半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种可靠性高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体部件，沿着第1方向延伸；第1配线，沿着和所述第1方向交叉的第2方向延伸；及第1电极，配置在所述半导体部件和所述第1配线之间。所述第1电极的和所述半导体部件相向的角部的曲率半径，比所述第1电极的和所述第1配线相向的角部的曲率半径大。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置[相关申请]本申请享有以日本专利申请2017-50087号(申请日：2017年3月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
在之前，半导体存储装置已经通过使电路微细化实现了大容量化。不过，微细化技术达到了极限，为了实现更大容量化，提出一种积层型半导体存储装置。积层型半导体存储装置，是在衬底上设置沿着水平方向延伸的多根配线、和沿着垂直方向延伸的多根半导体部件，并在配线和半导体部件之间设置电荷积聚部件。由此，在每个交叉部分形成存储单元晶体管。这种半导体存储装置中的课题是确保可靠性。
技术实现思路
实施方式提供一种可靠性高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体部件，沿着第1方向延伸；第1配线，沿着和所述第1方向交叉的第2方向延伸；及第1电极，配置在所述半导体部件和所述第1配线之间。所述第1电极的和所述半导体部件相向的角部的曲率半径，比所述第1电极的和所述第1配线相向的角部的曲率半径大。附图说明图1是表示实施方式的半导体存储装置的剖视图。图2是表示实施方式的半导体存储装置的剖视图。图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体部件，沿着第1方向延伸；第1配线，沿着和所述第1方向交叉的第2方向延伸；及第1电极，配置在所述半导体部件和所述第1配线之间；且所述第1电极的和所述半导体部件相向的角部的曲率半径，比所述第1电极的和所述第1配线相向的角部的曲率半径大。

【技术特征摘要】
2017.03.15 JP 2017-0500871.一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体部件，沿着第1方向延伸；第1配线，沿着和所述第1方向交叉的第2方向延伸；及第1电极，配置在所述半导体部件和所述第1配线之间；且所述第1电极的和所述半导体部件相向的角部的曲率半径，比所述第1电极的和所述第1配线相向的角部的曲率半径大。2.一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体部件，沿着第1方向延伸；第1配线，沿着和所述第1方向交叉的第2方向延伸；及第1电极，配置在所述半导体部件和所述第1配线之间，具有第1面和第2面，所述第1面和所述半导体部件相对，所述第2面沿着和所述第1方向及所述第2方向交叉的、从所述第1配线朝向所述半导体部件的第3方向延伸；且所述第1面具有第1部，所述第2面具有第2部，随着从所述第1部朝向所述第2部，逐渐远离所述半导体部件地倾斜。3.一种半导体存储装置，其特征在于具备：半导体部件，沿着第1方向延伸；第1配线，沿着和所述第1方向交叉的第2方向延伸；及第1电极，配置在所述半导体部件和所述第1配线之间；且在所述第1电极表面移动的虚拟点以最短路径，从所述第1电极的和所述半导体部件相向的面的中央部，通过所述第1电极的和所述半导体部件相向的角部之后，...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤竜也，荒井史隆，酒池耕平，永嶋贤史，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP