三维存储器件及在其沟道孔中形成外延结构的方法技术

本发明专利技术涉及一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和辅助区；使用针对所述核心区的第一光刻步骤在所述核心区形成沟道孔；在所述沟道孔的底部形成外延结构；以及使用针对所述辅助区的第二光刻步骤在所述辅助区中形成虚拟孔和/或沟槽。本发明专利技术仅在核心区的沟道孔内形成外延结构，而在辅助区的虚拟孔和/或沟槽中不形成外延结构，能够解决形成外延结构带来的漏电以及可靠性风险，同时简化了工艺难度。

Three dimensional memory device and method for forming epitaxial structure in its channel hole

The present invention relates to a method of forming an epitaxial structure in a channel hole in a three-dimensional storage device, including the following steps: providing a semiconductor structure, the semiconductor structure including the core area and the auxiliary area; a channel hole is formed in the core area using the first lithography step for the core area; the bottom shape of the channel hole is formed. An epitaxial structure is formed; and a virtual hole and/or groove is formed in the auxiliary area using a second lithography step for the auxiliary area. The invention only forms the epitaxial structure in the channel hole of the core area, and does not form the epitaxial structure in the virtual holes and / or grooves in the auxiliary area, which can solve the leakage and reliability risk of the formation of the epitaxial structure, and simplify the process difficulty.

【技术实现步骤摘要】
三维存储器件及在其沟道孔中形成外延结构的方法
本专利技术主要涉及半导体制造方法，尤其涉及一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，以及三维存储器件。
技术介绍
为了克服二维存储器件的限制，业界已经研发了具有三维(3D)结构的存储器件，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。三维存储器件典型地分为形成存储单元的核心区和用于形成外围结构的辅助区。在三维存储器件，例如3DNAND闪存中，需要在核心区的沟道孔底部形成外延结构。在这一过程中，在一些辅助区，例如台阶区(StairStep,SS)的虚拟孔(dummyhole)和穿过存储阵列的接触(TAC)区屏障(barrier)中的沟槽(Trench)底部也是开放的，因此会一并在例如虚拟孔(dummyhole)和沟槽底部形成外延结构。这一工艺的缺点包括：(1)需要兼顾不同区域的孔或沟槽中的外延结构，导致工艺难度加大。(2)在虚拟孔和TAC屏障处形成的外延结构，如果质量不好，容易带来可靠性以及漏电等问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，可以解决由于在辅助区域形成外延结构带来的漏电以及可靠性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和辅助区；使用针对所述核心区的第一光刻步骤在所述核心区形成沟道孔；在所述沟道孔的底部形成外延结构；以及使用针对所述辅助区的第二光刻步骤在所述辅助区中形成虚拟孔和/或沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和辅助区；使用针对所述核心区的第一光刻步骤在所述核心区形成沟道孔；在所述沟道孔的底部形成外延结构；以及使用针对所述辅助区的第二光刻步骤在所述辅助区中形成虚拟孔和/或沟槽。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔的底部形成外延结构后还包括：在所述半导体结构上覆盖硬掩模层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述辅助区包括台阶区和/或穿过存储阵列的接触区。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔的底部形成外延结构时，所述虚拟孔和/或沟槽尚未形成。5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，使用针对所述辅助区的第二光刻步骤在所述辅助区中形成虚拟孔和/或沟槽后还包括：在所述虚拟孔和/或沟槽中沉积氧化物以封闭所述虚拟孔和/或沟槽。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述虚拟孔和/或沟槽中的所述氧化物直接接触所述半导体结构底层的衬底。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述外延结构的方法包括选择性外延生长。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻步骤和所述第二光刻步骤使用不同的光掩模。9.一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和辅助区；使用针对所述辅助区的第一光刻步骤在所述辅助区中形成虚拟孔和/或沟槽；使用针对所述核心区的第二光刻步骤在所述核...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨号号，吕震宇，陈俊，胡禺石，陶谦，董金文，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42