An electronic component and a process for making stealth cutting along the septum with a plurality of electronic components and the septum between the plurality of electronic components are carried out to form a plurality of different invisible cutting paths in the intersecs of the area, and a plurality of electronic components are separated along the septum.
【技术实现步骤摘要】
电子元件及其制法
本专利技术有关一种电子元件的制法，尤指一种电子元件的切单方法。
技术介绍
近年来，伴随着行动电话或平板等行动装置，或透过记忆卡进行资料存取的资讯记忆装置的小型化与轻量化，而加速推进组装于上述装置的半导体晶片的薄型化。另外，传统于半导体晶圆进行切单制程中，使用刀片切割半导体晶圆以获得多个半导体晶片，惟因半导体晶圆较薄，此切割方式容易产生碎屑，同时降低该半导体晶片的抗折强度。再者，从提高半导体装置的运作速度的观点来看，作为半导体晶片的配线层间的绝缘膜，虽然有使用介电率比氧化硅更低的介电膜的产品，但是介电率低的介电膜较脆，因而易剥落或内部会有少许气泡，导致于切割作业时刀片不易将其切断。因此，业界遂发展出隐形切割(StealthDicing)，以避免上述问题。如图1A所示，所述的隐形切割方式通过于一具有半导体晶片10的半导体晶圆1将激光7以相同路径长度沿各该半导体晶片10之间的区隔部S照射该半导体晶圆1内部以破坏其内部结构而形成变质层，再利用该变质层作为分割路径来切断该半导体晶圆1，以分离各该半导体晶片10。一般而言，于切单制程中，若现有半导体晶圆1的各...
【技术保护点】
1.一种电子元件的制法，其特征为，该制法包括：提供一具有相对的第一表面与第二表面的基板，其中，该基板包含有多个电子元件与布设于该多个电子元件之间的多个区隔部；对应该多个区隔部位置进行隐形切割，其中，该隐形切割是于单一该区隔部中形成多个隐形切割路径，且至少二该隐形切割路径的长度不相同；以及沿该多个区隔部分离各该电子元件。
【技术特征摘要】
2017.01.25 TW 1061028961.一种电子元件的制法，其特征为，该制法包括：提供一具有相对的第一表面与第二表面的基板，其中，该基板包含有多个电子元件与布设于该多个电子元件之间的多个区隔部；对应该多个区隔部位置进行隐形切割，其中，该隐形切割是于单一该区隔部中形成多个隐形切割路径，且至少二该隐形切割路径的长度不相同；以及沿该多个区隔部分离各该电子元件。2.根据权利要求1所述的电子元件的制法，其特征为，该制法还包括于进行隐形切割前，自该基板的第一表面形成未贯穿该基板的沟槽于该区隔部上。3.根据权利要求1所述的电子元件的制法，其特征为，至少二该电子元件的尺寸不同。4.根据权利要求1所述的电子元件的制法，其特征为，该多个区隔部的布设呈T形。5.根据权利要求1所述的电子元件的制法，其特征为，该隐形切割路径的长度大小对应其距离该第一表面远近的位置。6.根据权利要求5所述的电子元件的制法，其特征为，该隐形切割路径于靠近该第一表面的长度小于该隐形切割路径远离该第一表面的长度。7....
【专利技术属性】
技术研发人员：陈培领，林伟胜，江连成，朱育德，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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