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一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成HfO2薄膜与第一压应力薄膜的堆叠层；采用第一退火工艺对所述半导体衬底以及所述堆叠层进行退火。本发明方案可以有助于降低HfO2薄膜在承受高应力时发生剥落现象的...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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