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本实用新型涉及半导体器件，公开了一种非易失性存储器件。在本实用新型的非易失性存储器件中，源极、漏极的二维材料为锯齿构型，源极和漏极之间的散射区的二维材料施加应变后在锯齿构型与扶椅构型之间变化，透射系数相差很大，使得该非易失性存储器件能够在开...
该专利属于鸿之微科技（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿之微科技（上海）股份有限公司授权不得商用。

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