半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置和半导体装置的制造方法。该半导体装置(10)具有：衬底(1)；布线(6)，其设置在衬底(1)上；由氮化钛构成的反射防止膜(7)，其设置在布线(6)上；以及氧化硅膜(3)，其设置在反射防止膜(7)上，在形成于氧化硅膜(3)的第一开口部(91)以及形成于反射防止膜(7)的第二开口部(92)在俯视观察时重叠的位置处形成有使布线(6)露出而成的焊盘部(8)，在反射防止膜(7)上的与氧化硅膜(3)的对置面和反射防止膜(7)的在第二开口部(92)露出的露出面中的一方或者双方的至少一部分处形成有由与反射防止膜(7)中相比悬挂键较少的金属氮化物构成的悬挂键较少的金属氮化物区域(7a)。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，作为半导体装置，具有设置于衬底上的由铝或者铝合金构成的布线、设置于布线上的由氮化钛构成的反射防止膜、设置于反射防止膜上的氧化硅膜、以及设置于氧化硅膜上的氮化硅膜，在形成于氮化硅膜的开口部、形成于氧化硅膜的开口部以及形成于反射防止膜的开口部在俯视观察时重叠的位置处形成有使布线露出而成的焊盘部。在这样的半导体装置中，有时由于高温高湿度环境下的伴随着偏压施加的长期可靠性试验(THB)，而导致形成包围开口部的反射防止膜的氮化钛腐蚀。为了解决该问题，提出了如下的半导体装置：形成反射防止膜的氮化钛不会在开口部内露出。例如，在专利文献1中提出了半导体装置，该半导体装置具有：第一表面保护膜，其在焊盘上形成有第一开口部；以及形成于焊盘和第一表面保护膜上的第二表面保护膜，其在焊盘上形成有第二开口部，焊盘具有第一导体膜以及形成于第一导体膜上的反射防止膜，在第一开口部的内部区域中内含有第二开口部，在第一开口部的内部区域中去除反射防止膜。专利文献1：日本特许第5443827号然而，在专利文献1所示的方法中，为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：衬底；布线，其设置在所述衬底上；由氮化钛构成的反射防止膜，其设置在所述布线上；以及氧化硅膜，其设置在所述反射防止膜上，在形成于所述氧化硅膜的第一开口部以及形成于所述反射防止膜的第二开口部在俯视观察时重叠的位置处形成有使所述布线露出而成的焊盘部，在所述反射防止膜上的与所述氧化硅膜的对置面和所述反射防止膜的在所述第二开口部露出的露出面中的一方或者双方的至少一部分处形成有与所述反射防止膜中相比悬挂键较少的金属氮化物区域。

【技术特征摘要】
2017.03.14 JP 2017-0488021.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：衬底；布线，其设置在所述衬底上；由氮化钛构成的反射防止膜，其设置在所述布线上；以及氧化硅膜，其设置在所述反射防止膜上，在形成于所述氧化硅膜的第一开口部以及形成于所述反射防止膜的第二开口部在俯视观察时重叠的位置处形成有使所述布线露出而成的焊盘部，在所述反射防止膜上的与所述氧化硅膜的对置面和所述反射防止膜的在所述第二开口部露出的露出面中的一方或者双方的至少一部分处形成有与所述反射防止膜中相比悬挂键较少的金属氮化物区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述对置面形成有所述悬挂键较少的金属氮化物区域。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述悬挂键较少的金属氮化物区域由氮化钛、氮化钽、氮化钼、氮化钨中的任意氮化物形成。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述氧化硅膜上设置有由氮化硅膜构成的保护膜，在形成于所述保护膜的第三开口部、所述第一开口部以及所述第二开口部在俯视观察时重叠的位置处形成有所述焊盘部。5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法具有如下的工序：布线工序，在衬底上形成布线；反射防止膜形成工序，在所述布线上，通过使用了氩气和氮气的反应性溅射法来形成由氮化钛构成的反射防止膜；在所述反射防止膜上，通过与所述反射防止膜的形成时相比增加了氮气相对于氩气的比例的反应性溅射法，来形成与所述反射防止膜中相比悬挂键较少的金属氮化物膜的工序；氧化膜形成工序，在所述悬挂键较少的金属氮化物膜上形成氧化硅膜；以及开口部形成工序，贯穿所述氧化硅膜、所述悬挂键较少的金属氮化物膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤伸二郎，秋野胜，
申请(专利权)人：艾普凌科有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP