The invention relates to the field of semiconductor technology, in particular to an etching method for contact holes and a composite wafer, which comprises a metal layer, an etching barrier layer and a dielectric layer stacked sequentially from bottom to top. The dielectric layer exposed by the etching pattern is etched by an etching process to reduce the exposed dielectric layer to a preset thickness; the etching pattern is widened to expose the upper surface of more dielectric layers; and the etching pattern is repeated for several times until the dielectric layer is penetrated and a step junction is formed in the dielectric layer. After penetrating the dielectric layer, the dielectric layer is used as a mask to etch through the barrier layer, forming a contact hole with a step structure connecting the metal layer, and forming a step structure with an outward expansion from top to bottom, thereby avoiding the residue of corrosive substances and ensuring the performance of semiconductor devices.
【技术实现步骤摘要】
一种接触孔的刻蚀方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种接触孔的刻蚀方法。
技术介绍
现有的半导体工艺中,例如32nm的闪存制备工艺中,制备接触孔采用的方法是,在晶圆表面形成光刻胶,通过曝光显影后形成具有刻蚀图案的光阻,然后采用一次刻蚀在晶圆表面形成接触孔。但是,这样形成的接触孔会存在严重的缺陷。由于采用的是一次刻蚀的工艺,很容易在各个结构的角落残留各个步骤中采用的刻蚀反应物和生成物,而这些物质的产生往往带有一定的腐蚀性,例如带有弱碱性,这样会对金属层的表面形成腐蚀,从而影响半导体器件的性能。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提出了一种接触孔的刻蚀方法,应用于一复合晶圆,所述复合晶圆包括由下至上依次堆叠的金属层、刻蚀阻挡层和介电层;其中,所述刻蚀方法包括:步骤S1,于所述介电层的上表面制备具有刻蚀图案的光阻层;步骤S2,采用一刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀图案暴露出的所述介电层,以将暴露出的所述介电层减薄一预设厚度;步骤S3,拓宽所述刻蚀图案以暴露出更多所述介电层的上表面;步骤S4,重复所述步骤S2和所述步骤S3若干次,直至穿透所述介电层并于所述介电层中形成阶梯结构;步骤S5,于穿透所述介电层后,以所述介电层为掩膜刻蚀穿透所述刻蚀阻挡层,形成连接所述金属层的具有所述阶梯结构的接触孔。上述的刻蚀方法,其中,所述光阻层为有机材料。上述的刻蚀方法,其中,所述步骤S3中,具体采用在氧气环境下燃烧所述光阻层的方法拓宽所述刻蚀图案上述的刻蚀方法,其中,所述步骤S3在一刻蚀机台的腔体中完成。上述的刻蚀方法,其中,在燃烧所述光阻层的过程中,所述刻蚀机台向所述腔体中不断通入 ...
【技术保护点】
1.一种接触孔的刻蚀方法,应用于一复合晶圆,所述复合晶圆包括由下至上依次堆叠的金属层、刻蚀阻挡层和介电层;其特征在于,所述刻蚀方法包括:步骤S1,于所述介电层的上表面制备具有刻蚀图案的光阻层;步骤S2,采用一刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀图案暴露出的所述介电层,以将暴露出的所述介电层减薄一预设厚度;步骤S3,拓宽所述刻蚀图案以暴露出更多所述介电层的上表面;步骤S4,重复所述步骤S2和所述步骤S3若干次,直至穿透所述介电层并于所述介电层中形成阶梯结构;步骤S5,于穿透所述介电层后,以所述介电层为掩膜刻蚀穿透所述刻蚀阻挡层,形成连接所述金属层的具有所述阶梯结构的接触孔。
【技术特征摘要】
1.一种接触孔的刻蚀方法,应用于一复合晶圆,所述复合晶圆包括由下至上依次堆叠的金属层、刻蚀阻挡层和介电层;其特征在于,所述刻蚀方法包括:步骤S1,于所述介电层的上表面制备具有刻蚀图案的光阻层;步骤S2,采用一刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀图案暴露出的所述介电层,以将暴露出的所述介电层减薄一预设厚度;步骤S3,拓宽所述刻蚀图案以暴露出更多所述介电层的上表面;步骤S4,重复所述步骤S2和所述步骤S3若干次,直至穿透所述介电层并于所述介电层中形成阶梯结构;步骤S5,于穿透所述介电层后,以所述介电层为掩膜刻蚀穿透所述刻蚀阻挡层,形成连接所述金属层的具有所述阶梯结构的接触孔。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法,其特征在于,所述光阻层为有机材料。3.根据权利要求2所述的刻蚀方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:孟凡顺,谢岩,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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