等离子体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体装置，在对工件进行等离子体处理的等离子体装置中，抑制处理对象物的变形。等离子体装置具备容器，该容器具有相向配置的第一模及第二模，将工件密封在关闭的第一模及第二模的内部。工件具有：处理对象物，具有处理对象部分和处理对象部分的外周的非处理对象部分；及掩模部件，覆盖非处理对象部分。第一模具有：相向平面部，与工件的外周表面相向配置；第一凹陷部，与处理对象部分相向配置并产生等离子体；及第二凹陷部，在相向平面部与第一凹陷部之间与非处理对象部分相向配置并产生等离子体。第二凹陷部的深度设定为与第一凹陷部的深度不同的值。

【技术实现步骤摘要】
等离子体装置
本专利技术涉及等离子体装置。
技术介绍
已知有通过等离子体CVD法在基板上进行成膜的装置。日本特开2009-62579号公报记载了以下那样的成膜装置。该成膜装置利用成膜室的上部的壁和下部的壁将基板夹入，向成膜室填充成膜气体，产生从配置在成膜室的内部的基板的下侧的高频电极朝向配置在基板的上侧的接地电极的等离子体，由此进行成膜。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题当在基板的成膜对象部分的外周设置不应成膜的部分(以下也称为“非成膜对象部分”)的情况下，多以覆盖该非成膜对象部分的方式配置掩模部件。例如，在将基板夹入的成膜室的上部的壁与下部的壁之间的部分(非成膜对象部分)，抑制等离子体的侵入，抑制从等离子体接收的热量引起的温度上升。因此，非成膜对象部分与成膜对象部分的温度差变大。其结果是，以成膜时的非成膜对象部分与成膜对象部分的温度差为起因，处理对象物发生变形，即使在处理后有时处理对象物也会残留变形。需要说明的是，该问题不仅在通过等离子体进行成膜的情况下，在通过等离子体进行蚀刻的情况下也同样。因此，在进行成膜或蚀刻的等离子体处理的等离子体装置中，希望能够抑制由于处理对象物的处理对象部分与非处理对象部分的温度差而产生的处理对象物的变形的技术。用于解决课题的方法本专利技术为了解决上述的课题而作出，可以作为以下的方式来实现。(1)根据本专利技术的一方式，提供一种对工件进行等离子体处理的等离子体装置。该等离子体装置具备容器，该容器具有相向配置的第一模及第二模，在由所述第一模及所述第二模形成的密闭空间的内部配置所述工件。所述工件具有：处理对象物，具有处理对象部分和沿与处理对象物垂直的方向观察时位于比所述处理对象部分的一部分靠所述处理对象物的外周侧的非处理对象部分；及掩模部件，覆盖所述非处理对象部分。所述第一模具有：第一凹陷部，与所述处理对象部分相向配置并产生等离子体；第二凹陷部，与覆盖所述非处理对象部分的所述掩模部件的至少一部分相向配置并产生等离子体；及相向平面部，以包围所述第一凹陷部及所述第二凹陷部的方式配置，配置在比所述第一凹陷部及所述第二凹陷部接近所述第二模的位置。所述第二凹陷部的深度设定为与所述第一凹陷部的深度不同的值。根据该方式的等离子体装置，通过在第二凹陷部产生的等离子体能够使非处理对象部分的温度上升，能够抑制处理对象部分的温度与非处理对象部分的温度的温度差，因此能够抑制处理对象物的变形。(2)在上述方式的等离子体装置中，可以是，所述第二凹陷部的深度设定得小于所述第一凹陷部的深度。根据该方式的等离子体装置，能够抑制将工件密封的空间的大小的增大，同时通过在第二凹陷部产生的等离子体使非处理部分的温度上升。(3)在上述方式的等离子体装置中，可以是，所述第一模还具有将所述第一凹陷部与所述第二凹陷部分隔的分隔壁，在所述分隔壁与所述掩模部件之间形成有间隙，所述间隙比所述第二凹陷部的底面与所述掩模部件之间的间隔小。在该方式的等离子体装置中，第一凹陷部内的物质经由间隙而流入第二凹陷部内，因此在第二凹陷部内也产生等离子体。其结果是，在第二凹陷部能够使非处理部分的温度上升，能够抑制处理对象部分的温度与非处理对象部分的温度的温度差。因此，能够抑制处理对象物的变形。(4)在上述方式的等离子体装置中，可以是，所述第一模具有构成所述第二凹陷部的底面的能够移动的底面部件，所述等离子体装置具有通过变更所述第二凹陷部的底面的位置来调整所述第二凹陷部的深度的深度调整部。根据该方式的等离子体装置，通过调整第二凹陷部的深度，能够使非处理对象部分的温度上升而使处理对象部分与非处理对象部分的温度差成为适当的值，同时适当地设定由第一模和第二模形成的密闭空间的大小。(5)在上述方式的等离子体装置中，可以是，所述第一模还具有构成所述第一凹陷部的底面的能够移动的底面部件，所述深度调整部通过变更所述第一凹陷部的底面的位置来调整所述第一凹陷部的深度。根据该方式的等离子体装置，通过独立地调整第一凹陷部及第二凹陷部的深度，能够将处理对象部分与非处理对象部分的温度差调整得小。而且，能够根据处理对象部分的等离子体处理所需的等离子体量来调整第一凹陷部及第二凹陷部的深度。(6)在上述方式的等离子体装置中，可以是，还具有：第一辐射温度计，计测所述处理对象部分的温度；及第二辐射温度计，计测与所述非处理对象部分对应的所述掩模部件的部分的温度，所述深度调整部以使由所述第一辐射温度计计测的所述处理对象部分的温度与由所述第二辐射温度计计测的所述非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式执行所述调整。根据该方式的等离子体装置，能够可靠地使处理对象部分的温度与非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内。(7)在上述方式的等离子体装置中，可以是，还具备：第一施加电极，配置在所述第一凹陷部内；第二施加电极，配置在所述第二凹陷部内；及高频电力施加部，向所述第一施加电极及所述第二施加电极分别独立地施加高频电力。根据该方式的等离子体装置，向第二施加电极施加高频电力而使非处理对象部分的温度上升，由此能够减小处理对象部分与非处理对象部分的温度差。(8)在上述方式的等离子体装置中，可以是，还具有：第一辐射温度计，计测所述处理对象部分的温度；及第二辐射温度计，计测与所述非处理对象部分对应的所述掩模部件的部分的温度，所述高频电力施加部以使由所述第一辐射温度计计测的所述处理对象部分的温度与由所述第二辐射温度计计测的所述非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内的方式至少调整向所述第二施加电极施加的高频电力。根据该方式的等离子体装置，能够可靠地使处理对象部分的温度与非处理对象部分的温度的温度差收敛于预先确定的容许温度差以内。本专利技术也可以通过上述的等离子体装置以外的各种方式实现。例如，可以通过进行等离子体处理的方法、等离子体装置的控制方法及控制装置、用于实现这些装置或方法的功能的计算机程序、记录有该计算机程序的记录介质等方式实现。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的等离子体装置的结构的概略剖视图。图2是等离子体装置的分解立体图。图3是等离子体装置的局部放大图。图4是表示等离子体装置的等离子体处理方法的一例的工序图。图5是局部性地表示第二实施方式的等离子体装置的结构的局部概略剖视图。图6是表示第三实施方式的等离子体装置的图。图7是表示第四实施方式的等离子体装置的图。图8是局部性地表示第五实施方式的等离子体装置的结构的局部概略剖视图。图9是表示第六实施方式的等离子体装置的图。图10是表示第七实施方式的等离子体装置的图。图11是局部性地表示第八实施方式的等离子体装置的结构的局部概略剖视图。附图标记说明10…处理对象物10A…处理对象部分10B…非处理对象部分20、20a、20c…掩模部件21、21a…上侧掩模部件22、22a、22b、22c…下侧掩模部件23a、24a…倾斜面30、30b、30c…绝缘部件35…绝缘部件43A、44A…第一辐射温度计43B、44B…第二辐射温度计50…开闭装置52…深度调整部55…传送装置61、62、65、66…密封部件70…电力施加部70r…高频电力施加部71、71rA、71rB、72rA、72rB…电力导入部75A…上侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体装置，对工件进行等离子体处理，所述等离子体装置具备容器，该容器具有相向配置的第一模及第二模，在由所述第一模及所述第二模形成的密闭空间的内部配置所述工件，所述工件具有：处理对象物，具有处理对象部分和沿与处理对象物垂直的方向观察时位于比所述处理对象部分的一部分靠所述处理对象物的外周侧的非处理对象部分；及掩模部件，覆盖所述非处理对象部分，所述第一模具有：第一凹陷部，与所述处理对象部分相向配置并产生等离子体；第二凹陷部，与覆盖所述非处理对象部分的所述掩模部件的至少一部分相向配置并产生等离子体；及相向平面部，以包围所述第一凹陷部及所述第二凹陷部的方式配置，并配置在比所述第一凹陷部及所述第二凹陷部接近所述第二模的位置，所述第二凹陷部的深度设定为与所述第一凹陷部的深度不同的值。

【技术特征摘要】
2016.12.15 JP 2016-2433711.一种等离子体装置，对工件进行等离子体处理，所述等离子体装置具备容器，该容器具有相向配置的第一模及第二模，在由所述第一模及所述第二模形成的密闭空间的内部配置所述工件，所述工件具有：处理对象物，具有处理对象部分和沿与处理对象物垂直的方向观察时位于比所述处理对象部分的一部分靠所述处理对象物的外周侧的非处理对象部分；及掩模部件，覆盖所述非处理对象部分，所述第一模具有：第一凹陷部，与所述处理对象部分相向配置并产生等离子体；第二凹陷部，与覆盖所述非处理对象部分的所述掩模部件的至少一部分相向配置并产生等离子体；及相向平面部，以包围所述第一凹陷部及所述第二凹陷部的方式配置，并配置在比所述第一凹陷部及所述第二凹陷部接近所述第二模的位置，所述第二凹陷部的深度设定为与所述第一凹陷部的深度不同的值。2.根据权利要求1所述的等离子体装置，其中，所述第二凹陷部的深度设定得小于所述第一凹陷部的深度。3.根据权利要求1或2所述的等离子体装置，其中，所述第一模还具有将所述第一凹陷部与所述第二凹陷部分隔的分隔壁，在所述分隔壁与所述掩模部件之间形成有间隙，所述间隙比所述第二凹陷部的底面与所述掩模部件之间的间隔小。4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体装置，其中，所述第一模具有构成所述第二凹陷部的底面的能够移动的底面部件，所述等离子体装置具有通过变更所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马场哲治，加藤典之，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP