The utility model discloses a semiconductor device and a temperature regulating device with high temperature regulating efficiency. The semiconductor device includes a first heat conduction insulating layer, a first heat conduction layer, a semiconductor layer, a second heat conduction layer, a porous heat dissipation layer, and a second heat conduction insulating layer, which comprises a p \u2011 n semiconductor unit. The first heat conducting insulating layer, the first heat conducting layer, the second heat conducting layer and the second heat conducting insulating layer are arranged on both sides of the semiconductor layer, so that the heat can be transmitted more quickly and efficiently. After the refrigeration side of the semiconductor layer is turned on, the heat at the temperature to be cooled and adjusted will be transferred from the first heat conducting insulating layer and the first heat conducting layer to the semiconductor layer quickly, so as to achieve more efficient heat absorption. When the heat producing side of the semiconductor is opened, the heat is transferred to the second conductive heat conducting layer through the semiconductor layer, and the second conductive insulating layer and the porous heat dissipating layer are used for effective heat dissipation, so as to realize more rapid temperature regulation at the refrigeration and temperature regulation place.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件和调温设备
本技术涉及半导体
,特别涉及一种半导体器件和调温设备。
技术介绍
在环境温度较高时,人体容易中暑,耐温性较差的一些食品也容易因此发生变质等情况,所以通常需要采取一定的措施来辅助降温或维持一个较适宜的温度环境。实际生活中最常见的是采用冰袋或其它低温物品靠近待降温处进行热交换。但是,传统的冰袋、冰块冷敷的降温方式效率低下、使用不便,而现有的局部医疗冷却器,如冷却袋,大多使用冷却剂或冷却液等介质,携带不便,对环境有污染。所以,越来越多的设备或装置逐渐采用半导体制冷技术。半导体制冷又称为热电制冷或温差电制冷。其制冷原理在于,利用半导体材料的帕尔贴效应,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,从而实现制冷的目的。但现有的半导体制冷器件大多结构简单,效率不高。
技术实现思路
本技术所要解决的一个技术问题在于如何提供一种具有较高的调节温度效率的半导体器件和调温设备。根据本技术的第一个方面,本技术提供了一种半导体器件,根据本技术的实施例,该半导体器件包括依次设置的第一导热绝缘层、第一导电导热层、半导体层、第二导电导热层、多孔散热层、第二导热绝缘层,所述半导体层包括P-N半导体单元。其中,第一导热绝缘层和第二导热绝缘层是指该层的主要材料具有较好的导热性能同时绝缘,具体可以是硅胶层、云母层或陶瓷材料层中的任一种,而陶瓷材料层具体又可以是氮化铝陶瓷层、氮化铍陶瓷层、氧化铝陶瓷层、氮化硅陶瓷层、氮化硼陶瓷层、氧化镁陶瓷层。第一导 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括依次设置的第一导热绝缘层、第一导电导热层、半导体层、第二导电导热层、多孔散热层、第二导热绝缘层,所述半导体层包括P-N半导体单元。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括依次设置的第一导热绝缘层、第一导电导热层、半导体层、第二导电导热层、多孔散热层、第二导热绝缘层,所述半导体层包括P-N半导体单元。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第二导电导热层设有凹槽,所述凹槽内设有所述多孔散热层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述凹槽的深度为0.5-3mm。
4.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述多孔散热层为海绵散热层、凝胶散热层中的任一种。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件,其特征在于,所述第一导热绝缘层和所述第二导热绝缘层为陶瓷导热层。
技术研发人员:余小强,姜仕鹏,
申请(专利权)人:深圳市硅光半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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