The invention discloses a manufacturing method of flash memory. The steps include: completing the gate structure of the flash memory unit and making the source area; forming the first side wall on both sides of the polysilicon line by growth and comprehensive etching process; growing the fourth nitriding layer to completely fill the distance between the first sides of the two polysilicon lines; The fourth nitriding layer at the top of the source area is followed by the etching of the fourth nitriding layer on the second side of the polysilicon line to form a second side wall; the first source leakage injection is used to form the leakage area of the flash memory unit, and the fifth silicon oxide layer is deposited. The photolithography of the active region is used to define the lithography and etching the fifth silicon oxide layer; the source is used. The photolithography of the area is defined and the fourth nitriding layer at the top of the source area is removed; at the same time metal silicides are formed on the surface of the source and leakage areas on both sides of the polysilicon line, forming an interlayer membrane, forming a contact hole, a frontal metal layer, and graphing the frontal metal layer. The invention can reduce the contact resistance of the source area and improve the programming efficiency.
【技术实现步骤摘要】
闪存的制造方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别是涉及一种闪存(Flash)的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，非易失性闪存市场占有率越来越高。当前传统分栅闪存器件采用源漏非对称结构，源端尺寸相对漏端来说相对较小，源端通过比较重的离子注入来降低源端电阻，漏端除了正常的离子注入外通过形成镍化硅来降低漏端阻值，但由于源端尺寸小采用当前工艺无法形成镍化硅,使得源端阻值较大；对于非易失性分栅闪存器件来说，其编程原理采用热电子注入(HCI)编程，如果能够降低源端阻值，则对提高闪存的编程效率有着非常重要的意义。闪存包括存储区和外围电路区，如图1所示，是现有闪存的存储区的版图结构；图1中，多晶硅行101由同一行的各闪存单元的多晶硅控制栅连接而成；在存储区中的有源区103成条形结构，多晶硅行101和有源区103之间相交叠的区域即虚线框106所示区域为闪存单元的栅极结构的区域，栅极结构包括由栅氧化层、多晶硅浮栅、控制栅介质层和多晶硅控制栅形成的叠加结构。多晶硅浮栅位于虚线框106中。在多晶硅行101两侧的有源区中分别形成由源区和漏区，源区和漏区都是由相邻的...
【技术保护点】
1.一种闪存的制造方法，其特征在于，闪存包括存储区和外围电路区，所述存储区包括由多个闪存单元排列形成的闪存单元阵列；所述闪存的存储区的制造步骤包括：步骤一、在所述存储区中形成有源区并完成所述闪存单元的栅极结构和源区的制作；各所述闪存单元的栅极结构包括由第一栅氧化层、多晶硅浮栅、第二控制栅介质层和多晶硅控制栅形成的叠加结构；在所述闪存单元阵列中，所述有源区由形成于硅衬底表面的场氧隔离，各所述有源区呈条形结构并平行排列；同一行的各所述闪存单元的所述多晶硅控制栅连接在一起并组成多晶硅行；各所述多晶硅行和所述有源区的交叠区域为所述闪存单元的栅极结构的形成区域，所述多晶硅浮栅位于所述...
【技术特征摘要】
1.一种闪存的制造方法，其特征在于，闪存包括存储区和外围电路区，所述存储区包括由多个闪存单元排列形成的闪存单元阵列；所述闪存的存储区的制造步骤包括：步骤一、在所述存储区中形成有源区并完成所述闪存单元的栅极结构和源区的制作；各所述闪存单元的栅极结构包括由第一栅氧化层、多晶硅浮栅、第二控制栅介质层和多晶硅控制栅形成的叠加结构；在所述闪存单元阵列中，所述有源区由形成于硅衬底表面的场氧隔离，各所述有源区呈条形结构并平行排列；同一行的各所述闪存单元的所述多晶硅控制栅连接在一起并组成多晶硅行；各所述多晶硅行和所述有源区的交叠区域为所述闪存单元的栅极结构的形成区域，所述多晶硅浮栅位于所述闪存单元的栅极结构的形成区域中；所述闪存单元的源区位于相邻的两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述硅衬底中，同一行的各所述闪存单元的源区的底部都连接到同一根源区行线；相邻的两个所述多晶硅行的第二侧之间的区域为所述闪存单元的漏区形成区，两个所述多晶硅行的第一侧之间间距小于两个所述多晶硅行的第二侧之间间距；步骤二、采用生长和全面刻蚀工艺形成在所述多晶硅行的两侧形成第一道侧墙，所述第一道侧墙由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加而成，控制所述第一道侧墙的生长厚度使刻蚀后两个所述多晶硅行的第一侧之间依然具有间距；步骤三、生长第四氮化层，所述第四氮化层将两个所述多晶硅行的第一侧之间的间距完全填充；步骤四、采用所述源区的光罩进行光刻形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形将所述源区顶部的两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述第四氮化层保护，所述源区之外的所述第四氮化层的表面打开；之后，以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述第四氮化层进行刻蚀在各所述多晶硅行的第二侧形成第二道侧墙，各所述多晶硅行的第二侧的第一道侧墙和第二道侧墙叠加形成所需要厚度的侧墙结构，之后去除所述第一光刻胶图形；步骤五、在所述存储区进行第一次源漏注入在两个所述多晶硅行的第二侧之间的所述有源区中形成所述闪存单元的漏区，所述闪存单元的漏区和对应的所述多晶硅行的第二侧的所述第二道侧墙的侧面自对准；所述源区的底部被填充于两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述第四氮化层和所述第一道侧墙保护而不受所述第一次源漏注入的影响；步骤六、沉积第五氧化硅层将两个所述多晶硅行的第二侧之间的间距完全填充；采用所述有源区的光罩进行光刻定义并对所述第五氧化硅层进行刻蚀将两个所述多晶硅行的第二侧间隔和所述有源区交叠区中的所述第五氧化硅层去除并将所述硅衬底表面露出；步骤七、采用所述源区的光罩进行光刻形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形将所述源区顶部的两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述第四氮化层表面打开，所述源区之外的区域覆盖；以所述第二光刻胶图形为掩膜将所述源区顶部的两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述第四氮化层去除并将所述硅衬底表面露出；步骤八、同时在两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述源区表面以及在两个所述多晶硅行的第二侧之间的所述漏区表面形成金属硅化物；步骤九、形成层间膜，所述层间膜将两个所述多晶硅行的第一侧之间的间隔完全填充以及将两个所述多晶硅行的第二侧之间的间隔完全填充并覆盖各所述多晶硅行的顶部；步骤十、形成接触孔，正面金属层，对所述正面金属层进行图形化形成字线、位线和源线，各所述多晶硅行通过接触孔连接到对应行的所述字线，各所述闪存单元的所述漏区通过对应的接触孔连接到对应列的所述位线，各所述源区行线通过接触孔连接到对应行的所述源线。2.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于：步骤一中还包括形成所述外围电路区中的MOS晶体管的栅极结构的步骤，所述MOS晶体管的栅极结构包括叠加于所述硅衬底表面的第二栅氧化层和第二多晶硅栅；各所述MOS晶体管形成于对应的有源区之中；步骤二中，所述第一道侧墙同时形成于所述第二多晶硅栅的侧面...
【专利技术属性】
技术研发人员：张金霜，陈昊瑜，王奇伟，姬峰，秦佑华，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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