一种半导体二极管制造技术

技术编号:18342319 阅读:39 留言:0更新日期:2018-07-01 13:47
本实用新型专利技术公开了一种半导体二极管,包括负极支架,所述负极支架安装在透明环氧树脂套的内部,所述负极支架上端外壁中间设置有晶片,所述晶片中间设置有半导体膜,本实用新型专利技术通过在传统的半导体二极管的正极杆和负极杆中间各增加了一个紧固器,使得该半导体二极管的正极杆和负极杆能够适应各种不用情况的插口而不会出现接触不良导致断电的情况,有了这个紧固器能够使得该半导体二极管的正极杆和负极杆能够适应不同孔径的插口,而且弹簧也能对插口起到一个紧固的作用,使其在使用时不会松动,从而使得该半导体二极管能够一直正常工作,也会极大地避免了二极管因为断电而损坏的情况,节约了其使用和维修成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体二极管
本技术属于二极管相关
,具体涉及一种半导体二极管。
技术介绍
半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)。它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。现有的半导体二极管技术存在以下问题:1、现有的半导体二极管都是把正负极杆直接插进导电口进行通电,这样当拔插次数过多或者插口不紧时,会导致正负极杆松动,从而使得该半导体二极管接触不良,不能正常使用;2、现有的半导体二极管都是把金线通过锡焊接在正极支架最上端,这样当温度过高会导致金线脱落,使得该半导体二极管不能使用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种半导体二极管,以解决上述
技术介绍
中提出的正负极杆经常会出现松动和温度过高金线容易脱落的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种半导体二极管,包括负极支架,所述负极支架安装在透明环氧树脂套的内部,所述负极支架上端外壁中间设置有晶片,所述晶片中间设置有半导体膜,所述负极支架左侧设置有正极支架,所述正极支架内部上端设置有卡线器,所述半导体膜上端设置有金线且金线另一端安装在正极支架上的卡线器内部,所述透明环氧树脂套四周最下端设置有环套,所述正极支架下端设置有正极杆,所述负极支架下端设置有负极杆,所述负极杆中段上设置有紧固器,所述金线、晶片和半导体膜通过正极杆和负极杆电性连接。优选的,所述紧固器竖向中间设置有导电杆,所述导电杆左右两侧外部设置有弹簧,所述左右两侧弹簧外部设置有紧固块。优选的,所述卡线器内部最右端设置有压力弹簧,所述压力弹簧左端设置有推杆,所述推杆正下方设置有推块且推块连接推杆在卡线器的外部,所述推杆左侧中间设置有固定夹套,所述固定夹套右侧设置有锯齿卡口。优选的,所述紧固器共设置有两个,且两个紧固器分别安装在正极杆和负极杆的中段上。优选的,所述正极杆的长度大于负极杆。优选的,所述弹簧共设置有六个,且六个弹簧分别安装在导电杆的左右两侧。与现有的技术相比,本技术的有益效果是:1、本技术通过在传统的半导体二极管的正极杆和负极杆中间各增加了一个紧固器,使得该半导体二极管的正极杆和负极杆能够适应各种不用情况的插口而不会出现接触不良导致断电的情况,该紧固器是由导电杆、弹簧和紧固块组成,其中弹簧固定连接紧固块把导电杆和紧固块连接在一起,紧固块高度略小于导电杆高度,而在导电杆和两边的紧固块中间分别设置有两组各三个弹簧,这样当把正极杆和负极杆插入到插口里时,就算插口内部的夹片松动不能很好的夹住正极杆和负极杆进行通电,也不会影响插口给给该半导体二极管的正常通电,因为弹簧会通过弹力把紧固块紧紧的贴合在插口内壁两侧,使之接触不会松动,能够稳定正常的给半导体二极管进行通电,有了这个紧固器能够使得该半导体二极管的正极杆和负极杆能够适应不同孔径的插口,而且弹簧也能对插口起到一个紧固的作用,使其在使用时不会松动,从而使得该半导体二极管能够一直正常工作,也会极大地避免了二极管因为断电而损坏的情况,节约了其使用和维修成本;2、本技术通过把传统的用锡焊接固定金线的方式改为使用卡线器进行金线固定,只需要把金线直接放入卡线器里就能实现固定金线,无需额外的工具进行更换安装,这个卡线器内部和金线直接接触的地方设置有锯齿形状的锯齿卡口,其目的是防止金线滑落,而右侧是由半圆形固定夹套、档杆、推杆、压力弹簧和推块组成,其中半圆形固定夹套和推杆组成一个整体,半圆形固定夹套直接对金线进行固定,当把金线插入时,只需要向右推动推块来带动推杆和固定夹套向右移动,然后把金线放到固定夹套中间,然后松开推块,固定夹套会因为推杆右侧的压力弹簧的弹力把金线按压在锯齿卡口上固定好,压力弹簧会通过弹力时刻的使固定夹套对金线保持有对金线挤压的压力,使之不会出现松动的情况,有了这个卡线器可以在不借助任何工具的情况下对金线进行安装和更换,也使得金线在遇到高温或者别的情况都不会出现松动的情况,使得金线的使用寿命大大的增加,同时也增加了其使用范围和便利性。附图说明图1为本技术的半导体二极管结构示意图;图2为本技术的紧固器结构示意图;图3为本技术的卡线器结构示意图;图中:1、透明环氧树脂套;2、卡线器;3、金线;4、晶片;5、半导体膜;6、正极支架;7、负极支架;8、环套;9、正极杆;10、紧固器;11、负极杆;101、导电杆;102、弹簧;103、紧固块;21、锯齿卡口;22、固定夹套;23、档杆;24、推杆;25、压力弹簧;26、推块。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3,本技术提供一种技术方案:一种半导体二极管,包括负极支架7,负极支架7安装在透明环氧树脂套1的内部,负极支架7上端外壁中间设置有晶片4,晶片4中间设置有半导体膜5,负极支架7左侧设置有正极支架6,正极支架6内部上端设置有卡线器2,半导体膜5上端设置有金线3且金线3另一端安装在正极支架6上的卡线器2内部,透明环氧树脂套1四周最下端设置有环套8,正极支架6下端设置有正极杆9,负极支架7下端设置有负极杆11,负极杆11中段上设置有紧固器10,金线3、晶片4和半导体膜5通过正极杆9和负极杆11电性连接。为了放置正极杆9和负极杆11接电不够牢固,本技术中,优选的,紧固器10竖向中间设置有导电杆101,导电杆101左右两侧外部设置有弹簧102,左右两侧弹簧102外部设置有紧固块103。为了防止金线3脱落,本技术中,优选的,卡线器2内部最右端设置有压力弹簧25,压力弹簧25左端设置有推杆24,推杆24正下方设置有推块26且推块26连接推杆24在卡线器2的外部,推杆24左侧中间设置有固定夹套22,固定夹套22右侧设置有锯齿卡口21。为了接电更加稳定,本技术中,优选的,紧固器10共设置有两个,且两个紧固器10分别安装在正极杆9和负极杆11的中段上。为了更好的区分正负极,本技术中,优选的,正极杆9的长度大于负极杆11。为了紧固器10紧固效果更好,本技术中,优选的,弹簧102共设置有六个,且六个弹簧102分别安装在导电杆101的左右两侧。本技术的工作原理及使用流程:本技术安装好过后,首先通过正极杆9和负极杆11给该二极管进行通电,且半导体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值本文档来自技高网...
一种半导体二极管

【技术保护点】
1.一种半导体二极管,包括负极支架(7),其特征在于:所述负极支架(7)安装在透明环氧树脂套(1)的内部,所述负极支架(7)上端外壁中间设置有晶片(4),所述晶片(4)中间设置有半导体膜(5),所述负极支架(7)左侧设置有正极支架(6),所述正极支架(6)内部上端设置有卡线器(2),所述半导体膜(5)上端设置有金线(3)且金线(3)另一端安装在正极支架(6)上的卡线器(2)内部,所述透明环氧树脂套(1)四周最下端设置有环套(8),所述正极支架(6)下端设置有正极杆(9),所述负极支架(7)下端设置有负极杆(11),所述负极杆(11)中段上设置有紧固器(10),所述金线(3)、晶片(4)和半导体膜(5)通过正极杆(9)和负极杆(11)电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体二极管,包括负极支架(7),其特征在于:所述负极支架(7)安装在透明环氧树脂套(1)的内部,所述负极支架(7)上端外壁中间设置有晶片(4),所述晶片(4)中间设置有半导体膜(5),所述负极支架(7)左侧设置有正极支架(6),所述正极支架(6)内部上端设置有卡线器(2),所述半导体膜(5)上端设置有金线(3)且金线(3)另一端安装在正极支架(6)上的卡线器(2)内部,所述透明环氧树脂套(1)四周最下端设置有环套(8),所述正极支架(6)下端设置有正极杆(9),所述负极支架(7)下端设置有负极杆(11),所述负极杆(11)中段上设置有紧固器(10),所述金线(3)、晶片(4)和半导体膜(5)通过正极杆(9)和负极杆(11)电性连接。2.根据权利要求1所述的一种半导体二极管,其特征在于:所述紧固器(10)竖向中间设置有导电杆(101),所述导电杆(101)左右两侧外部设置有弹簧...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘秀军
申请(专利权)人:池州易声电子器件有限公司
类型:新型
国别省市:安徽,34

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