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本发明涉及一种在三维存储器件的沟道孔中形成外延结构的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和辅助区；使用针对所述核心区的第一光刻步骤在所述核心区形成沟道孔；在所述沟道孔的底部形成外延结构；以及使用针对所述辅助区的第二光...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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