述晶片；及多个热传递构件，其在所述主体的上部面，沿着所述销孔配备部位的四周配备，用于使所述发热构件发生的热传导到所述晶片，以便所述晶片被均一加热。2.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述多个热传递构件由与所述主体相同的材质构成，或由具有高于所述主体的热传递率的材质构成。3.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述多个热传递构件沿着所述各销孔的四周，以环形态配备。4.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述多个热传递构件沿着所述各销孔的四...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑哲镐，崔晋荣，李柱声，
申请(专利权)人：美科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR