【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，特别是一种掩膜版及其制备方法、蒸镀设备。
技术介绍
1、oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)面板主要采用蒸镀方式，将发光材料沉积到tft(thin film transistor，薄膜晶体管)电路之上。常用蒸镀治具，例如精密金属掩膜版fmm(fine metal mask)，一般通过刻蚀工艺在金属板上形成蒸镀孔。然而，随着窄边框需求逐渐升高，现有精密金属掩膜版已难以达到制备需求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种掩膜版及其制备方法、蒸镀设备，以解决现有精密金属掩膜版中的缺陷。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种掩膜版，掩膜版具有蒸镀区、遮挡区以及过渡区，遮挡区围绕至少部分蒸镀区，过渡区位于蒸镀区与遮挡区之间。掩膜版包括主体部、蒸镀孔、过渡部以及遮挡部。主体部位于蒸镀区。蒸镀孔位于蒸镀区，且贯穿主体部。过渡部与主体部连接，并位于过渡区中。遮挡部与过渡部连接，并位于遮挡区中。过渡部靠近主体部的一端的厚度小于遮挡部的厚度。
3、进一步地，蒸镀孔的数量为多个，多个蒸镀孔包括与过渡部相邻述第一蒸镀孔和位于第一蒸镀孔远离过渡部一侧的第二蒸镀孔，第一蒸镀孔靠近过渡部的一侧的侧壁与第一蒸镀孔远离过渡部的一侧的侧壁对称设置。可选地，第一蒸镀孔和第二蒸镀孔的侧壁形状和尺寸相同。
4、进一步地，过渡部具有斜面，由主体部指向遮挡部的方向，过渡部的厚度逐渐增大；可选地，过渡部的最小厚度等于
5、进一步地，过渡部包括虚设口，虚设口设于过渡部的第一表面。可选地，由主体部指向遮挡部的方向，过渡部的厚度先逐渐减小后逐渐增大。可选地，过渡部靠近主体部的一侧的厚度等于主体部的最大厚度。可选地，虚设口的深度小于蒸镀孔的深度。可选地，虚设口的中心轴平行于蒸镀孔的中心轴。可选地，在相同深度位置，与虚设口相邻的蒸镀孔远离虚设口的一侧的侧壁的倾斜度，与虚设口远离遮挡部的一侧的侧壁的倾斜度相同。可选地，在相同深度位置，与虚设口相邻的蒸镀孔靠近虚设口的一侧的侧壁的倾斜度，与虚设口靠近遮挡部的一侧的侧壁的倾斜度相同。可选地，过渡部的第一表面和第二表面沿掩膜版的厚度方向相对，过渡部的第二表面与主体部和遮挡部的同一侧的表面平齐。
6、进一步地，过渡部沿掩膜版的厚度方向相对的两个表面互相平行。可选地，过渡部的厚度小于遮挡部的厚度。
7、进一步地，过渡部的厚度大于或等于主体部的厚度。
8、进一步地，蒸镀孔包括第一开口和第二开口。第二开口与第一开口连通，第一开口和第二开口沿掩膜版的厚度方向排列。可选地，第一开口的中心轴与第二开口的中心轴重合。可选地，第二开口的横截面积沿第一方向逐渐增大，和/或，第一开口的横截面积沿第一方向逐渐减小，第一方向为由同一蒸镀孔中的第一开口指向第二开口的方向。可选地，第一开口的深度小于或等于第二开口的深度；可选地，第一开口的体积小于或等于第二开口的体积。可选地，主体部靠近第一开口的一侧的表面，与过渡部和遮挡部的同一侧的表面平齐。可选地，在相同深度位置，第二开口与过渡部中虚设口的侧壁形状和尺寸相同。
9、本专利技术中还提供一种掩膜版的制备方法，其包括以下步骤：提供金属膜层，金属膜层包括蒸镀区、围绕至少部分蒸镀区的遮挡区以及位于蒸镀区与遮挡区之间的过渡区；在金属膜层上形成光刻胶层，并将蒸镀区和过渡区中的光刻胶层图案化，形成刻蚀掩膜层；通过刻蚀掩膜层将蒸镀区和过渡区中的金属膜层图案化，在蒸镀区中形成主体部和蒸镀孔的至少部分，以及在过渡区形成过渡部；去除刻蚀掩膜层。
10、进一步地，将过渡区中的金属膜层图案化步骤包括：在过渡区的金属膜层朝向蒸镀源的一表面上形成虚设口或斜面。或者，将过渡区中的金属膜层图案化步骤包括：通过半刻工艺减薄过渡区中的金属膜层的整体厚度。
11、本专利技术中还提供一种蒸镀设备，蒸镀设备包括上述的掩膜版。
12、本专利技术的优点是：本专利技术的一种掩膜版及其制备方法，通过在掩膜版的蒸镀区的蒸镀孔与遮挡区的遮挡部之间设置过渡部进行过渡，消除主体部与遮挡部之间较大段差对最外侧蒸镀孔的形貌和大小的影响，促使蒸镀区中的所有蒸镀孔的形貌和大小均相同，进而减小掩膜版对发光层的影响，提高显示面板的显示效果。
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1.一种掩膜版，其特征在于，具有蒸镀区、遮挡区以及过渡区，所述遮挡区围绕至少部分所述蒸镀区，所述过渡区位于所述蒸镀区与所述遮挡区之间；
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述蒸镀孔的数量为多个，多个所述蒸镀孔包括与所述过渡部相邻的所述第一蒸镀孔和位于所述第一蒸镀孔远离所述过渡部一侧的第二蒸镀孔，所述第一蒸镀孔靠近所述过渡部的一侧的侧壁与所述第一蒸镀孔远离所述过渡部的一侧的侧壁对称设置；
3.如权利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述过渡部具有斜面，由所述主体部指向所述遮挡部的方向，所述过渡部的厚度逐渐增大；
4.如权利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述过渡部包括：
5.如权利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述过渡部沿所述掩膜版的厚度方向相对的两个表面互相平行；
6.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述过渡部的厚度大于或等于所述主体部的厚度。
7.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述蒸镀孔包括：
8.一种掩膜版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
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10.一种蒸镀设备，其特征在于，包括如权利要求1-7中任意一项所述的掩膜版。
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，具有蒸镀区、遮挡区以及过渡区，所述遮挡区围绕至少部分所述蒸镀区，所述过渡区位于所述蒸镀区与所述遮挡区之间；
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述蒸镀孔的数量为多个，多个所述蒸镀孔包括与所述过渡部相邻的所述第一蒸镀孔和位于所述第一蒸镀孔远离所述过渡部一侧的第二蒸镀孔，所述第一蒸镀孔靠近所述过渡部的一侧的侧壁与所述第一蒸镀孔远离所述过渡部的一侧的侧壁对称设置；
3.如权利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述过渡部具有斜面，由所述主体部指向所述遮挡部的方向，所述过渡部的厚度逐渐增大；
4.如权利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：付佳，徐玉枫，许智鹏，褚晓甜，范柳彬，冯士振，葛一飞，陈源源，周皓月，刘颖，赵晶晶，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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