三维存储器件及其制作过程的器件保护方法技术

本发明专利技术涉及一种器件保护方法，用于三维存储器件的制作过程，所述方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和周边区；在所述半导体结构上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述核心区和所述周边区，其中所述堆叠层具有交替堆叠的第一材料层和第二材料层，且最顶层和最底层为第一材料层；以及刻蚀所述核心区的所述堆叠层中最底层以上的层以形成第一阶梯结构，且去除所述周边区的所述堆叠层中最底层以上的层，保留所述最底层作为器件保护层。所述器件保护方法可以在核心区的后续工艺中保护周边区的器件不受核心区的反应气体的渗透。

Three dimensional memory device and its device protection method in manufacturing process

The invention relates to a device protection method for the fabrication of a three-dimensional storage device. The method comprises the following steps: providing a semiconductor structure, the semiconductor structure including a core area and a peripheral zone, a stack layer on the semiconductor structure, the stack covering the core area and the surrounding area, and the structure of the semiconductor structure. The stacked layer in which the first material layer and the second material layer are stacked alternately, and the top layer and the lowest layer are the first material layer, and the layer above the lowest layer of the stacked layer of the core area is etched to form a first step structure, and the bottom layer above the bottom of the stack layer of the surrounding area is removed and retained. The bottom layer is used as the device protection layer. The device protection method can protect the device in the peripheral region from the penetration of the reactive gas in the core region in the subsequent process of the core region.

【技术实现步骤摘要】
三维存储器件及其制作过程的器件保护方法
本专利技术主要涉及半导体制造方法，尤其涉及一种用于三维存储器件的制作过程的器件保护方法和三维存储器件。
技术介绍
为了克服二维存储器件的限制，业界已经研发了具有三维(3D)结构的存储器件，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。在已知的三维存储器件的制作过程中，用于形成存储单元的核心区和用于形成互连电路的周边区会经历不同的制程。因此在对其中一个区进行处理时，需要对另一个区进行保护。例如，在对核心区进行处理(例如高温退火)时，需要在周边区形成保护层，以避免氢气、氧气等反应气体扩散到周边区，从而影响周边区的电子性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种用于三维存储器件的制作过程的器件保护方法和三维存储器件，可以在处理核心区的过程中保护周边区的器件。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种器件保护方法，用于三维存储器件的制作过程，所述方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和周边区；在所述半导体结构上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述核心区和所述周边区，其中所述堆叠层具有交替堆叠的第一材料层和第二材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件保护方法，用于三维存储器件的制作过程，所述方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和周边区；在所述半导体结构上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述核心区和所述周边区，其中所述堆叠层具有交替堆叠的第一材料层和第二材料层，且最顶层和最底层为第一材料层；以及刻蚀所述核心区的所述堆叠层中最底层以上的层以形成第一阶梯结构，且去除所述周边区的所述堆叠层中最底层以上的层，保留所述最底层作为器件保护层。

【技术特征摘要】
1.一种器件保护方法，用于三维存储器件的制作过程，所述方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和周边区；在所述半导体结构上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述核心区和所述周边区，其中所述堆叠层具有交替堆叠的第一材料层和第二材料层，且最顶层和最底层为第一材料层；以及刻蚀所述核心区的所述堆叠层中最底层以上的层以形成第一阶梯结构，且去除所述周边区的所述堆叠层中最底层以上的层，保留所述最底层作为器件保护层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括去除所述核心区中暴露的第一材料层，以形成第二阶梯结构。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述周边区具有至少一器件，所述器件上覆盖有氧化层，所述氧化层具有顶面和多个侧面，所述方法还包括去除所述顶面或至少一部分侧面上覆盖的第一材料层。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述核心区和所述周边区的第一材料层在同一步骤中去除。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述周边区具有至少一器件，所述器件上覆盖有氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宋曼，刘思莹，周成，赵治国，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42