电子装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种电子装置，其目的在于提高电子装置的性能。电子装置(EDV1)的布线衬底(10)具备连接有半导体装置(半导体零件)(20)的衬底端子(12A)、形成于第一布线层且与衬底端子(12A)电连接的布线(11A)、形成于第二布线层且经由通路布线(VWA)与布线(11A)电连接的导体图案(MPc)、形成于第三布线层且被供给第一固定电位的导体图案(MPg)。导体图案(MPc)和导体图案(MPg)隔着绝缘层相互对置，导体图案(MPc)和导体图案MPg相互对置的区域的面积比布线(11A)的面积大。

【技术实现步骤摘要】
电子装置
本技术涉及电子装置(半导体模块)，例如，涉及应用于在布线衬底上搭载有半导体零件的电子装置而有效的技术。
技术介绍
日本特开2005－183790(专利文献1)、日本特开2005－294528(专利文献2)中记载有，将接地图案和布线图案隔着绝缘层层叠，利用接地图案的布局来降低高频噪声。另外，日本特开2009－21747(专利文献3)中记载有，由与共面线路连接的多个开路短截线、和设置于输入端侧的电容器构成具备阻抗匹配电路的带通滤波器。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005－183790专利文献2：日本特开2005－294528专利文献3：日本特开2009－21747
技术实现思路
半导体装置被用于各种用途，从使半导体装置稳定地动作的观点出发，需要降低对半导体装置的动作带来影响的噪声的技术。作为降低对半导体装置的动作带来影响的噪声的方法，考虑在搭载半导体装置的布线衬底上搭载电容器等噪声对策零件的方法，但已知从高效地降低噪声的观点出发，还有改善的余地。其它课题和新的特征根据本说明书的记述及附图变明朗。一实施方式的电子装置的布线衬底具备：连接半导体零件的第一衬底端子、形成于第一布线层且与所述第一衬底端子电连接的第一布线、形成于与所述第一布线层不同的第二布线层且经由第一通路布线与所述第一布线电连接的第一导体图案、形成于与所述第一布线层及所述第二布线层不同的第三布线层且供给第一固定电位的第二导体图案。所述第一导体图案和所述第二导体图案经由绝缘层相互对置，所述第一导体图案和所述第二导体图案相互对置的区域的面积比所述第一布线的面积大。技术效果根据所述一实施方式，能够提高电子装置的性能。附图说明图1是表示一实施方式的电子装置的结构例的放大俯视图。图2是将图1所示的传感器和放大电路电连接的路径的等效电路图。图3是沿着图1所示的A－A线的放大剖视图。图4是提取图1所示的与传感器连接的布线、衬底端子及与该布线连接的导体图案而示出的重合俯视图。图5是表示相对于图4的变形例的重合俯视图。图6是相对于图3的变形例的电子装置的放大剖视图。图7是表示在图6所示的电子装置中相对于图4的变形例的重合俯视图。图8是表示相对于图4的其它变形例的重合俯视图。图9是表示相对于图1的变形例的电子装置的结构例的放大俯视图。图10是将图9所示的放大电路和模拟转换电路电连接的路径的等效电路图。图11是表示实施了功率类半导体零件的EMI对策的电子装置的结构例的放大俯视图。图12是将图11所示的具备放大电路的半导体零件、和向上述半导体零件供电的功率半导体零件电连接的路径的等效电路图。图13是沿着图11所示的A－A线的放大剖视图。图14是表示具有连接器、和与连接器连接的半导体零件的电子装置的结构例的放大俯视图。图15是沿着图14所示的A－A线的放大剖视图。图16是搭载于图14的相反侧的下表面的电容器外围的放大俯视图。图17是沿着图16的A－A线的放大剖视图。图18是图14所示的电子装置的等效电路图。图19是表示在发送电路和接收电路之间连接有带通滤波器的电子装置的结构例的放大俯视图。图20是图19所示的电子装置的等效电路图。图21是沿着图19所示的A－A线的放大剖视图。图22是表示在发送电路和接收电路之间连接有高通滤波器的电子装置的结构例的放大俯视图。图23是图22所示的电子装置的等效电路图。图24是沿着图22所示的A－A线的放大剖视图。图25是表示使用图1～图24说明的电容器的变形例的放大剖视图。附图标记说明10、10A布线衬底10b下表面(面、主面、背面)10t上表面(面、主面、表面)11、11A、11B、11D、11G、11L、11P、11R、11T、11T1、11T2、11W1、11W2布线11BP电阻连接部11L1、11L2、11L3、11L4、11L5、11L6、11L7、11L8、11L9、11L10、11L11延伸部11VP、11VP1、11VP2、VP3通路接合部12、12A、12B、12N、12P、12T、13、13A、13H、13L、13R1、13R2、15、15T、16、16P、17、17D、17G、18、18D、18G、19、19D、19G、111R、211T衬底端子(接合引线、接合指、焊盘、焊区)14、14A、14B、14C绝缘层20、50、60、70、100、200半导体装置(半导体零件、电子零件)21半导体芯片22、22A、22B、22N、22P、22T、51T、61、61P、71、71D、71G、81、81D、81G、101R、201T端子(引线)30传感器(电子零件)30E1、30E2电极40电阻零件(电子零件)40E1、40E2、40E3、40E4、40E5、40E6电极72电路80连接器(电子零件)90电容器(电容器零件、片状电容器)91、91D、91G电极92主体部93绝缘层(电介质层)94导体板102接收电路202发送电路AC1、AC2、AC3、AC4、AC5、AC6电容器ADC1AD转换电路(模拟数字转换电路、AD转换器)AL1、AL2、AL3、AL4、AL5、AL6电感器AR1、AR2、AR3、AR4、AR5、AR6电阻EDV1、EDV2、EDV3、EDV4、EDV5、EDV6、EDV7、EDV8、EDV9、EDV10电子装置INV逆变器(电力转换电路)LE1长度MP1、MP2、MPc、MPc1、MPc2、MPg、MPG、MPG1、MPG2、MPr、MPt导体图案MPh开口部(贯穿孔)MPs1、MPs2长边(边)MPs3、MPs4、MPs5短边(边)MPs6边MWD2通路布线NF1、NF2、NF3、NF4噪声滤波器(低通滤波器)NF5噪声滤波器(带通滤波器)NF6噪声滤波器(高通滤波器)OP1放大电路(运算放大器)OWR区域PS外部电源R1、R2电阻元件SD焊锡VW、VW1、VW2、VWA、VWB、VWD、VWD1、VWD2、VWG、VWH、VWL、VWLG、VWP、VWR、VWT通路布线(层间导电电路)W1、W2宽度WL1、WL2、WL3、WL4、WL5、WL6、WL7布线层具体实施方式(本申请的记载形式、基本术语、用法的说明)在本申请中，关于实施方式的记载，根据需要，为了便于说明而分为多个部分等进行记载，但除了特别明示不是这样的情况以外，这些部分不是相互之间独立分开的，与记载的前后位置无关地，单一的例子的各部分中一方是另一方的部分详细说明或一部分或全部的变形例等。另外，作为原则，同样的部分省略重复说明。另外，关于实施方式中的各结构要素，除了特别明示不是这样的情况、理论上不限定于该数量的情况及从文脉来看明确不是这样的情况除外，则不是必须的。同样地在实施方式等的记载，关于材料、组成等，即使提到“由A构成的X”等，除了特别明示并非如此的情况及从文脉来看明确不是这样的情况以外，不排除包含A以外的要素。例如，就成分而言，是表示“作为主要成分而含有A的X”等的意思。例如，即使提到“硅部件”等，也不限定于纯硅，当然包含SiGe(硅锗)合金或其他以硅为主要成分的多元合金、包含其他添加物等的材料。另外，即使提到镀金、Cu层、镀镍等，除了表示不是这样、特别明示不是这样的情况以外，不仅包含纯镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于，具有：半导体零件，其具备被输入第一信号或输出第一信号的第一端子；以及布线衬底，其搭载有所述半导体零件，所述布线衬底具备：第一衬底端子，其连接有所述第一端子；第一布线，其形成于第一布线层，并与所述第一衬底端子电连接；第一导体图案，其形成于与所述第一布线层不同的第二布线层，经由第一通路布线与所述第一布线电连接；以及第二导体图案，其形成于与所述第一布线层及所述第二布线层不同的第三布线层，被供给有第一固定电位，所述第一导体图案与所述第二导体图案隔着绝缘层相互对置，所述第一导体图案与所述第二导体图案相互对置的区域的面积比所述第一布线的面积大。

【技术特征摘要】
2017.03.10 JP 2017-0460381.一种电子装置，其特征在于，具有：半导体零件，其具备被输入第一信号或输出第一信号的第一端子；以及布线衬底，其搭载有所述半导体零件，所述布线衬底具备：第一衬底端子，其连接有所述第一端子；第一布线，其形成于第一布线层，并与所述第一衬底端子电连接；第一导体图案，其形成于与所述第一布线层不同的第二布线层，经由第一通路布线与所述第一布线电连接；以及第二导体图案，其形成于与所述第一布线层及所述第二布线层不同的第三布线层，被供给有第一固定电位，所述第一导体图案与所述第二导体图案隔着绝缘层相互对置，所述第一导体图案与所述第二导体图案相互对置的区域的面积比所述第一布线的面积大。2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述布线衬底的厚度方向上，所述第三布线层位于所述第二布线层与所述第一布线层之间。3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述半导体零件具备供与所述第一信号不同的电流流过的第二端子，所述布线衬底具备第二衬底端子，该第二衬底端子与所述第一端子形成在同层上，并连接有所述第二端子，俯视时，所述第一导体图案与所述第二衬底端子重叠。4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，俯视时，所述第一布线与所述第二导体图案隔着绝缘层相互对置。5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一布线具有沿着第一方向延伸的第一延伸部、和与所述第一通路布线连接的第一通路接合部，俯视时，所述第一导体图案与所述第一布线的所述第一延伸部重叠。6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一信号是经由所述第一端子被输入至所述半导体零件的第一电路的输入信号，所述第一布线具有沿着第一方向延伸的第一延伸部、和与所述第一通路布线连接的第一通路接合部，俯视时，所述第一通路接合部位于所述第一延伸部与所述第一衬底端子之间，俯视时，所述第一衬底端子与所述第一通路接合部的间隔距离比所述第一延伸部的延伸距离短。7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述布线衬底上搭载有与所述第一布线连接的电子零件，所述第一信号是从所述电子零件输出且经由所述第一端子被输入至所述半导体零件的第一电路的信号，所述第一布线具有沿着第一方向延伸的第一延伸部、和与所述第一通路布线连接的第一通路接合部，俯视时，所述第一通路接合部位于所述第一延伸部与所述第一衬底端子之间，俯视时，所述电子零件与所述第一通路接合部的间隔距离比所述第一衬底端子与所述第一通路接合部的间隔距离长。8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一信号是经由所述第一端子从所述半导体零件的第一电路输出的输出信号，所述第一布线具有沿着第一方向延伸的第一延伸部、和与所述第一通路布线连接的第一通路接合部，俯视时，所述第一延伸部位于所述第一通路接合部与所述第一衬底端子之间。9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述布线衬底上搭载有与所述第一布线连接的电子零件，所述第一信号是经由所述第一端子从所述半导体零件的第一电路输出且被输入至所述电子零件的信号，所述第一布线具有沿着第一方向延伸的第一延伸部、和与所述第一通路布线连接的第一通路接合部，俯视时，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：佃龙明，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：新型
国别省市：日本,JP