The invention provides a method for improving the residue on the aluminum pad, which is applied to the preparation process of the aluminum pad for CMOS image sensor. The method is characterized in that the semiconductor substrate is provided with a half conductor substrate and the following steps are carried out on the semiconductor substrate: depositing an oxide layer on the surface of the semiconductor substrate; forming a groove junction at the first predetermined position in the oxide layer; A contact hole is formed at the bottom of the groove structure, an etching barrier layer is covered above the oxide layer, and an etching barrier layer is filled in the contact hole, an aluminum metal layer is formed on the surface of the etching barrier layer, and a barrier layer and a first photoresist layer are successively formed on the surface of the aluminum metal layer, and the first photoresist layer is patterned and the second is predetermined. The first process window is opened at the position; the first photoresist layer is used as a mask to etch the barrier layer, the aluminum metal layer and the etching barrier layer to form an aluminum pad; the beneficial effect is to avoid the direct contact between the developer and the metal layer through a barrier layer and avoid the formation of annular crater defects.
【技术实现步骤摘要】
一种改善铝垫上残留物的方法
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种改善铝垫上残留物的方法。
技术介绍
在CMOS图像传感器(CIS)的制程中,包括铝垫制备工艺。其制备过程一般为先在一硅衬底上形成一氧化物层。接下来,在氧化物层中形成一凹槽结构,并在凹槽结构底部形成接触孔。接下来,在氧化层上淀积一氮化钽层,以填充接触孔并覆盖凹槽结构的底部及侧壁。接下来,在氮化钽层上淀积一铝金属层,并通过光阻作为掩膜对铝金属层进行刻蚀,以形成铝垫。但这种工艺在后续的刻蚀制程中,会出现多余的氮化钽和氧化物残留,最终形成环形火山坑缺陷(volcanodefect)。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供了一种改善铝垫上残留物的方法,应用于CMOS图像传感器的铝垫制备工艺,其特征在于,提供一半导体基底,于所述半导体基底上进行以下步骤:步骤S1,于所述半导体基底表面淀积一氧化层;步骤S2,于所述氧化层中一第一预定位置形成一凹槽结构;步骤S3,于所述凹槽结构底部形成接触孔;步骤S4,于所述氧化层上方、所述凹槽结构的底部、所述凹槽结构的侧壁覆盖一刻蚀阻挡层,于所述接触孔内填充所述刻蚀阻挡层;步骤S5,于所述刻蚀阻挡层表面形成一铝金属层;步骤S6,于所述铝金属层表面依次形成一阻挡层和一第一光刻胶层,图案化所述第一光刻胶层,于一第二预定位置打开第一工艺窗口;步骤S7,以所述第一光刻胶层为掩膜,对所述阻挡层、所述铝金属层和所述刻蚀阻挡层进行刻蚀,去除所述氧化层表面和所述凹槽结构侧壁上的所述阻挡层、所述刻蚀阻挡层、所述铝金属层和所述接触孔上方的铝金属层,形成铝垫。其中,所述刻蚀阻挡层为一氮化 ...
【技术保护点】
1.一种改善铝垫上残留物的方法,应用于CMOS图像传感器的铝垫制备工艺,其特征在于,提供一半导体基底,于所述半导体基底上进行以下步骤:步骤S1,于所述半导体基底表面淀积一氧化层;步骤S2,于所述氧化层中一第一预定位置形成一凹槽结构;步骤S3,于所述凹槽结构底部形成接触孔;步骤S4,于所述氧化层上方、所述凹槽结构的底部、所述凹槽结构的侧壁覆盖一刻蚀阻挡层,于所述接触孔内填充所述刻蚀阻挡层;步骤S5,于所述刻蚀阻挡层表面形成一铝金属层;步骤S6,于所述铝金属层表面依次形成一阻挡层和一第一光刻胶层,图案化所述第一光刻胶层,于一第二预定位置打开第一工艺窗口;步骤S7,以所述第一光刻胶层为掩膜,对所述阻挡层、所述铝金属层和所述刻蚀阻挡层进行刻蚀,去除所述氧化层表面和所述凹槽结构侧壁上的所述阻挡层、所述刻蚀阻挡层、所述铝金属层和所述接触孔上方的铝金属层,形成铝垫。
【技术特征摘要】
1.一种改善铝垫上残留物的方法,应用于CMOS图像传感器的铝垫制备工艺,其特征在于,提供一半导体基底,于所述半导体基底上进行以下步骤:步骤S1,于所述半导体基底表面淀积一氧化层;步骤S2,于所述氧化层中一第一预定位置形成一凹槽结构;步骤S3,于所述凹槽结构底部形成接触孔;步骤S4,于所述氧化层上方、所述凹槽结构的底部、所述凹槽结构的侧壁覆盖一刻蚀阻挡层,于所述接触孔内填充所述刻蚀阻挡层;步骤S5,于所述刻蚀阻挡层表面形成一铝金属层;步骤S6,于所述铝金属层表面依次形成一阻挡层和一第一光刻胶层,图案化所述第一光刻胶层,于一第二预定位置打开第一工艺窗口;步骤S7,以所述第一光刻胶层为掩膜,对所述阻挡层、所述铝金属层和所述刻蚀阻挡层进行刻蚀,去除所述氧化层表面和所述凹槽结构侧壁上的所述阻挡层、所述刻蚀阻挡层、所述铝金属层和所述接触孔上方的铝金属层,形成铝垫。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述刻蚀阻挡层为一氮化钽层。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阻挡层为一底部抗反射层。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阻挡层...
【专利技术属性】
技术研发人员:段成明,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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