一种自动进料的系统技术方案

本实用新型专利技术提出了一种自动进料的系统，用于制备含硅薄膜，包括：机械手、低压化学气相沉积设备腔、控制器、检测设备、电机，所述的机械手用于抓取衬底投放于所述的低压化学气相沉积设备腔内，所述的控制器能控制所述的电机带动所述的机械手运转或停止，所述的检测设备检测传送至所述的低压化学气相沉积设备腔中的衬底是否足量。实施本实用新型专利技术的技术方案中，通过自动输送生成含硅薄膜的衬底进入低压化学气相沉积设备腔，以方便进行化学反应，解放了人力，实现了自动化生产。

An Automatic Feeding System

The utility model provides an automatic feeding system for preparing silicon-containing thin films, which includes a manipulator, a low-pressure chemical vapor deposition equipment chamber, a controller, a detection device and a motor. The manipulator is used to grasp the substrate and place it in the low-pressure chemical vapor deposition equipment chamber. The controller can control the motor to drive the manipulator to run or stop. The detection device detects whether the substrate transmitted to the cavity of the low-pressure chemical vapor deposition device is sufficient. In the technical scheme of the utility model, the substrates which generate silicon-containing films are automatically transported into the chamber of low-pressure chemical vapor deposition equipment to facilitate chemical reaction, liberate manpower and realize automatic production.

【技术实现步骤摘要】
一种自动进料的系统
本技术涉及一种半导体材料领域，特别涉及一种自动进料的系统。
技术介绍
含硅薄膜，如：氧化硅薄膜、碳化硅薄膜、氮化硅薄膜等材料具备许多优异的性能，如高熔点、高硬度、强稳定性、低膨胀系数、良导热性、强抗热震性及优良的光学性能等，其中，氮化硅块材料及其薄膜能广泛应用于光电子、微电子、机械加工、化学工业、太阳能电池、航空航天及集成电路等行业。随着薄膜应用的普及，薄膜制备的技术也成为了高新加工技术中的重要部分。目前，比较普及的氮化硅薄膜的制备方法有等离子体化学气相沉积(PECVD)和低压化学气相沉积(LPCVD)法两种方法，其中LPCVD法生产的膜密度更高、纯度更高、物理化学特性更优良。如何实现含硅薄膜的批量自动化进料，以便进行下一步的生产？成为摆在人们面前的一道课题。
技术实现思路
为了解决以上的问题，本技术提供一种自动进料的系统。本技术的技术方案是这样实现的：本技术公开了一种自动进料的系统，用于制备含硅薄膜，包括：机械手、低压化学气相沉积设备腔、控制器、检测设备、电机，所述的机械手用于抓取衬底投放于所述的低压化学气相沉积设备腔内，所述的控制器能控制所述的电机带动所述的机械手运转或停止，所述的检测设备检测传送至所述的低压化学气相沉积设备腔中的衬底是否足量。进一步地，所述的衬底选自P型、N型掺杂单晶硅衬底或者氧化硅中的至少一种。进一步地，所述的控制器包括控制面板及微处理器，在所述的控制面板上设置与所述的微处理器相连接的启动按钮及停止按钮，所述的微处理器与所述的电机的驱动电路相连。进一步地，所述的低压化学气相沉积设备腔具有可闭合密封或打开的开口，所述的开口与所述的机械手的末端对应设置，以接收所述的机械手传送过来的衬底。进一步地，所述的检测设备包括设置于开口处的计数器和/或位于所述的低压化学气相沉积设备腔的底部的重量传感器。实施本技术的一种自动进料的系统，具有以下有益的技术效果：本技术方案通过自动输送生成含硅薄膜的衬底进入低压化学气相沉积设备腔，以方便进行化学反应，解放了人力，实现了自动化生产。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的实施例的自动进料的系统结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，一种自动进料的系统100，用于制备含硅薄膜，包括：机械手200、低压化学气相沉积设备腔300、控制器400、检测设备500、电机。机械手200用于抓取衬底投放于低压化学气相沉积设备腔300上，控制器400能控制电机带动机械手200运转或停止，检测设备500检测传送至低压化学气相沉积设备腔300中的衬底是否足量。衬底可选自P型、N型掺杂单晶硅衬底或者氧化硅中的至少一种。可选取P型掺杂单晶硅衬底若干片，先进行RCA标准清洗法，清洗后干燥，放置于物料台上。控制器400发出启动要求输送衬底的命令，机械手200将多个衬底依次向低压化学气相沉积设备腔300投放，机械手200由电机进行驱动。检测设备500检测衬底已经足量时，控制器400发出停止要求输送衬底的命令，机械手停止将多个衬底依次向低压化学气相沉积设备腔300投放，机械手200的电机停止驱动。控制器400包括控制面板及微处理器，在控制面板上设置与微处理器连接启动机械手200的按钮及停止机械手200的按钮，启动按钮及停止按钮与微处理器的电源引脚对应设置，按下启动按钮，微处理器形成通电回路，启动机械手200工作，按下停止按钮，微处理器形成断电回路，停止机械手200工作。电机的驱动电路通过SPI接口连接于微处理器所在的PCB面板。在本技术中，微处理器的型号可为：LQFP64嵌入式处理器。该微处理器的数据总线宽度：32bit；具有多种接口类型：CAN、I2C、SPI、USART、USB等。电机的驱动电路的模块型号可为：SMBL2410A1。以上的产品的型号及连接关系只是举例，不构成对技术的限制。低压化学气相沉积设备腔300具有可闭合密封或打开的开口，开口与机械手200的末端对应设置，以方便接收机械手200传送过来的衬底。检测设备500包括设置于开口处的计数器和/或位于低压化学气相沉积设备腔的底部的重量传感器。当计数器计算到的所有衬底的数目总值与预设数目总值相等时，控制器400确认衬底已足量，发送停止输送衬底的指令，或，当重量传感器计算到的所有衬底的重量数字总值与预设重量数字总值相等时，控制器400确认衬底已足量，发送停止输送衬底的指令。当控制器400发出停止要求输送衬底的命令时，机械手200停止将衬底投放，电机停止运转。以氮化硅制备举例，实施例方式可为：先通入N2，在N2的环境下，将沉底加热至800℃，之后通入反应气体H2SiCl2和NH3，反应气压为200mTorr，第一步反应时间为96分钟，制取获得350nm左右的氮化硅薄膜，之后在N2的环境下，将设备腔温度降至400℃左右，打开低压化学气相沉积设备腔，等低压化学气相沉积设备腔完全打开时，将衬底顺序调换，重复上述过程，根据第一反应时间设置第二反应时间为114分钟，反应完成后等设备腔温度降400℃左右，打开设备腔即可获得超厚氮化硅薄膜。在本技术的另一实施例中，控制器400抓取传送信息上传到后台监控中心，传送信息包括：传送速度及时间、传送图片等。本实施例为了方便实现无人管理生产氮化硅薄膜。实施本技术的一种自动进料的系统，具有以下有益的技术效果：本技术方案通过自动输送生成含硅薄膜的衬底进入低压化学气相沉积设备腔，以方便进行化学反应，解放了人力，实现了自动化生产。尽管已描述了本技术的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本技术范围的所有变更和修改。显然，本领域的技术人员可以对本技术实施例进行各种改动和变型而不脱离本技术实施例的精神和范围。这样，倘若本技术实施例的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自动进料的系统，用于制备含硅薄膜，其特征在于，包括：机械手、低压化学气相沉积设备腔、控制器、检测设备、电机，所述的机械手用于抓取衬底投放于所述的低压化学气相沉积设备腔内，所述的控制器能控制所述的电机带动所述的机械手运转或停止，所述的检测设备检测传送至所述的低压化学气相沉积设备腔中的衬底是否足量。

【技术特征摘要】
1.一种自动进料的系统，用于制备含硅薄膜，其特征在于，包括：机械手、低压化学气相沉积设备腔、控制器、检测设备、电机，所述的机械手用于抓取衬底投放于所述的低压化学气相沉积设备腔内，所述的控制器能控制所述的电机带动所述的机械手运转或停止，所述的检测设备检测传送至所述的低压化学气相沉积设备腔中的衬底是否足量。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述的衬底选自P型、N型掺杂单晶硅衬底或者氧化硅中的至少一种。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪幸辰，
申请(专利权)人：深圳市硅光半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44