掩膜版制造技术

本发明专利技术提供一种掩膜版，包括掩膜本体，在掩膜本体中设置有贯穿其厚度的开口，并且在掩膜本体上，且位于开口的边缘处设置有朝向开口凸出的异形部，还包括形变调节层，且在掩膜本体的沉积面所在的平面上，形变调节层的正投影与异形部的正投影至少部分重叠；形变调节层的热膨胀系数与异形部的热膨胀系数不同，以抑制异形部在进行工艺时产生的形变。本发明专利技术提供的掩膜版，其可以抑制掩膜版的异形部在进行膜层沉积工艺时发生变形。

mask

A mask plate, including a mask body, is provided in the mask body with an opening that penetrates its thickness, and on the mask body, and at the edge of the opening at the edge of the opening, a shaped section with an opening projection is provided, and a deformation adjustment layer is also included, and the deformation adjustment layer is on the plane of the deposition surface of the mask body. The positive projection overlaps with the orthographic projection at least partially, and the thermal expansion coefficient of the deformation adjustment layer is different from the thermal expansion coefficient of the special-shaped part, so as to suppress the deformation of the special-shaped part in the process. The mask plate provided by the invention can inhibit the deformation of the mask shaped section when carrying out the film deposition process.

【技术实现步骤摘要】
掩膜版
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种掩膜版。
技术介绍
随着全面屏、异形屏的推入市场，异形屏幕的封装问题逐渐显露出来，目前遇到的问题是：使用异形掩膜版进行化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，以下简称CVD)时，在进行多层膜层的制作之后，由于膜层应力的问题会导致异形掩膜版变形翘曲，从而造成沉积膜层时掩膜版的异形部变大。图1为现有的一种异形掩膜版的结构图。如图1所示，该异形掩膜版包括掩膜本体1，在该掩膜本体1的厚度方向上设置有开口11，并且在掩膜本体1上，且位于开口11的边缘处设置有朝向开口11内侧凸出的异形部2。使用该异形掩膜版进行多层膜层的制作之后，如图2所示，异形部2会产生翘曲、拉长等形变。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种掩膜版，其可以抑制掩膜版的异形部在进行膜层沉积工艺时发生变形。为实现本专利技术的目的而提供一种掩膜版，包括掩膜本体，在所述掩膜本体中设置有贯穿其厚度的开口，并且在所述掩膜本体上，且位于所述开口的边缘处设置有朝向所述开口凸出的异形部，还包括形变调节层，且在所述掩膜本体的沉积面所在的平面上，所述形变调节层的正投影与所述异形部的正投影至少部分重叠；所述形变调节层的热膨胀系数与所述异形部的热膨胀系数不同，以抑制所述异形部在进行工艺时产生的形变。可选的，在所述异形部中设置有凹部，所述形变调节层填充在所述凹部中。可选的，所述凹部自所述异形部背离所述沉积面的表面凹进，或者自所述异形部与所述沉积面同侧的表面凹进。可选的，所述形变调节层设置在所述异形部上，且位于所述沉积面的同侧，或者位于背离所述沉积面的一侧。可选的，所述形变调节层的各个位置的厚度相同，或者所述形变调节层的各个位置的厚度不同。可选的，所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面上的正投影在与所述异形部的凸出方向相垂直的方向上的长度沿所述异形部的凸出方向逐渐增大。可选的，所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面上的正投影的形状包括等腰三角形或者等腰梯形。可选的，所述形变调节层为一个；或者，所述形变调节层为多个；多个所述形变调节层沿与所述异形部的凸出方向相垂直的方向间隔分布。可选的，所述形变调节层为多个；多个所述形变调节层沿与所述异形部的凸出方向相垂直的方向间隔分布；并且，每个所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面上的正投影的形状为直线形条状，且多个所述形变调节层在所述异形部的凸出方向上的宽度沿所述异形部的凸出方向逐渐增大。可选的，所述形变调节层包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分呈一体式结构或者相互独立；其中，在所述掩膜本体的沉积面上，所述形变调节层的第一部分的正投影与所述异形部的正投影重叠；所述形变调节层的第二部分的正投影与所述异形部和所述掩膜本体的交界处的区域重叠。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的掩膜版，其设置有形变调节层，在掩膜本体的沉积面上，该形变调节层的正投影与异形部的正投影至少部分重叠；并且，通过使形变调节层的热膨胀系数与异形部的热膨胀系数不同，可以抑制异形部在进行工艺时产生的形变，从而可以提高沉积精度。附图说明图1为现有的一种异形掩膜版的结构图；图2为异形部发生变形翘曲的示意图；图3A为本专利技术第一实施例提供的掩膜版的结构图；图3B为沿图3A中沿I-I线的剖视图；图4A为图3B中A区域的纵向剖面图；图4B为图3B中A区域的横向剖面图；图5为本专利技术第一实施例的一个变形实施例提供的掩膜版的局部纵向剖面图；图6为局部掩膜版的形变大小分布图；图7A为本专利技术第二实施例提供的掩膜版的局部纵向剖面图；图7B为本专利技术第二实施例的一个变形实施例提供的掩膜版的局部纵向剖面图；图8A为本专利技术第三实施例提供的掩膜版的局部纵向剖面图；图8B为本专利技术第三实施例的一个变形实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；图9A为本专利技术第四实施例提供的掩膜版的局部纵向剖面图；图9B为本专利技术第四实施例的一个变形实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；图10A为本专利技术第五实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；图10B为本专利技术第五实施例的一个变形实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；图11为本专利技术第六实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；图12为本专利技术第七实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；图13A为本专利技术第八实施例提供的掩膜版的一种局部横向剖面图；图13B为本专利技术第八实施例提供的掩膜版的另一种局部横向剖面图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的掩膜版进行详细描述。请一并参阅图3至图4B，本专利技术第一实施例提供的掩膜版，包括掩膜本体3，在该掩膜本体3的厚度方向上设置有开口31，并且在掩膜本体3上，且位于开口的31边缘处设置有朝向开口31凸出(即，图3B的X方向)的异形部4。并且，掩膜版还包括形变调节层5，在掩膜本体3的沉积面C所在的平面上，形变调节层5的正投影与异形部4的正投影至少部分重叠。所谓掩膜本体3的沉积面C，是指在进行沉积工艺的过程中，掩膜本体3的沉积膜层的表面。并且，形变调节层5的热膨胀系数与异形部4的热膨胀系数不同，以抑制异形部4在进行工艺时产生的形变。由于形变调节层5与异形部4之间的热膨胀系数存在差异，在进行沉积工艺的过程中，形变调节层5对异形部4施加的作用力与沉积在异形部4的与沉积面C同侧的表面上的膜层对异形部4施加的作用力相反，从而可以抑制异形部4产生翘曲、拉长等形变，进而可以提高沉积精度。在本实施例中，形变调节层5为一个，且在异形部4中设置有凹部，形变调节层5填充在该凹部中。具体地，如图4A所示，上述凹部自异形部4背离沉积面C的表面凹进，并且，形变调节层5的各个位置的厚度相同。可选的，如图4B所示，形变调节层5的至少一部分正投影与异形部4的正投影几乎完全重叠，从而可以更均匀地对异形部4施加的作用力。此外，形变调节层5的各个位置在X方向上的宽度相等；形变调节层5的各个位置在Z方向上的长度相等。当沉积的膜层材料的薄膜应力表现为压应力时，膜层材料沿膜面膨胀，此时异形部4受到了使之沿与图4A的Y方向相反的方向弯曲变形的作用力。在这种情况下，可以使形变调节层5的热膨胀系数大于异形部4的热膨胀系数，这样，由于形变调节层5在进行工艺时因受热膨胀具有沿图4A的X方向拉长变形的趋势，且变形程度大于异形部4的变形程度，这使得形变调节层5会对异形部4施加使之沿图4A的Y方向弯曲变形的作用力，从而可以抵消至少一部分异形部4受到的薄膜应力，进而抑制异形部4产生翘曲、拉长等形变。反之，当沉积的膜层材料的薄膜应力表现为张应力时，膜层材料沿膜面收缩，此时异形部4受到了使之沿图4A的Y方向弯曲变形的作用力。在这种情况下，可以使形变调节层5的热膨胀系数小于异形部4的热膨胀系数，这样，由于形变调节层5在进行工艺时因受热膨胀具有沿图4A的X方向拉长变形的趋势，且变形程度小于异形部4的变形程度，这使得形变调节层5会对异形部4施加使之沿与图4A的Y方向相反的方向弯曲变形的作用力，从而可以抵消至少一部分异形部4受到的薄膜应力，进而抑制异形部4产生翘曲、拉长等形变。在实际应用中，通过设定形变调节层5的材料、形状、尺寸和/或位置等的参数，可以实现对形变调节层5对异形部4施加的作用力本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜本体，在所述掩膜本体中设置有贯穿其厚度的开口，并且在所述掩膜本体上，且位于所述开口的边缘处设置有朝向所述开口凸出的异形部，还包括形变调节层，且在所述掩膜本体的沉积面所在的平面上，所述形变调节层的正投影与所述异形部的正投影至少部分重叠；所述形变调节层的热膨胀系数与所述异形部的热膨胀系数不同，以抑制所述异形部在进行工艺时产生的形变。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜本体，在所述掩膜本体中设置有贯穿其厚度的开口，并且在所述掩膜本体上，且位于所述开口的边缘处设置有朝向所述开口凸出的异形部，还包括形变调节层，且在所述掩膜本体的沉积面所在的平面上，所述形变调节层的正投影与所述异形部的正投影至少部分重叠；所述形变调节层的热膨胀系数与所述异形部的热膨胀系数不同，以抑制所述异形部在进行工艺时产生的形变。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，在所述异形部中设置有凹部，所述形变调节层填充在所述凹部中。3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述凹部自所述异形部背离所述沉积面的表面凹进，或者自所述异形部与所述沉积面同侧的表面凹进。4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述形变调节层设置在所述异形部上，且位于所述沉积面的同侧，或者位于背离所述沉积面的一侧。5.根据权利要求1-4任意一项所述的掩膜版，其特征在于，所述形变调节层的各个位置的厚度相同，或者所述形变调节层的各个位置的厚度不同。6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面上的正投影在与所述异形部的凸出...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，詹志锋，王研鑫，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11