双栅极薄膜晶体管、柔性显示面板及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供一种双栅极薄膜晶体管、柔性显示面板及装置，双栅极薄膜晶体管包括：基板、第一栅极、第一栅极绝缘层、有源层、第二栅极绝缘层、源极、漏极以及第二栅极，第一栅极设置于所述基板的上方；第一栅极绝缘层设置于所述基板的上方，且包覆所述第一栅极；有源层设置于所述第一栅极绝缘层上且所述有源层于所述基板上的正投影与所述第一栅极于所述基板上的正投影至少部分重叠；第二栅极绝缘层，设置于所述有源层上；第二栅极设置于所述第二栅极绝缘层上且所述第二栅极于所述基板上的正投影与所述第一栅极、所述有源层于所述基板上的正投影至少部分重叠；其中，所述有源层中形成有位于所述有源层的中间区域的沟道形成区。

Double grid thin film transistor, flexible display panel and device

The utility model provides a double grid thin film transistor, a flexible display panel and a device, which consists of a substrate, a first gate, a first gate insulating layer, an active layer, a second grid insulating layer, a source, a drain, and a second grid, and a first gate on the top of the substrate; first, the first gate is arranged above the substrate. The gate insulating layer is set above the base plate and covers the first gate, the active layer is set on the first gate insulation layer and the positive projection of the active layer on the substrate overlaps at least partially with the first gate on the substrate, and the second gate insulation layer is set on the active layer. The second gate is set on the second gate insulating layer and the second gate is projected to at least partially the positive projection of the first gate and the active layer on the substrate; among them, the active layer forms a channel forming area in the middle region of the active layer.

【技术实现步骤摘要】
双栅极薄膜晶体管、柔性显示面板及装置
本技术涉及显示
，特别涉及一种双栅极薄膜晶体管、柔性显示面板及装置。
技术介绍
柔性显示装置是一种基于柔性基底材料制备形成的显示装置。由于柔性显示装置具有可弯曲、宽视角、便于携带等特点，在携带产品、多数显示应用领域柔性显示装置具有广阔的应用前景以及良好的市场潜力。图1A为拉伸弯曲的示意图，图1B为压缩弯曲的示意图，其中10表示底栅型薄膜晶体管。底栅型薄膜晶体管在实现图1A所示的拉伸弯曲或图1B所示的压缩弯曲时，与有源层接触的膜层(即栅极绝缘层)在应力的作用下，缺陷会增多，从而造成沟道形成区的载流子浓度增大，进而造成漏电流Id增大，影响柔性显示装置的显示效果。
技术实现思路
本技术一实施例的目的是提供一种双栅极薄膜晶体管、柔性显示面板及装置，以解决上述问题。为了达到上述目的，第一方面，本技术一实施例提供一种双栅极薄膜晶体管，包括：基板；第一栅极，设置于所述基板的上方；第一栅极绝缘层，设置于所述基板的上方，且包覆所述第一栅极；有源层，设置于所述第一栅极绝缘层上，且所述有源层于所述基板上的正投影与所述第一栅极于所述基板上的正投影至少部分重叠；第二栅极绝缘层，设置于所述有源层上；第二栅极，设置于所述第二栅极绝缘层上，且所述第二栅极于所述基板上的正投影与所述第一栅极、所述有源层于所述基板上的正投影至少部分重叠；其中，所述有源层中形成有位于所述有源层的中间区域的沟道形成区。在一实施例中，还包括：源极，设置于所述有源层的一侧且与所述有源层相接触；漏极，设置于所述有源层的另一侧且与所述有源层相接触。在一实施例中，还包括：层间绝缘层，设置于所述第一栅极绝缘层上且与所述有源层、所述第二栅极绝缘层形成第一开孔以及第二开孔，所述源极设置于所述第一开孔中，所述漏极设置于所述第二开孔中。在一实施例中，还包括：钝化层，设置于所述第二栅极、所述源极、所述漏极上。在一实施例中，所述第一栅极与所述第二栅极的长度和宽度相同，且所述第二栅极于所述基板上的正投影与所述第一栅极于所述基板上的正投影重合。在一实施例中，所述第二栅极、所述源极、所述漏极相对于所述有源层的高度相同。在一实施例中，还包括：缓冲层，设置于所述基板上，所述第一栅极、所述第一栅极绝缘层设置于所述缓冲层上。在一实施例中，所述有源层由氧化物半导体形成。第二方面，本技术提供一种柔性显示面板，包括上述第一方面所述的双栅极薄膜晶体管。第三方面，本技术提供一种柔性显示装置，包括柔性印刷线路板、电源接口以及上述第二方面所述的柔性显示面板。由以上本技术一实施例提供的技术方案可见，本技术一实施例所提供的双栅极薄膜晶体管，在有源层的上下均设计栅极，能够在有源层的中间区域形成沟道形成区，在拉伸弯曲时，应力集中区域为有源层的上表面，与有源层的上表面相接触的膜层会先被破坏造成缺陷，在压缩弯曲时，应力集中区域为有源层的下表面，与有源层的下表面相接触的膜层会先被破坏造成缺陷，而本申请中，沟道形成区位于有源层的中间区域，无论拉伸弯曲还是压缩弯曲造成的缺陷，都不会影响到沟道形成区，即沟道形成区的载流子的浓度不会因为拉伸弯曲或压缩弯曲增大，从而本技术提供的双栅极薄膜晶体管，不会因显示面板形态变化带来漏电流Id增大的问题，进而能够避免因形变对柔性显示装置显示效果的影响。附图说明为了更清楚地说明本技术一实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1A为拉伸弯曲的示意图；图1B为压缩弯曲的示意图；图2为本技术一实施例提供的一种双栅极薄膜晶体管的截面示意图；图3为本技术一实施例提供的有源层的截面示意图；图4为本技术另一实施例提供的有源层的截面示意图；图5为本技术另一实施例提供的有源层的截面示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术中的技术方案，下面将结合本技术一实施例中的附图，对本技术一实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。图2为本技术一实施例提供的一种双栅极薄膜晶体管的截面示意图；图3为本技术一实施例提供的有源层的截面示意图。以下结合图2、图3对本技术进行说明。如图2、图3所示，双栅极薄膜晶体管可以包括：基板11、第一栅极12、第一栅极绝缘层13、有源层14、第二栅极绝缘层15、源极16、漏极17以及第二栅极18。第一栅极12设置于基板11的上方。第一栅极绝缘层13设置于基板11的上方，且包覆第一栅极12。有源层14设置于第一栅极绝缘层13上，且有源层14于基板11上的正投影与第一栅极12于基板11上的正投影至少部分重叠。第二栅极绝缘层15设置于有源层14上。第二栅极18设置于第二栅极绝缘层15上，且第二栅极18于基板11上的正投影与第一栅极12于基板11上的正投影、有源层14于基板11上的正投影至少部分重叠。其中，如图3所示，有源层14中形成有位于有源层14的中间区域200的沟道形成区30。源极16与有源层14相接触，漏极17与有源层14相接触，在本技术的一实施方式中，如图2所示，源极16设置于有源层14的一侧且与有源层14相接触，漏极17设置于有源层14的另一侧且与有源层14相接触。图4为本技术另一实施例提供的有源层的截面示意图，图5为本技术另一实施例提供的有源层的截面示意图，如图4、图5所示，沟道形成区30还可以位于有源层14的中间区域200的中心偏上位置、中心偏下位置。较佳的，如图3所示，沟道形成区30位于有源层14的中间区域200的中心位置，以更好地避免因显示面板形态变化带来漏电流Id增大的问题，进而能够更好地避免因形变对柔性显示装置显示效果的影响。具体的，通过施加于第一栅极12以及第二栅极18上的电压，使得有源层14中形成有位于有源层14的中间区域的沟道形成区30。在本申请的一实施方式中，如图2所示，双栅极薄膜晶体管还可以包括层间绝缘层19，层间绝缘层19设置于第一栅极绝缘层13上且与有源层14、第二栅极绝缘层15形成第一开孔以及第二开孔，源极16设置于第一开孔中，漏极17设置于第二开孔中。在本申请的一实施方式中，如图2所示，双栅极薄膜晶体管还可以包括钝化层20，钝化层20设置于第二栅极18、源极16及漏极17上。在本申请的一实施方式中，如图2所示，双栅极薄膜晶体管还可以包括缓冲层21，缓冲层21设置于基板11上，第一栅极12、第一栅极绝缘层13设置于缓冲层21上。在本申请的一实施方式中，第一栅极12与第二栅极18的长度和宽度相同，且第二栅极18于基板11上的正投影与第一栅极12于基板11上的正投影重合。在本申请的一实施方式中，如图2所示，第二栅极12、源极16、漏极17相对于有源层14的高度相同。在本申请的一实施方式中，有源层14由氧化物半导体形成，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双栅极薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；第一栅极，设置于所述基板的上方；第一栅极绝缘层，设置于所述基板的上方且包覆所述第一栅极；有源层，设置于所述第一栅极绝缘层上，且所述有源层于所述基板上的正投影与所述第一栅极于所述基板上的正投影至少部分重叠；第二栅极绝缘层，设置于所述有源层上；第二栅极，设置于所述第二栅极绝缘层上，且所述第二栅极于所述基板上的正投影与所述第一栅极、所述有源层于所述基板上的正投影至少部分重叠；其中，所述有源层中形成有位于所述有源层的中间区域的沟道形成区。

【技术特征摘要】
1.一种双栅极薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；第一栅极，设置于所述基板的上方；第一栅极绝缘层，设置于所述基板的上方且包覆所述第一栅极；有源层，设置于所述第一栅极绝缘层上，且所述有源层于所述基板上的正投影与所述第一栅极于所述基板上的正投影至少部分重叠；第二栅极绝缘层，设置于所述有源层上；第二栅极，设置于所述第二栅极绝缘层上，且所述第二栅极于所述基板上的正投影与所述第一栅极、所述有源层于所述基板上的正投影至少部分重叠；其中，所述有源层中形成有位于所述有源层的中间区域的沟道形成区。2.如权利要求1所述的双栅极薄膜晶体管，其特征在于，还包括：源极，设置于所述有源层的一侧且与所述有源层相接触；漏极，设置于所述有源层的另一侧且与所述有源层相接触。3.如权利要求2所述的双栅极薄膜晶体管，其特征在于，还包括：层间绝缘层，设置于所述第一栅极绝缘层上且与所述有源层、所述第二栅极绝缘层形成第一开孔以及第二开孔，所述源极设置于所述第一开孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立祥，葛泳，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13