具有低氧气传输速率的药物和其他包装制造技术

通过等离子体增强化学气相沉积处理抽真空的血液样品收集管或其他容器以施加衔接涂层或层(289)、阻隔涂层或层(288)以及任选的一个或多个另外的涂层或层。在部分真空下施加SiOxCy衔接涂层或层，并且在保持内腔中的该部分真空不被破坏的同时，施加该阻隔涂层或层。然后任选地，在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，可以施加SiOxCy的pH保护涂层或层。作为该处理的结果，产生了，与通过除了在施加该衔接涂层或层与施加该阻隔涂层或层之间破坏该内腔中的该部分真空之外相同的工艺所制造的相应容器相比，具有更低的到该内腔中的气体渗透速率常数的涂覆容器。还描述了用于在暴露于降低的环境压力期间保持这些容器被塞住的保持特征。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有低氧气传输速率的药物和其他包装相关申请本申请要求提交于2015年8月18日的美国临时专利申请序列号62/206,637的优先权。序列号62/206,637的说明书和附图以及美国专利号7,985,188和美国序列号14/751,435(提交于2015年6月26日)的说明书和附图在此通过引用整体并入。所并入的专利和申请描述了通常可以用于进行本专利技术的设备、容器、前体、涂层或层以及方法(特别是涂覆方法和用于检查涂层或层的测试方法)，在一些情况下本文进行了修改。它们还描述了本文提及的SiOxCy衔接涂层或层和pH保护涂层或层以及SiOx阻隔涂层或层。
本专利技术涉及阻隔涂覆表面，例如用于储存流体或者说与流体接触的药物包装或其他容器的内部表面的
适合的流体的实例包括食物、营养补充剂、药品、吸入麻醉剂、诊断测试材料或生物活性化合物或体液，例如血液。本专利技术还涉及一种具有气体阻隔涂层和任选的用以保护该气体阻隔涂层的pH保护涂层的血液收集管或其他容器。本披露还涉及用于处理药物包装或其他容器，例如用于药物制剂储存和递送、静脉穿刺和其他医学样品收集(例如，抽真空的血液样品收集管)以及其他目的的多个相同药物包装或其他容器的改进方法。本披露还涉及所得的包装即药物包装或其他容器。此类药物包装或其他容器被大量使用，并且对于制造而言必须是相对经济的且还在储存和使用上高度可靠。
技术介绍
在制造用于储存流体或者说与流体接触的药物包装或其他容器(例如小瓶、预填充式注射器或样品收集管)中的一个重要考虑因素是：药物包装或其他容器的内容物将令人希望地具有可观的保质期。在这个保质期内，重要的是使容纳在药物包装或其他容器中的任何材料与容纳它的容器壁分离、或与施加至药物包装或其他容器壁上的阻隔层或其他功能层分离，以避免材料从药物包装或其他容器壁、阻隔层、或其他功能层提取进入预填充的内容物中，或反之亦然。一些公司已转向塑料药物包装或其他容器，它们提供比玻璃更大的尺寸公差和更少的破损，但是塑料在初级药物包装中的使用仍然受到限制，这是由于其相对高的气体(氧气)渗透速率：塑料允许小分子气体渗入(或渗出)制品。塑料对气体的渗透速率常数显著大于玻璃，并且在许多情况(正如对氧气敏感的药物诸如肾上腺素)下，出于这个原因塑料是不可接受的。通过在容器壁上添加阻隔涂层或层已经解决了热塑性容器的相对高渗透速率常数的问题。一种这样的阻隔层是非常薄的如下文所定义的SiOx涂层，其通过等离子体增强化学气相沉积施加到限定内腔的壁的内表面。但是，通过PECVD沉积在包装上的当前的SiOx阻隔层被容器的具有大于4的pH值(尤其是在更高的pH值下)的水性内容物腐蚀掉。由于其阻隔功效降低，这减少了容器的有用保质期。更具体地考虑抽真空的血液样品收集管，其在内腔抽真空的情况下出售。真空用于将血液从患者抽到管中，并且真空度决定其抽吸体积容量-在压力平衡和流动停止前，管可以抽吸多少血液。由聚合物热塑性材料制成的抽真空的血液样品收集管对于大气气体诸如空气或其组分气体诸如氧气和氮气是可渗透的，这随着时间的流逝而降低管内的真空度。如果真空下降过多，则抽取的血液将不足而不能满足样品管规格。通常的规格是，在其整个保质期内，抽真空的血液样品收集管必须保持相同种类的新抽真空的容器的抽吸体积容量的至少90％的抽吸体积容量。阻隔涂层或层可用于在其保质期内防止大气气体进入热塑性聚合物容器，并因此在期望的长保质期内提供满足该规格的管。许多这样的样品管还包含试剂，该试剂在制造时引入并且保留在内腔中，直到血液或另一样品被引入并与该试剂接触。试剂可以与容器壁和壁上的任何涂层接触与样品收集管的保质期一样长的时间。许多这样的水性试剂，例如常用于防止引入血液样品收集管中的血液凝固的缓冲柠檬酸钠试剂，如果与阻隔涂层或层直接接触，则可能损坏SiOx阻隔涂层或层。因此，已经发现，在阻隔保护涂层或层上施加pH保护涂层或层以防止阻隔涂层或层与内腔中的试剂或其他内容物之间的直接接触是有用的。
技术实现思路
本专利技术的一个方面是一种处理容器以施加衔接涂层或层(289)、阻隔涂层或层以及任选的一个或多个另外涂层或层的方法。为了实施该工艺，提供了一种容器，该容器包括基本上由限定内腔的热塑性聚合物材料组成的壁。壁具有面向内腔的内表面(303)，和外表面。在该工艺期间，在内腔中抽部分真空。在保持内腔中的部分真空不被破坏的同时，通过衔接PECVD涂覆工艺施加SiOxCy的衔接涂层或层。通过在进料适于形成涂层的气体的同时施加足够的功率以在内腔内产生等离子体来进行衔接PECVD涂覆工艺。气体进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂。x和y的值通过X射线光电子能谱法(XPS)确定。然后，在保持内腔中的部分真空不被破坏的同时，熄灭等离子体。结果在内表面上产生SiOxCy的衔接涂层或层，其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3。随后在该工艺期间，在保持内腔中的部分真空不被破坏的同时，通过阻隔PECVD涂覆工艺施加阻隔涂层或层。通过在进料气体的同时施加足够的功率以在内腔内产生等离子体来进行阻隔PECVD涂覆工艺。气体进料包括线性硅氧烷前体和氧气。结果在衔接涂层或层与内腔之间产生SiOx的阻隔涂层或层，其中x为从1.5至2.9，如通过XPS所确定。然后任选地，在保持内腔中的部分真空不被破坏的同时，熄灭等离子体。随后，作为另一选择，可以施加SiOxCy的pH保护涂层或层。同样在此式中，x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3，各自如通过XPS所确定。pH保护涂层或层通过pH保护PECVD涂覆工艺任选地施加在阻隔涂层或层与内腔之间。此工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的同时，施加足够的功率以在内腔内产生等离子体。作为该处理的结果，产生了，与通过除了在施加衔接涂层或层与施加阻隔涂层或层之间破坏内腔中的部分真空之外相同的工艺所制造的相应容器相比，具有更低的到内腔中的气体渗透速率常数的涂覆容器。本专利技术的另一方面是一种根据上述方法中的任一种制造的抽真空的血液收集管。本专利技术的另一方面是一种通过下文定义的工艺制造的涂覆容器，该容器包括壁、衔接涂层或层、阻隔涂层或层以及任选的pH保护涂层或层。壁基本上由限定内腔的热塑性聚合物材料组成。壁具有面向内腔的内部表面，和外部表面。在内部表面上的衔接涂层或层基本上由SiOxCy组成，其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3，各自如通过X射线光电子能谱法(XPS)所确定。在衔接涂层或层与内腔之间的阻隔涂层或层基本上由SiOx组成，其中x为从1.5至2.9，如通过XPS所确定。在阻隔涂层或层与内腔之间的任选的pH保护涂层或层基本上由SiOxCy组成，其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3，各自如通过XPS所确定。涂覆容器通过包括若干步骤的工艺形成。提供包括壁的容器。在内腔中抽部分真空。在保持内腔中的部分真空不被破坏的同时，通过衔接PECVD工艺施加SiOxCy的衔接涂层或层，该衔接PECVD工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的同时，施加足够的功率(可替代地，同一概念在本说明书中称为“能量”)以在内腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理容器的方法，该方法包括：a.提供包括基本上由限定内腔的热塑性聚合物材料组成的壁的容器，该壁具有面向该内腔的内部表面和外部表面；b.在该内腔中抽部分真空；c.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，通过衔接PECVD涂覆工艺施加SiOxCy的衔接涂层或层，该衔接PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的同时，施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体，从而在该内部表面上产生SiOxCy的衔接涂层或层，其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3，各自如通过X射线光电子能谱法(XPS)所确定；d.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，熄灭该等离子体；e.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，通过阻隔PECVD涂覆工艺施加阻隔涂层或层，该阻隔PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体和氧气的气体的同时，施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体，从而在该衔接涂层或层与该内腔之间产生SiOx的阻隔涂层或层，其中x为从1.5至2.9，如通过XPS所确定；f.任选地，在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，熄灭该等离子体；以及g.任选地，通过pH保护PECVD涂覆工艺在该阻隔涂层或层与该内腔之间施加SiOxCy的pH保护涂层或层，其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3，各自如通过XPS所确定，该pH保护PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的同时，施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体；从而形成，与通过除了在施加该衔接涂层或层与施加该阻隔涂层或层之间破坏该内腔中的该部分真空之外相同的工艺所制造的相应容器相比，具有更低的到该内腔中的气体渗透速率常数的涂覆容器。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.18 US 62/206,6371.一种处理容器的方法，该方法包括：a.提供包括基本上由限定内腔的热塑性聚合物材料组成的壁的容器，该壁具有面向该内腔的内部表面和外部表面；b.在该内腔中抽部分真空；c.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，通过衔接PECVD涂覆工艺施加SiOxCy的衔接涂层或层，该衔接PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的同时，施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体，从而在该内部表面上产生SiOxCy的衔接涂层或层，其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3，各自如通过X射线光电子能谱法(XPS)所确定；d.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，熄灭该等离子体；e.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，通过阻隔PECVD涂覆工艺施加阻隔涂层或层，该阻隔PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体和氧气的气体的同时，施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体，从而在该衔接涂层或层与该内腔之间产生SiOx的阻隔涂层或层，其中x为从1.5至2.9，如通过XPS所确定；f.任选地，在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，熄灭该等离子体；以及g.任选地，通过pH保护PECVD涂覆工艺在该阻隔涂层或层与该内腔之间施加SiOxCy的pH保护涂层或层，其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3，各自如通过XPS所确定，该pH保护PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的同时，施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体；从而形成，与通过除了在施加该衔接涂层或层与施加该阻隔涂层或层之间破坏该内腔中的该部分真空之外相同的工艺所制造的相应容器相比，具有更低的到该内腔中的气体渗透速率常数的涂覆容器。2.如任一前述权利要求所述的方法，其中进行所述步骤f。3.如任一前述权利要求所述的方法，其中进行所述步骤g。4.如任一前述权利要求所述的方法，其中通过施加脉冲功率在该内腔内产生等离子体来进行所述步骤c。5.如任一前述权利要求所述的方法，其中通过施加脉冲功率在该内腔内产生等离子体来进行所述步骤e。6.如任一前述权利要求所述的方法，其中通过施加脉冲功率在该内腔内产生等离子体来进行所述步骤g。7.如任一前述权利要求所述的方法，通过进一步包括以下方面的工艺形成：在所述步骤d与e之间，停止该包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的进料。8.如任一前述权利要求所述的方法，通过进一步包括以下方面的工艺形成：在所述步骤f与g之间，停止该包括线性硅氧烷前体和氧气的气体的进料。9.如任一前述权利要求所述的方法，进一步包括在该内腔中提供流体组合物的后续步骤。10.如权利要求9所述的方法，其中该流体组合物包含抗凝血试剂，例如柠檬酸钠缓冲溶液。11.如任一前述权利要求所述的方法，其中在每个涂覆工艺中使用相同的线性硅氧烷前体。12.如任一前述权利要求所述的方法，其中各线性硅氧烷前体是HMDSO或TMDSO、优选HMDSO。13.如任一前述权利要求所述的方法，其中该壁包含聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)；聚烯烃、环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)、聚丙烯(PP)或聚碳酸酯，优选COP。14.如任一前述权利要求所述的方法，其中该容器内腔具有从2至12mL、任选地从3至5mL、任选地从8至10mL的容量。15.如权利要求14所述的方法，其中被提供以在该内腔内产生用于施加该阻隔涂层或层的等离子体的该功率在1-Up涂覆机中为从30至80瓦、任选地从40至80瓦、任选地从50至80瓦、任选地从55至65瓦，或任选地在4-Up涂覆机中为从175至200瓦、任选地从180至190瓦。16.如前述权利要求14或15中任一项所述的方法，其中为施加该阻隔涂层或层而产生的该等离子体施加持续12至20秒、任选地持续15至20秒。17.如前述权利要求14-16中任一项所述的方法，其中使用从0.5至2sccm、任选地0.7至1.3sccm的任选地HMDSO的硅氧烷前体进料速率施加该阻隔涂层或层。18.如前述权利要求14-17中任一项所述的方法，其中使用从0.5至3.5托、任选地从1至2.5托的部件压力施加该阻隔涂层或层。19.如前述权利要求14-18中任一项所述的方法，其中该涂覆容器具有从0.002至0.1、任选地从0.01至0.1、任选地从0.14至0.05、任选地从0.002至0.02、任选地从0...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·威尔斯，A·塔哈，C·维卡特，
申请(专利权)人：SIO二医药产品公司，
类型：发明
国别省市：美国,US