本发明公开了一种晶体结构的预测方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取待预测材料的初始晶体结构以及待预测材料的初始晶体结构对应的能量标签，进而基于待预测材料的初始晶体结构及其对应的能量标签，对初始神经网络模型进行训练，得到晶体结...

本发明实施例公开了一种晶体属性预测方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取目标晶体中的初始原子的原子位置以及原子类型，并且获取已训练完成的目标晶体属性预测模型；根据初始原子的原子位置以及预设截断半径，确定目标原子路径，并确定目标...

本发明公开了一种文本关键词的生成方法、装置、设备及介质。涉及自然语言处理领域。该方法包括：获取与源文本对应的词向量表示序列；将词向量表示序列分别输入至编码网络和序列标注网络，获取与源文本对应的第一类上下文表示序列和第二类上下文表示序列；...

本实用新型公开了一种新型的光电探测器，包括绝缘衬底，以及与绝缘衬底的一侧连接的磷烯层，以及与磷烯层的另外一侧连接的防反射膜，以及与防反射膜的两侧连接的第一电极和第二电极，且第一电极和第二电极还与磷烯层连接，通过将光子的角动量传递到由光选...

本实用新型公开了一种新型二维光电自旋电池，包括绝缘衬底，以及与绝缘衬底表面连接的黑磷层，以及与黑磷层的另外一端面连接的第一电极和第二电极，用于产生磁性变化，以及第一电极与第二电极之间设置的且与黑磷层连接的防反射膜，用于提高光的转换效率，...

本实用新型公开了一种基于力学应变的光电池器件，包括绝缘衬底，以及与绝缘衬底的一端连接的黑磷层，以及设置于黑磷层两侧的且与其连接的绝缘拉杆一和绝缘拉杆二，且绝缘拉杆一和绝缘拉杆二也与绝缘衬底连接，以及与黑磷层的另外一端连接的防反射膜，用于...

本实用新型涉及半导体器件，公开了一种基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管。在本实用新型的场效应晶体管中，弯曲的碳纳米管从源极穿过沟道区延伸到漏极，基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管可以将场效应晶体管的尺寸做到几个纳米级别，并且在电子输运方面保持良...

本实用新型涉及半导体器件，公开了一种非易失性存储器件。在本实用新型的非易失性存储器件中，源极、漏极的二维材料为锯齿构型，源极和漏极之间的散射区的二维材料施加应变后在锯齿构型与扶椅构型之间变化，透射系数相差很大，使得该非易失性存储器件能够...

本发明涉及电子结构计算，公开了一种基于VASP的能带结构计算方法及系统。在本申请中，通过图形界面获取自洽计算和非自洽计算所需的计算参数和计算资源信息可以一次性获取参数，执行效率高，通过解析器将输入的计算参数解析为VASP能够识别的参数以...

本发明涉及信息技术领域，公开了一种调用另一个系统中计算程序的方法及系统。在本申请中，在本地对远程服务器中待被调用的计算程序的路径进行配置并且生成管理文件夹以保存待被调用的计算程序的输入文件，然后自动发送输入文件至远程服务器以执行计算，从...