一种自动出料的方法、装置及系统制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种自动出料的方法，用于含硅薄膜的制备，包括：S1.抓取反应炉中的温度值；S2.至少根据所述的温度值与预设温度一致的指令，开启反应炉的出料口；S3.启动机械手，依次抓取含硅薄膜的成品，并投放在预设位置。本发明专利技术还公开了一种自动出料的装置和系统。本发明专利技术的技术方案，自动从反应炉中取出含硅薄膜成品，解放了人力，便于自动化及无人生产。

【技术实现步骤摘要】
一种自动出料的方法、装置及系统
本专利技术涉及一种半导体领域，特别涉及一种自动出料的方法、装置及系统。
技术介绍
含硅薄膜，包括：氧化硅薄膜、碳化硅薄膜、氮化硅薄膜等材料具备许多优异的性能，如高熔点、高硬度、强稳定性、低膨胀系数、良导热性、强抗热震性及优良的光学性能等，其中，氮化硅块材料及其薄膜能广泛应用于光电子、微电子、机械加工、化学工业、太阳能电池、航空航天及集成电路等行业。随着薄膜应用的普及，薄膜制备的技术也成为了高新加工技术中的重要部分。目前，比较普及的氮化硅薄膜的制备方法有等离子体化学气相沉积(PECVD)和低压化学气相沉积(LPCVD)法两种方法，其中LPCVD法生产的膜密度更高、纯度更高、物理化学特性更优良。如何实现含硅薄膜的批量出料，以利于自动化生产？成为摆在人们面前的一道课题。
技术实现思路
为了解决以上的问题，本专利技术能提供一种自动出料的方法、装置及系统。本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术公开了一种自动出料的方法，用于含硅薄膜的制备，包括：S1.抓取反应炉中的温度值；S2.至少根据所述的温度值与预设温度一致的指令，开启反应炉的出料口；S3.启动机械手，依次本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自动出料的方法，用于含硅薄膜的制备，其特征在于，包括：S1.抓取反应炉中的温度值；S2.至少根据所述的温度值与预设温度一致的指令，开启反应炉的出料口；S3.启动机械手，依次抓取含硅薄膜的成品，并投放在预设位置。

【技术特征摘要】
1.一种自动出料的方法，用于含硅薄膜的制备，其特征在于，包括：S1.抓取反应炉中的温度值；S2.至少根据所述的温度值与预设温度一致的指令，开启反应炉的出料口；S3.启动机械手，依次抓取含硅薄膜的成品，并投放在预设位置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步骤S3具体是：S3.启动机械手，依次抓取含硅薄膜的成品，并投放在容纳盒中。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的成品为衬底及所述的衬底上的含硅薄膜的组件，所述的组件的厚度：400nm～780nm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的预设温度为常温。5.一种自动出料的装置，用于含硅薄膜的制备，其特征在于，包括：温度值抓取单元，用于抓取反应炉中的温度值；出料口开启单元，用于至少根据所述的温度值与预设温度一致的指令，开启反应炉的出料口；机械手启动单元，用于启动机械手，依次抓取含硅薄膜的成品，并投放在预设位置。...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪幸辰，
申请(专利权)人：深圳市硅光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44