一种瞬态二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种瞬态二极管芯片，包括底座和壳体，所述底座的底部通过密封块与负极引线连接，所述底座的上端焊接有金锑合金，且金锑合金的上端设有N型硅片，所述N型硅片的上端设有P型硅片，且P型硅片与N型硅片的交界处形成PN结，所述P型硅片的上端焊接有铝合金小球，所述铝合金小球的上端焊接有正极引线，所述底座的上端内壁设有限位槽，且限位槽内设有壳体，所述正极引线穿过壳体的内壁向外延伸端的外壁固定套接有限位块，且正极引线与壳体连接处的外壁设有绝缘垫圈。本实用新型专利技术结构简单，解决了产品瞬态脉冲功率、反向漏电流、反向击穿电压之间的矛盾，满足了生产和使用的需求。

A transient diode chip

The utility model discloses a transient diode chip, which comprises a base and a shell. The bottom of the base is connected with a negative electrode lead through a sealing block. The upper end of the base is welded with a Gold-Antimony alloy, and the upper end of the Gold-Antimony alloy is provided with a N-type silicon wafer. The upper end of the N-type silicon wafer is provided with a P-type silicon wafer, and the P-type silicon wafer and the N-type silicon wafer are arranged. A PN junction is formed at the junction. The upper end of the P-type silicon wafer is welded with an aluminum alloy ball. The upper end of the aluminum alloy ball is welded with a positive lead. The upper end and inner wall of the base are provided with a limit groove, and the limit groove is provided with a shell. The positive lead is fixed through the inner wall of the shell to the outer wall of the outward extending end and is sleeved with a finite position block. The outer wall of the connection between the positive lead and the shell is provided with an insulating washer. The utility model has the advantages of simple structure, solving the contradiction among transient pulse power, reverse leakage current and reverse breakdown voltage of the product, and meeting the production and use requirements.

【技术实现步骤摘要】
一种瞬态二极管芯片
本技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种瞬态二极管芯片。
技术介绍
瞬态电压抑制二极管是在稳压管的基础上发展起来的一种特殊二极管，是一种高效能的电路保护器件。具有体积小、响应快、瞬间吸收功率大、无噪声等优点。随着近年来航空、航天对瞬态电压抑制二极管的瞬态功率提出了更高的要求，目前的1.5KW硅瞬态电压抑制二极管系列产品已远远不能满足要求。为此需要研制瞬态功率更大的硅瞬态电压抑制二极管。
技术实现思路
为了解决上述
技术介绍
中提到的问题，本技术提供一种瞬态二极管芯片。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种瞬态二极管芯片，包括底座和壳体，所述底座的底部通过密封块与负极引线连接，所述底座的上端焊接有金锑合金，且金锑合金的上端设有N型硅片，所述N型硅片的上端设有P型硅片，且P型硅片与N型硅片的交界处形成PN结，所述P型硅片的上端焊接有铝合金小球，所述铝合金小球的上端焊接有正极引线，所述底座的上端内壁设有限位槽，且限位槽内设有壳体，所述正极引线穿过壳体的内壁向外延伸端的外壁固定套接有限位块，且正极引线与壳体连接处的外壁设有绝缘垫圈。优选地，所述壳体为环氧树脂制成，且壳体的内部填充有保护胶。优选地，所述底座与负极引线和铝合金小球与正极引线之间为电阻焊。优选地，所述金锑合金和N型硅片之间通过焊接片进行冶金熔焊。优选地，所述壳体的外表面涂覆有阻燃层，且阻燃层包括水性聚氨酯阻燃涂料层。与现有技术相比，本技术的有益效果是：底座的底部通过密封块与负极引线连接，能够起到一定的绝缘效果，而金锑合金的上端设有N型硅片，金锑合金和N型硅片之间通过焊接片进行冶金熔焊，结构更加稳固，其中P型硅片与N型硅片的交界处形成的PN结，是在P型硅片上扩散N+型层作PN结，再在P型硅片上扩散P+型层作欧姆结，形成N+PP+结构；PN结的结构或是在N型硅片上扩散N+型层作欧姆结，再在N型硅片扩散P+型层作PN结，形成P+NN+结构；同时为避免二极管由于过热导致烧毁，引起火灾，因此，在壳体的外表面涂覆有阻燃层，且阻燃层包括水性聚氨酯阻燃涂料层，可以阻止二极管发生自燃现象，提高了二极管的安全性。本技术结构简单，解决了产品瞬态脉冲功率、反向漏电流、反向击穿电压之间的矛盾，满足了生产和使用的需求。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术N型硅片和P型硅片制作的结构示意图。图中：底座1、金锑合金2、N型硅片3、P型硅片4、铝合金小球5、负极引线6、密封块7、正极引线8、壳体9、限位槽10、焊接片11、绝缘垫圈12、限位块13。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1-2，一种瞬态二极管芯片，包括底座1和壳体9，底座1的底部通过密封块7与负极引线6连接，底座1的上端焊接有金锑合金2，且金锑合金2的上端设有N型硅片3，金锑合金2和N型硅片3之间通过焊接片11进行冶金熔焊，N型硅片3的上端设有P型硅片4，且P型硅片4与N型硅片3的交界处形成PN结，P型硅片4的上端焊接有铝合金小球5，铝合金小球5的上端焊接有正极引线8，底座1的上端内壁设有限位槽10，且限位槽10内设有壳体9，壳体9为环氧树脂制成，且壳体9的内部填充有保护胶，能够起到有效的阻断作用，壳体9的外表面涂覆有阻燃层，且阻燃层包括水性聚氨酯阻燃涂料层，可以阻止二极管发生自燃现象，提高了二极管的安全性，正极引线8穿过壳体9的内壁向外延伸端的外壁固定套接有限位块13，且正极引线8与壳体9连接处的外壁设有绝缘垫圈12，底座1与负极引线6和铝合金小球5与正极引线8之间为电阻焊。工作原理：本技术中，底座1的底部通过密封块7与负极引线6连接，能够起到一定的绝缘效果，而金锑合金2的上端设有N型硅片3，金锑合金2和N型硅片3之间通过焊接片11进行冶金熔焊，结构更加稳固，其中P型硅片4与N型硅片3的交界处形成的PN结，是在P型硅片4上扩散N+型层作PN结，再在P型硅片4上扩散P+型层作欧姆结，形成N+PP+结构；PN结的结构或是在N型硅片3上扩散N+型层作欧姆结，再在N型硅片3扩散P+型层作PN结，形成P+NN+结构；同时为避免二极管由于过热导致烧毁，引起火灾，因此，在壳体9的外表面涂覆有阻燃层，且阻燃层包括水性聚氨酯阻燃涂料层，可以阻止二极管发生自燃现象，提高了二极管的安全性。以上，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种瞬态二极管芯片，包括底座（1）和壳体（9），其特征在于：所述底座（1）的底部通过密封块（7）与负极引线（6）连接，所述底座（1）的上端焊接有金锑合金（2），且金锑合金（2）的上端设有N型硅片（3），所述N型硅片（3）的上端设有P型硅片（4），且P型硅片（4）与N型硅片（3）的交界处形成PN结，所述P型硅片（4）的上端焊接有铝合金小球（5），所述铝合金小球（5）的上端焊接有正极引线（8），所述底座（1）的上端内壁设有限位槽（10），且限位槽（10）内设有壳体（9），所述正极引线（8）穿过壳体（9）的内壁向外延伸端的外壁固定套接有限位块（13），且正极引线（8）与壳体（9）连接处的外壁设有绝缘垫圈（12）。

【技术特征摘要】
1.一种瞬态二极管芯片，包括底座（1）和壳体（9），其特征在于：所述底座（1）的底部通过密封块（7）与负极引线（6）连接，所述底座（1）的上端焊接有金锑合金（2），且金锑合金（2）的上端设有N型硅片（3），所述N型硅片（3）的上端设有P型硅片（4），且P型硅片（4）与N型硅片（3）的交界处形成PN结，所述P型硅片（4）的上端焊接有铝合金小球（5），所述铝合金小球（5）的上端焊接有正极引线（8），所述底座（1）的上端内壁设有限位槽（10），且限位槽（10）内设有壳体（9），所述正极引线（8）穿过壳体（9）的内壁向外延伸端的外壁固定套接有限位块（13），且正...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈创，高萌，
申请(专利权)人：徐州市晨创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32