半导体发光元件制造技术

本发明专利技术涉及半导体发光元件，其特征在于，多个半导体层，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；分布布拉格反射器，其反射来自有源层的光，并具备第一开口，通过第一开口形成的分布布拉格反射器的面是倾斜的；第一电极，其向第一半导体层供给电子和空穴中的一个；及第二电极，其通过第一开口而与多个半导体层电连接，以使向第二半导体层供给电子和空穴中的另一个。

Semiconductor light-emitting device

The invention relates to a semiconductor light emitting element, which is characterized in that a plurality of semiconductor layers are provided with: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and an active layer, which is between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and is electrically conductive. The surface of the distributed Bragg reflector formed through the first opening is inclined; the first electrode, which supplies one of the electrons and holes to the first semiconductor layer; and the second electrode, which passes through the first opening. An opening is electrically connected to a plurality of semiconductor layers so that another of the electrons and holes are supplied to the second semiconductor layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件本申请是申请日为2014年10月13日，申请号为201480056016.2，专利技术名称为“半导体发光元件”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术(Disclosure)整体涉及半导体发光元件，特别是，涉及具备减少电接触的电阻并提高电接触的可靠性的电极结构的半导体发光元件。在此，半导体发光元件表示通过电子与空穴的复合而生成光的半导体光元件，可例举III族氮化物半导体发光元件。III族氮化物半导体由以Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(0<x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)构成的化合物构成。此外，还可例举用于发出红色光的GaAs类半导体发光元件等。
技术介绍
在此，提供关于本专利技术的
技术介绍
，但它并不一定表示公知技术(Thissectionprovidesbackgroundinformationrelatedtothepresentdisclosurewhichisnotnecessarilypriorart)。图1是表示美国授权专利公报第7,262,436号公开的半导体发光元件的一例的图。半导体发光元件包括：衬底(100)；在衬底(100本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；分布布拉格反射器，其反射来自有源层的光，并具备第一开口，通过第一开口形成的分布布拉格反射器的面是倾斜的；第一电极，其向第一半导体层供给电子和空穴中的一个；及第二电极，其通过第一开口而与多个半导体层电连接，以使向第二半导体层供给电子和空穴中的另一个。

【技术特征摘要】
2013.10.11 KR 10-2013-0121306;2013.12.23 KR 10-2011.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；分布布拉格反射器，其反射来自有源层的光，并具备第一开口，通过第一开口形成的分布布拉格反射器的面是倾斜的；第一电极，其向第一半导体层供给电子和空穴中的一个；及第二电极，其通过第一开口而与多个半导体层电连接，以使向第二半导体层供给电子和空穴中的另一个。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括以下两者中的至少一个：电介质膜，其位于多个半导体层与分布布拉格反射器之间，折射率比分布布拉格反射器的有效折射率低，并通过第一开口而被贯穿；及包覆膜，其以分布布拉格反射器为基准而位于多个半导体层的相反侧，折射率比分布布拉格反射器的有效折射率低，并通过第一开口而被贯穿。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，由与分布布拉格反射器的上表面正交的垂直线与通过第一开口形成的分布布拉格反射器的面所构成的倾斜角为25度以上且75度以下。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，通过第一开口形成的分布布拉格反射器的面包括倾斜角不同的多个子面。5.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，第一开口倾斜为，将通过电介质膜和包覆膜而引导至分布布拉格反射器内的光反射到多个半导体层侧。6.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括反射金属层，该反射金属层包括电...

【专利技术属性】
技术研发人员：全水根，晋根模，
申请(专利权)人：世迈克琉明有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR