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本发明提供了一种半导体器件及半导体器件的制备方法。所述半导体器件包括隧穿场效应晶体管及平面器件，所述隧穿场效应晶体管包括第一衬底和第一电气元件，所述第一电气元件形成于所述第一衬底的一侧，所述平面器件包括第二衬底及第二电气元件，所述第二衬底与...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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