【技术实现步骤摘要】
本申请涉及退镀，尤其涉及一种退镀方法。
技术介绍
1、镀膜工艺在工业领域有着广泛的应用。手机中框的生产过程中，若中框上的表面镀层不符合产品品质要求，需要去除表面镀层重新进行镀膜处理，以重复利用，节约成本。
2、由于产品对于中框外观以及镀膜工艺的影响，中框中不同区域的膜层的面积或者厚度不一致，而在退镀过程中会存在退镀时间的差异，中框优先完全退镀的区域暴露于退镀液中且处于电解条件下，中框优先完全退镀的区域被腐蚀，进而影响整个中框的表面平整度和外观，导致中框无法重新镀膜。
技术实现思路
1、有鉴于此，有必要提供一种改善工件的基底被腐蚀的退镀方法，以解决上述问题。
2、一种退镀方法，用于去除手机中框的基底表面的第一膜层和第二膜层，基底包括边框和插孔环，边框上开设有通孔，插孔环绝缘嵌设于通孔，第一膜层位于边框的表面，第二膜层位于插孔环的表面，第一膜层的厚度和/或面积大于第二膜层的厚度和/或面积，其中，退镀方法包括：将第一导电件的一端连接边框；将第二导电件的一端连接插孔环，第二导电件的电阻大于第一导电件的电阻，第二导电件包括本体与位于本体表面的氧化层，氧化层的电阻大于本体的电阻；将第一导电件的另一端以及第二导电件的另一端均连接电源的正极电连接，将对电极连接电源的负极，将中框置于退镀液中进行退镀，以使第一膜层以及第二膜层去除。
3、在一些实施方式中，本体与第一导电件的材质均为钛。
4、在一些实施方式中，退镀方法包括在采用第一导电件连接边框之前，还包
5、在一些实施方式中，在将置于退镀液中进行退镀的步骤之前，将第二导电件的一端插入通孔中并与第二膜层接触。
6、在一些实施方式中，将插孔环和边框并联接入同一电源中。
7、在一些实施方式中，氧化层的厚度小于5μm且大于0。
8、在一些实施方式中，氧化层的电阻为1ω/m-10ω/m。
9、在一些实施方式中，退镀温度为10℃-40℃。
10、在一些实施方式中，边框的材质包括不锈钢，插孔环的材质包括钛或者钛合金。
11、在一些实施方式中，基底还包括中板，边框围设于中板的周缘，中板的材质包括铝或铝合金以及位于铝或铝合金表面的阳极氧化膜，中板暴露于第一膜层和第二膜层。
12、本申请实施例提供的退镀方法，通过设置有氧化层的第二导电件，以增加第二导电件的电阻，在退镀过程中，第二导电件用于连接面积或者厚度较小的第二膜层，以减小经过第二膜层的电流，延长第二膜层退镀完全的时间，以减小或消除第二膜层与第一膜层退镀完全的时间差距，进而减小或消除插孔环被腐蚀的可能性。
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1.一种退镀方法，用于去除手机中框的基底表面的第一膜层和第二膜层，所述基底包括边框和插孔环，所述边框上开设有通孔，所述插孔环绝缘嵌设于所述通孔，所述第一膜层位于所述边框的表面，所述第二膜层位于所述插孔环的表面，所述第一膜层的厚度和/或面积大于所述第二膜层的厚度和/或面积，其中，所述退镀方法包括：
2.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，所述本体与所述第一导电件的材质均为钛。
3.根据权利要求2所述的退镀方法，其中，所述退镀方法包括在采用所述第一导电件连接所述边框之前，还包括对钛金属片经过阳极氧化处理生成所述氧化层并形成所述第二导电件的步骤。
4.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，在将所述置于所述退镀液中进行退镀的步骤之前，将所述第二导电件的一端插入所述通孔中并与所述第二膜层接触。
5.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，将所述插孔环和所述边框并联接入同一电源中。
6.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，所述氧化层的厚度小于5μm且大于0。
7.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，所述氧化层的电阻为1Ω/m-
8.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，退镀温度为10℃-40℃。
9.根据权利要求1-8中任意一项所述的退镀方法，其中，所述边框的材质包括不锈钢，所述插孔环的材质包括钛或者钛合金。
10.根据权利要求9所述的退镀方法，其中，所述基底还包括中板，所述边框围设于所述中板的周缘，所述中板的材质包括铝或铝合金以及位于铝或铝合金表面的阳极氧化膜，所述中板暴露于所述第一膜层和第二膜层。
...【技术特征摘要】
1.一种退镀方法，用于去除手机中框的基底表面的第一膜层和第二膜层，所述基底包括边框和插孔环，所述边框上开设有通孔，所述插孔环绝缘嵌设于所述通孔，所述第一膜层位于所述边框的表面，所述第二膜层位于所述插孔环的表面，所述第一膜层的厚度和/或面积大于所述第二膜层的厚度和/或面积，其中，所述退镀方法包括：
2.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，所述本体与所述第一导电件的材质均为钛。
3.根据权利要求2所述的退镀方法，其中，所述退镀方法包括在采用所述第一导电件连接所述边框之前，还包括对钛金属片经过阳极氧化处理生成所述氧化层并形成所述第二导电件的步骤。
4.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，在将所述置于所述退镀液中进行退镀的步骤之前，将所述第二导电件的一端插入所述通孔中并与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：边宇堃，丁晨，王富有，于海信，
申请(专利权)人：富联科技兰考有限公司，
类型：发明
国别省市：
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