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本发明公开了一种闪存的制造方法，步骤包括：完成闪存单元的栅极结构和源区的制作；采用生长和全面刻蚀工艺形成在多晶硅行的两侧形成第一道侧墙；生长第四氮化层将两个多晶硅行的第一侧之间的间距完全填充；光刻保护源区顶部的第四氮化层，之后进行第四氮化层...
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