非易失性存储器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体器件，公开了一种非易失性存储器件。在本实用新型专利技术的非易失性存储器件中，源极、漏极的二维材料为锯齿构型，源极和漏极之间的散射区的二维材料施加应变后在锯齿构型与扶椅构型之间变化，透射系数相差很大，使得该非易失性存储器件能够在开/关两种状态间切换，并且切换时间较短，从而成为新型非易失性存储器件。

Nonvolatile memory device

The utility model relates to a semiconductor device, and discloses a non-volatile memory device. In the non-volatile memory parts of the utility model, the two dimensional material of the source and the drain is the sawtooth configuration, and the two-dimensional material between the source and the drain is changed between the sawtooth configuration and the armchair configuration after the two dimensional material between the source and the drain. The transmission coefficient is very different, so that the non-volatile memory parts can be between the two states of opening / closing. Switching and switching time is relatively short, thus becoming a new non-volatile memory device.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件
本技术涉及半导体器件，特别涉及非易失性存储器件。
技术介绍
非易失性存储器件是指保存计算机数据后无论是否维持通电，数据仍不丢失的存储器，计算机硬盘是非易失性存储器的典型例子。非易失性存储器件种类很多。传统的机械硬盘利用磁电阻效应，硬盘磁头读取盘片磁化程度不同的区域时，电阻有明显差异，对应0和1；固态硬盘则利用浮栅晶体管(由硅及其氧化物或氮化物制成)，浮栅注入电子和不注入电子对应0和1，电导有明显差异。然而，本申请的专利技术人发现，机械硬盘方案容量大、价格低、但速度慢，固态硬盘方案则速度快，但价格昂贵且存储单元擦写次数比较有限。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种非易失性存储器件，可以通过施加应变来切换状态并且切换时间较短。为解决上述技术问题，本技术的实施方式公开了一种非易失性存储器件，包括衬底、栅极、位于栅极与衬底之间的绝缘层和位于栅极两侧的源极、漏极，源极和漏极是含有氯的锯齿构型二维材料，源极与漏极之间的散射区的二维材料在沿该散射区长度施加拉应变时为锯齿构型，在沿该散射区长度施加压缩应变时为扶椅构型。本技术实施方式与现有技术相比，主要区别及其效果在于：在本技术的非本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器件,包括衬底(1)、栅极(2)、位于所述栅极(2)与所述衬底(1)之间的绝缘层(8)和位于栅极(2)两侧的源极(3)、漏极(4)，其特征在于，所述源极(3)和所述漏极(4)是含有氯的锯齿构型二维材料，所述源极(3)与所述漏极(4)之间的散射区(5)的二维材料在沿所述散射区(5)长度施加拉应变时为锯齿构型，在沿所述散射区(5)长度施加压缩应变时为扶椅构型。

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器件,包括衬底(1)、栅极(2)、位于所述栅极(2)与所述衬底(1)之间的绝缘层(8)和位于栅极(2)两侧的源极(3)、漏极(4)，其特征在于，所述源极(3)和所述漏极(4)是含有氯的锯齿构型二维材料，所述源极(3)与所述漏极(4)之间的散射区(5)的二维材料在沿所述散射区(5)长度施加拉应变时为锯齿构型，在沿所述散射区(5)长度施加压缩应变时为扶椅构型。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其特征在于，所述二维材料是GeS。3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其特征在于，所述二维材料是磷烯。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁明星，王音，龚奎，
申请(专利权)人：鸿之微科技上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31