半导体器件的形成方法技术

一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成HfO2薄膜与第一压应力薄膜的堆叠层；采用第一退火工艺对所述半导体衬底以及所述堆叠层进行退火。本发明专利技术方案可以有助于降低HfO2薄膜在承受高应力时发生剥落现象的可能性，从而提高半导体器件的品质。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
在现有的半导体制造工艺中，二氧化铪(HfO2)作为一种新兴陶瓷材料，且具有宽带隙和高介电常数(High-K)的特性，其应用获得了广泛关注。具体地，为了解决传统工艺中SiO2/Si结构发展的尺寸极限问题，HfO2可以在集成电路的核心器件中用于形成栅氧化层(GateOxide)，例如用于金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)器件、CMOS图像传感器(CMOSImageSensors，CIS)器件以及FINFET器件等。然而，在现有技术中，在承受高应力时，HfO2薄膜容易出现剥落(Peeling)问题，导致半导体器件的品质受到影响。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体器件的形成方法，可以有助于降低HfO2薄膜在承受高应力时发生剥落现象的可能性，从而提高半导体器件的品质。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成HfO2薄膜与第一压应力薄膜的堆叠层；采用第一退火工艺对所述半导体衬底以及所述堆叠层进行退火本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成HfO2薄膜与第一压应力薄膜的堆叠层；采用第一退火工艺对所述半导体衬底以及所述堆叠层进行退火。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成HfO2薄膜与第一压应力薄膜的堆叠层；采用第一退火工艺对所述半导体衬底以及所述堆叠层进行退火。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述堆叠层中，所述第一压应力薄膜堆叠于所述HfO2薄膜上，或者所述HfO2薄膜堆叠于所述第一压应力薄膜上。3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一退火工艺的退火温度为150摄氏度至420摄氏度。4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述HfO2薄膜用于形成栅氧化层。5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成张应力层和/或压应力层，所述张应力层和/或压应力层覆盖所述堆叠层；采用第二退火工艺对所述半导体衬底进行退火。6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪旭东，郭裕东，林宗德，黄仁德，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32