薄膜晶体管及制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了薄膜晶体管及制备方法、显示装置。该薄膜晶体管包括：衬底；栅极，栅极设置在衬底上；栅绝缘层，栅绝缘层设置在栅极远离衬底的一侧；屏蔽结构，屏蔽结构设置在栅绝缘层远离栅极的一侧；有源层，有源层设置在屏蔽结构远离栅绝缘层的一侧，有源层具有沟道区；源极以及漏极，源极以及漏极设置在有源层远离屏蔽结构的一侧，其中，屏蔽结构在衬底上的正投影，与沟道区在衬底上的正投影具有重叠区域，且屏蔽结构在衬底上的正投影，与漏极和源极的至少之一在衬底上的正投影，也具有重叠区域。由此，可以缓解或防止应用该薄膜晶体管的液晶显示屏发生闪烁不良以及残像不良的问题，提升应用该薄膜晶体管的液晶显示屏的显示品质。

Thin film transistors and preparation methods and display devices

The invention discloses a thin film transistor, a preparation method and a display device. The thin film transistor consists of a substrate, a gate, a gate set on a substrate, a gate insulating layer, a gate insulating layer set at one side of the gate far away from the substrate; a shielding structure, a shielding structure set on one side of the gate insulating layer far away from the gate; the active layer is set on one side of the shielding structure far from the gate insulation, and the active layer has the active layer. The channel area, the source and the drain, the source and the drain are set at the side of the active layer far away from the shielding structure, in which the masking structure is projected on the substrate, and the positive projection on the substrate is overlapped, and the shielded structure is projected on the substrate, and at least one of the drain and source poles is on the substrate. The projection also has overlapping regions. Thus, it is possible to alleviate or prevent the problem of bad scintillation and defective image of the liquid crystal display screen using the thin film transistor, and improve the display quality of the liquid crystal display screen using the thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示领域，具体地，涉及薄膜晶体管及制备方法、显示装置。
技术介绍
随着显示行业的迅速发展，液晶显示屏已经遍布人们生活的方方面面，例如手机、电脑、电视、手表、电子标签等。由于薄膜晶体管(TFT)的设计可以控制单个像素的状态，进而可以实现高分辨率、高清晰度的液晶显示，目前市面上常用的液晶显示屏一般均为薄膜晶体管-液晶显示屏。然而，目前的薄膜晶体管及制备方法、显示装置仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：目前，液晶显示屏仍存在闪烁不良以及残像不良等问题。专利技术人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于液晶显示屏中的像素电极的电压发生跳变导致的。如前所述，目前常用的液晶显示屏为薄膜晶体管-液晶显示屏，专利技术人发现，液晶显示屏中的薄膜晶体管在栅极充电信号关断的瞬间，栅极和漏极的重叠部分会产生耦合电容，在该耦合电容的分压作用下，像素电极的电压产生跳变，使得正帧以及负帧加载到像素电极上的电压不同，同时由于不同灰阶产生的跳变电压不同，导致液晶显示屏产生闪烁不良。此外，在不同灰阶下，像素电极的跳变电压不同，导致不同灰阶直流残留电压不同，当切换画面时导致不同区域实际加载电压不同，从而加重液晶显示屏的残像不良。上述不良问题严重影响液晶显示屏的显示品质，影响用户的使用体验。本专利技术旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：衬底；栅极，所述栅极设置在所述衬底上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧；屏蔽结构，所述屏蔽结构设置在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧；有源层，所述有源层设置在所述屏蔽结构远离所述栅绝缘层的一侧，所述有源层具有沟道区；源极以及漏极，所述源极以及所述漏极设置在所述有源层远离所述屏蔽结构的一侧，其中，所述屏蔽结构在所述衬底上的正投影，与所述沟道区在所述衬底上的正投影具有重叠区域，且所述屏蔽结构在所述衬底上的正投影，与所述漏极和所述源极的至少之一在所述衬底上的正投影，也具有重叠区域。由此，可以缓解或防止栅极和漏极之间，在关断时产生耦合电容，进而防止应用该薄膜晶体管的液晶显示屏发生闪烁不良以及残像不良的问题，提升应用该薄膜晶体管的液晶显示屏的显示品质。根据本专利技术的实施例，所述屏蔽结构包括金属单元以及绝缘层，其中，所述金属单元设置在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧，所述绝缘层设置在所述金属单元远离所述栅绝缘层的一侧。由此，可以利用屏蔽结构缓解或防止漏极以及栅极之间，在关断时产生耦合电容，从而避免应用该薄膜晶体管的液晶显示屏中的像素电极的电压发生跳变，进而防止闪烁不良以及残像不良等问题的发生。根据本专利技术的实施例，所述栅极在所述衬底上的正投影，与所述漏极和所述源极的至少之一，在所述衬底上的正投影具有交叠区域，所述交叠区域位于所述金属单元在所述衬底上的正投影之内。由此，该金属单元可以完全屏蔽漏极与栅极之间的耦合电容，进一步防止应用该薄膜晶体管的液晶显示屏发生闪烁不良以及防残像不良的问题。根据本专利技术的实施例，所述金属单元进一步包括：第一金属单元，所述第一金属单元靠近所述漏极设置；以及第二金属单元，所述第二金属单元与所述第一金属单元同层设置，且所述第二金属单元靠近所述源极设置。由此，设置两个金属单元，并分别对应漏极以及源极，可以屏蔽漏极与栅极之间的耦合电容，同时还可以屏蔽源极与栅极之间的耦合电容。根据本专利技术的实施例，所述第一金属单元在所述衬底上正投影一侧的边缘，与所述栅极在所述衬底上正投影一侧的边缘相齐平，所述第一金属单元在所述衬底上正投影的另一侧的边缘，位于所述沟道区在所述衬底上的正投影之内，所述第二金属单元在所述衬底上正投影一侧的边缘，与所述栅极在所述衬底上正投影的另一侧的边缘相齐平，所述第二金属单元在所述衬底上正投影的另一侧的边缘位于所述沟道区在所述衬底上的正投影之内。由此，第一金属单元以及第二金属单元可以分别有效的屏蔽漏极与栅极、源极与栅极之间的耦合电容，防止应用该薄膜晶体管的液晶显示屏发生闪烁不良以及残像不良的问题，并能够提高上述液晶显示屏的亮度。根据本专利技术的实施例，所述栅极在所述衬底上正投影和所述漏极在所述衬底上正投影之间的交叠区域，位于所述第一金属单元在所述衬底上的正投影区域内，且所述第一金属单元在所述衬底上正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影之间具有部分重叠，所述栅极在所述衬底上正投影和所述源极在所述衬底上正投影之间的交叠区域，位于所述第二金属单元在所述衬底上的正投影区域内，且所述第二金属单元在所述衬底上正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影之间具有部分重叠。由此，第一金属单元以及第二金属单元可以分别完全屏蔽漏极与栅极、源极与栅极之间的耦合电容，进一步防止应用该薄膜晶体管的液晶显示屏发生闪烁不良以及残像不良的问题，并可以更加精确的控制液晶分子的偏转。根据本专利技术的实施例，所述第一金属单元以及所述第二金属单元分别是由孤岛状的条形金属形成的。由此，第一金属单元以及第二金属单元不与任何电极相连，不影响薄膜晶体管的使用性能。在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，该显示装置包括前面所述的薄膜晶体管，由此，该显示装置具有前面所述的薄膜晶体管的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置不存在闪烁不良以及残像不良的问题，具有较高的显示品质。在本专利技术的另一方面，本专利技术提出了一种制备薄膜晶体管的方法。根据本专利技术的实施例，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上设置栅极；在所述栅极远离所述衬底的一侧设置栅绝缘层；在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧设置屏蔽结构；在所述屏蔽结构远离所述栅绝缘层的一侧设置有源层，所述有源层具有沟道区；在所述有源层远离所述屏蔽结构的一侧设置源极以及漏极，其中，所述屏蔽结构在所述衬底上的正投影，与所述沟道区在所述衬底上的正投影具有重叠区域，且所述屏蔽结构在所述衬底上的正投影，与所述漏极和所述源极的至少之一在所述衬底上的正投影，也具有重叠区域。利用该方法获得的薄膜晶体管可缓解关断时源漏极与栅极之间存在耦合电容的问题，从而具有较好的使用性能。根据本专利技术的实施例，所述屏蔽结构包括金属单元以及绝缘层，所述金属单元包括第一金属单元以及第二金属单元，所述设置屏蔽结构是通过以下步骤实现的：在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧沉积金属层；基于所述金属层，利用构图工艺，形成所述第一金属单元以及所述第二金属单元；以及在所述第一金属单元以及所述第二金属单元远离所述栅绝缘层的一侧设置所述绝缘层，其中，所述第一金属单元靠近所述漏极设置，所述第二金属单元靠近所述源极设置。由此，可以利用简单的生产工艺获得屏蔽结构，使应用该薄膜晶体管的液晶显示屏具有较高的显示品质。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1显示了根据本专利技术一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图2显示了传统薄膜晶体管的结构示意图；图3显示了传统薄膜晶体管充电时像素电极的电压曲线图；图4显示了根据本专利技术一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图5显示了根据本专利技术另一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图6显示了根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅极，所述栅极设置在所述衬底上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧；屏蔽结构，所述屏蔽结构设置在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧；有源层，所述有源层设置在所述屏蔽结构远离所述栅绝缘层的一侧，所述有源层具有沟道区；源极以及漏极，所述源极以及所述漏极设置在所述有源层远离所述屏蔽结构的一侧，其中，所述屏蔽结构在所述衬底上的正投影，与所述沟道区在所述衬底上的正投影具有重叠区域，且所述屏蔽结构在所述衬底上的正投影，与所述漏极和所述源极的至少之一在所述衬底上的正投影，也具有重叠区域。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅极，所述栅极设置在所述衬底上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧；屏蔽结构，所述屏蔽结构设置在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧；有源层，所述有源层设置在所述屏蔽结构远离所述栅绝缘层的一侧，所述有源层具有沟道区；源极以及漏极，所述源极以及所述漏极设置在所述有源层远离所述屏蔽结构的一侧，其中，所述屏蔽结构在所述衬底上的正投影，与所述沟道区在所述衬底上的正投影具有重叠区域，且所述屏蔽结构在所述衬底上的正投影，与所述漏极和所述源极的至少之一在所述衬底上的正投影，也具有重叠区域。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述屏蔽结构包括金属单元以及绝缘层，其中，所述金属单元设置在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧，所述绝缘层设置在所述金属单元远离所述栅绝缘层的一侧。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极在所述衬底上的正投影，与所述漏极和所述源极的至少之一，在所述衬底上的正投影具有交叠区域，所述交叠区域位于所述金属单元在所述衬底上的正投影之内。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属单元进一步包括：第一金属单元，所述第一金属单元靠近所述漏极设置；以及第二金属单元，所述第二金属单元与所述第一金属单元同层设置，且所述第二金属单元靠近所述源极设置。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属单元在所述衬底上正投影一侧的边缘，与所述栅极在所述衬底上正投影一侧的边缘相齐平，所述第一金属单元在所述衬底上正投影的另一侧的边缘，位于所述沟道区在所述衬底上的正投影之内，所述第二金属单元在所述衬底上正投影一侧的边缘，与所述栅极在所述衬底上正投影的另一侧的边缘相齐平，所述第二金属单元在所述衬底上正投影的另一侧的边缘位于所述沟道区在所述衬底上的正投影之内。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：武晓娟，袁洪亮，王建，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11