半导体器件及半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及半导体器件的制备方法。所述半导体器件包括隧穿场效应晶体管及平面器件，所述隧穿场效应晶体管包括第一衬底和第一电气元件，所述第一电气元件形成于所述第一衬底的一侧，所述平面器件包括第二衬底及第二电气元件，所述第二衬底与所述第一衬底为一体式结构并形成一个总衬底，所述第二电气元件形成于所述第二衬底的一侧，且所述第二电气元件与所述第一电气元件设置于所述总衬底的同一侧，其中，所述平面器件包括金属氧化物半导体晶体管、电容、电阻中的任意一种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵静，张臣雄，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44