沉积装置、薄膜形成方法和制造有机发光显示装置的方法制造方法及图纸

公开沉积装置、薄膜形成方法和制造有机发光显示装置的方法。一种用于通过使用关于基板的掩膜执行沉积过程的沉积装置包括：室；在所述室中的支撑单元，所述支撑单元包括第一孔并且被配置为支撑所述基板；供应单元，被配置为向所述基板供应至少一种沉积原材料；和通过所述支撑单元的所述第一孔的能移动的对齐单元，所述对齐单元被配置为支撑所述掩膜，并且将所述掩膜关于所述基板对齐。

【技术实现步骤摘要】
沉积装置、薄膜形成方法和制造有机发光显示装置的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2012年12月12日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2012-0144673的权益，其公开内容通过引用全部并入本文。
示例实施例涉及沉积装置、使用沉积装置形成薄膜的方法和制造有机发光显示装置的方法。更具体而言，示例实施例涉及一种提供有效沉积过程和具有改进特性的沉积膜的沉积装置、使用该沉积装置形成薄膜的方法和制造有机发光显示装置的方法。
技术介绍
半导体设备、显示设备和其它电子设备包括多个薄膜。各种方法可被用于形成多个薄膜，其中一种方法即为沉积方法。沉积方法使用例如一种或多种气体等各种原材料来形成薄膜。沉积方法包括化学气相沉积（CVD）方法、原子层沉积（ALD）方法等。在显示装置中，有机发光显示装置由于其宽视角、高对比性和快速反应速度而被期望成为下一代显示装置。传统的有机发光显示装置包括具有在彼此面对的第一电极和第二电极之间的有机发射层的中间层，还包括一个或多个具有不同特性的薄膜。在此情形下，使用沉积过程形成有机发光显示装置的薄膜。
技术实现思路
示例实施例提供一种可被用于有效地执行沉积过程以便容易地改进沉积膜的特性的沉积装置、使用该沉积装置制造薄膜的方法，和制造有机发光显示装置的方法。根据示例实施例的方面，提供一种用于通过使用与基板有关的掩膜执行沉积过程的沉积装置，所述沉积装置包括：室；在所述室中的支撑单元，包括第一孔并且被配置为支撑所述基板；供应单元，被配置为向所述基板供应至少一种沉积原材料；和通过所述支撑单元的所述第一孔的能移动的对齐单元，所述对齐单元被配置为支撑所述掩膜，并且将所述掩膜与所述基板对齐。所述沉积装置可进一步包括对齐确认构件，所述对齐确认构件被配置为通过所述支撑单元中的第二孔确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。所述对齐确认构件可被配置为检查所述基板上的对齐标记与所述掩膜上的对齐标记的对齐，以便确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。所述支撑单元中的所述第二孔可比所述第一孔更靠近所述支撑单元的中心区域。所述对齐确认构件可比所述支撑单元更远离所述供应单元。所述支撑单元可位于所述对齐确认构件与所述供应单元之间。所述室可包括与所述第二孔重叠的透明窗，所述对齐确认构件被配置为通过所述透明窗确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。所述对齐单元的横截面积可小于所述第一孔的尺寸，所述对齐单元在所述第一孔中能三维移动。所述对齐单元可被配置为支撑所述掩膜的同时在所述第一孔内竖直和水平地移动。所述支撑单元的上表面可为弯曲的。所述支撑单元的所述上表面的中心区域可相对于所述支撑单元的所述上表面的端部区域向上凸出。所述支撑单元的下表面根据所述支撑单元的所述上表面的曲度而被弯曲。所述支撑单元的下表面可为平的。所述沉积装置可进一步包括通过所述支撑单元中的第三孔的升降销，所述升降销被配置为支撑所述基板，并且在所述第三孔中竖直移动以便将所述基板布置在所述支撑单元上。所述第三孔可比所述第一孔更靠近所述支撑单元的中心区域。所述沉积装置可进一步包括被配置为支撑所述供应单元的基底板，所述基底板被定位为比所述供应单元更远离所述支撑单元。所述沉积装置可进一步包括被配置为向所述供应单元和所述支撑单元之间施加电压以便产生等离子体的电力单元。所述沉积装置可进一步包括被配置为产生等离子体并且将所述等离子体添入所述室中以便清洁所述室的内部的清洁单元。所述支撑单元可能够向上和向下竖直移动。所述室可包括至少一个出入口，所述基板或所述掩膜通过所述至少一个出入口被插入所述室中。根据示例实施例的另一方面，提供一种通过使用沉积装置在基板上形成薄膜的方法，其中所述方法包括：将所述基板插入室中；将所述基板布置在支撑单元上，所述支撑单元包括第一孔；通过移动对齐单元将掩膜与所述基板对齐，所述对齐单元延伸通过所述支撑单元的所述第一孔以便支撑所述掩膜；和向所述基板供应至少一种沉积原材料，以便在所述基板上形成薄膜。将所述掩膜与所述基板对齐可包括通过实时使用对齐确认构件通过所述支撑单元中的第二孔，来确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。使用所述对齐确认构件可包括检查所述掩膜和所述基板中的每一个的对齐标记。将所述掩膜与所述基板对齐可包括将升降销朝向所述支撑单元移动，同时支撑所述基板，所述升降销穿透所述支撑单元中的第三孔。所述方法可进一步包括在将所述掩膜与所述基板对齐之后，通过将所述支撑单元向上和向下竖直移动而控制所述基板和所述供应单元之间的距离。所述方法可进一步包括通过从连接到所述室的清洁单元产生远程等离子体并且在形成所述薄膜层之后将所述远程等离子体添入所述室中而清洁所述室。根据示例实施例的另一方面，提供一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：将基板插入室中；将所述基板布置在支撑单元上，所述支撑单元包括第一孔；通过使用对齐单元将掩膜与所述基板对齐，所述对齐单元被布置为穿透所述支撑单元的所述第一孔，同时支撑所述掩膜；和从供应单元向所述基板供应一种或多种沉积原材料，从而在所述基板上形成有机发光元件的至少一个薄膜。将所述掩膜与所述基板对齐可包括通过实时使用对齐确认构件通过所述支撑单元中的第二孔，来确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。在所述基板上形成所述有机发光元件可包括形成第一电极、具有有机发光层的中间层、第二电极和在所述基板上的封装层，至少所述封装层为所述有机发光元件的所述薄膜。形成所述有机发光元件的所述薄膜可包括形成绝缘层。形成所述有机发光元件的所述薄膜可包括形成导电膜。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域普通技术人员来说将变得明显，在附图中：图1例示出根据实施例的沉积装置的示意图；图2例示出通过使用图1的沉积装置的对齐单元对齐的掩膜和基板的视图；图3例示出图1的部分R的放大视图；图4例示出图1的支撑单元的详细平面视图；图5例示出图4的支撑单元的一个第一孔的详细平面视图；图6A例示出图1的支撑单元的剖视图；图6B和图6C例示出图1的支撑单元的修改示例；图7例示出根据另一实施例的沉积装置的示意图；图8例示出图7的部分R的放大视图；图9例示出图7的支撑单元210的详细平面视图；图10例示出使用根据实施例的沉积装置制造的有机发光显示装置的示意性剖视图；以及图11例示出图10的部分F的放大视图。具体实施方式现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以被实施为不同的形式，并且不应被解释为限于本文提出的实施例。而是，这些实施例被提供为使得本公开将完全和完整，并且将示例性实施方式充分传达给本领域技术人员。在附图中，层和区域的尺寸为了例示的清楚可能被夸大。还将理解的是，当一层或元件被提及为在另一层或基板“上”时，其能够直接在另一层或基板上，或者还可存在中间层。另外，还将理解的是，当一层被提及为在两层“之间”时，其能够是这两层之间的唯一的层，或者还可存在一个或多个中间层。全文中，同样的附图标记指代同样的元件。下文中，将参照示出本申请的示例性实施例的附图更充分地描述示例实施例。图1为根据实施例的沉积装置100的示意图。图2为通过使用沉积装置100的对齐单元140对齐的掩膜130和基板S。参照图1和图2，沉积装置100可包括室101、支撑单元110、供应单元120、对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于通过使用与基板有关的掩膜执行沉积过程的沉积装置，该沉积装置包括：沉积室，包括在所述沉积室的下部处的透明窗；在所述沉积室中的支撑单元，包括顶表面和延伸通过所述顶表面的第一孔，所述基板由所述顶表面支撑；供应单元，被配置为向所述基板供应至少一种沉积原材料；和通过所述支撑单元的所述第一孔的能移动的对齐单元，所述对齐单元被配置为支撑所述掩膜，并且将所述掩膜与所述基板对齐；在所述沉积室的所述下部的对齐确认构件，所述对齐确认构件通过所述沉积室的所述透明窗确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。

【技术特征摘要】
2012.12.12 KR 10-2012-01446731.一种用于通过使用与基板有关的掩膜执行沉积过程的沉积装置，该沉积装置包括：沉积室，包括在所述沉积室的下部处的透明窗；在所述沉积室中的支撑单元，包括顶表面和延伸通过所述顶表面的第一孔，所述基板由所述顶表面支撑；供应单元，被配置为向所述基板供应至少一种沉积原材料；和通过所述支撑单元的所述第一孔的能移动的对齐单元，所述对齐单元被配置为支撑所述掩膜，并且将所述掩膜与所述基板对齐；在所述沉积室的所述下部的对齐确认构件，所述对齐确认构件通过所述沉积室的所述透明窗确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。2.如权利要求1所述的沉积装置，所述对齐确认构件被配置为通过所述支撑单元中的第二孔确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。3.如权利要求2所述的沉积装置，其中所述对齐确认构件被配置为检查所述基板上的对齐标记与所述掩膜上的对齐标记的对齐，以便确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。4.如权利要求2所述的沉积装置，其中所述支撑单元中的所述第二孔比所述第一孔更靠近所述支撑单元的中心区域。5.如权利要求2所述的沉积装置，其中所述对齐确认构件比所述支撑单元更远离所述供应单元。6.如权利要求2所述的沉积装置，其中所述支撑单元位于所述对齐确认构件与所述供应单元之间。7.如权利要求2所述的沉积装置，其中所述透明窗与所述第二孔重叠。8.如权利要求1所述的沉积装置，其中所述对齐单元的横截面积小于所述第一孔的尺寸，所述对齐单元能在所述第一孔中三维移动。9.如权利要求1所述的沉积装置，其中所述对齐单元被配置为支撑所述掩膜的同时在所述第一孔内竖直和水平地移动。10.如权利要求1所述的沉积装置，其中所述支撑单元的上表面是弯曲的。11.如权利要求10所述的沉积装置，其中所述支撑单元的所述上表面的中心区域相对于所述支撑单元的所述上表面的端部区域向上凸出。12.如权利要求11所述的沉积装置，其中所述支撑单元的下表面根据所述支撑单元的所述上表面的曲度而弯曲。13.如权利要求11所述的沉积装置，其中所述支撑单元的下表面是平的。14.如权利要求1所述的沉积装置，进一步包括通过所述支撑单元中的第三孔的升降销，所述升降销被配置为支撑所述基板，并且在所述第三孔中竖直移动以便将所述基板布置在所述支撑单元上。15.如权利要求14所述的沉积装置，其中所述第三孔比所述第一孔更靠近所述支撑单元的中心区域。16.如权利要求1所述的沉积装置，进一步包括被配置为支撑所述供应单元的基底板，所述基底板被定位为比所述供应单元更远离所述支撑单元。17.如权利要求1所述的沉积装置，进一步包括被配置为向所述供应单元和所述支撑单元之间施加电压以便产生等离子体的电力单元。18.如权利要求1所述的沉积装置，进一步包括被配置为产生等离子体并且将所述等离子体添入所述沉积室中以便清洁所述沉积室的内部的清洁单元。19.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：许明洙，郑石源，李正浩，洪祥赫，李勇锡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR