一种束线型磁控溅射生产线制造技术

本申请公开了一种束线型磁控溅射生产线，包括设置在支架上的进出样室、镀膜室、高温退火室，进出样室内固定设置有第一基片放置架，在高温退火室内设置有第三基片放置架，其特征在于：还设置有基片传送室、缓存室和第一升降机构，基片传送室分别连接进出样室、镀膜室、高温退火室和缓存室，第一基片放置架的下部连接第一升降机构，基片传送室内设置有一个旋转中心和机械手，机械手安装在旋转中心上，高温退火室包括高温室和退火室，在所述高温室和所述的退火室之间设置有第二隔热层，在高温室的上面固定设置有第一隔热层，所述的缓存室与进出样室为相同的结构。

A beam line magnetron sputtering production line

The application discloses a beam line magnetron sputtering production line, which includes an import and export chamber, a coating room and a high temperature annealing chamber arranged on a bracket. A first base sheet placement frame is fixed in the import and export chamber, and a third base placement frame is set in the high temperature annealing room. The base sheet transmission room is connected with the import and export chamber, the coating room, the high temperature annealing room and the caching chamber. The lower part of the first substrate placement frame is connected with the first lifting mechanism. The base plate transmission room is set with a rotating center and a manipulator, the manipulator is installed on the rotating center, the high temperature annealing room includes the high temperature room and the annealing. A second heat insulation layer is arranged between the high temperature chamber and the annealing chamber, and a first heat insulation layer is fixed on the top of the high temperature chamber, and the caching chamber is the same structure as the import and export chamber.

【技术实现步骤摘要】
一种束线型磁控溅射生产线
本申请涉及一种生产线，具体是束线型磁控溅射生产线。
技术介绍
现有技术中完成镀膜需要经过人工放置需要镀膜的基片、磁控溅射镀膜、高温退火处理和取出镀好膜的基片的步骤，每个步骤之间存在生产空隙，无法实现连续性镀膜,有时间损耗，为适应市场需求，节约成本并提高生产效率，自动化生产线已经大势所趋。
技术实现思路
本申请解决的技术问题是克服现有技术中存在的不足，而提供一种自动化程度高，提高生产效率的束线型磁控溅射生产线。本申请解决上述技术问题所采用的技术方案包括：一种束线型磁控溅射生产线，包括设置在支架上的进出样室、镀膜室、高温退火室，所述的进出样室内固定设置有第一基片放置架，在高温退火室内设置有第三基片放置架，其特征在于：还设置有基片传送室、缓存室、第一升降机构和第三升降机构，所述的基片传送室分别连接进出样室、镀膜室、高温退火室和缓存室，所述的第一基片放置架的下部连接第一升降机构，所述的基片传送室内设置有一个旋转中心和机械手，所述的机械手安装在所述的旋转中心上，所述的高温退火室包括高温室和退火室，在所述高温室和所述的退火室之间设置有第二隔热层，所述的第三基片放置架的下部连接所述的第三升降机构，第三基片放置架的上面连接所述的第二隔热层的内圈，第二隔热层的外圈固定设置在高温室的下面，在高温室的上面固定设置有第一隔热层，所述的缓存室与进出样室为相同的结构，其优点和效果是：在高温退火室还在运作的时候，将镀膜好的基片先暂时放到缓存区，提高效率。优选的，在所述的进出样室和基片传送室之间设置有第一阀门，在所述的镀膜室和基片传送室之间设置有第二阀门，在所述的高温退火室和基片传送室之间设置有第三阀门，其优点和效果是：使进出样室与其他室隔离，不用对整个设备进行真空处理，只需要对进出样室进行真空处理即可。优选的，还设置有第一抽气泵、第二抽气泵和第三抽气泵，所述的第三抽气泵连接所述的进出样室，所述的第二抽气泵连接所述的镀膜室，所述的第一抽气泵连接所述的高温退火室，其优点和效果是：在维护作业后，单独对维护的操作室进行真空处理，缩短真空处理时间。优选的，在所述的进出样室上设置有第一密封门，在所述镀膜室上设置有第二密封门，在所述的高温退火室上设置有第三密封门，其优点和效果是：每个操作单元单独设置一个密封门，使维护更加方便。优选的，所述的镀膜室、高温退火室、基片传送室和缓存室都处于真空状态，其优点和效果是：开始作业时，只需要对进出样室进行真空处理即可，缩小真空处理的空间，压缩时间，提高效率。优选的，所述的第一基片放置架和第三基片放置架是分层结构，每层由分开的两片凸起构成。优选的，所述的镀膜室为8寸的磁控溅射阴极，功率12kw，功率加载在4500W以上，功率密度超过14W/cm2本申请具有以下特点:自动化程度高，提高生产效率。附图说明图1是本申请实施例的立体结构示意图。图2是本申请实施例的俯视图。图3是本申请实施例的进出样室的立体示意图。图4是本申请实施例的镀膜室的立体示意图。图5是本申请实施例的高温退火室的立体示意图。图6是本申请实施例的高温退火室的俯视图。图7是本申请实施例的图6的A-A的剖视图。图中：1进出样室，11第一密封门，12第一基片放置架，13第一阀门，14第一升降机构，2镀膜室，21第二密封门，22第二阀门，3高温退火室，31第三密封门，32第三阀门，33第三升降机构，34第三基片放置架，35加热装置，36第一隔热层，37连接件，38第二隔热层，4缓存室，41第四密封门，42第二基片放置架，43第四阀门，51第一抽气泵，52第二抽气泵，6基片传送室，61旋转中心，62机械手，7支架。具体实施方式下面结合附图并通过实施例对本申请作进一步的详细说明，以下实施例是对本申请的解释而本申请并不局限于以下实施例。如图1至图6所示，束线型磁控溅射生产线包括设置在支架7上的进出样室1、镀膜室2、高温退火室3和基片传送室6，基片传送室6分别连接进出样室1、镀膜室2和高温退火室3，在进出样室1和基片传送室6之间设置有第一阀门13，在镀膜室2和基片传送室6之间设置有第二阀门22，在高温退火室3和基片传送室6之间设置有第三阀门32，在进出样室1上设置有一个第一密封门11，进出样室1内固定设置有一个多层的第一基片放置架13，能分层放置总共10片基片，第一基片放置架13的下部连接第一升降机构14，第三抽气泵（图中未示出）连接进出样室1，在镀膜室2上设置有第二密封门21，镀膜室2内为现有技术的磁控溅射镀膜装置，每次只能镀膜一片基片，镀膜的时间在5至6分钟左右，镀膜室2由一个8寸的磁控溅射阴极，功率12kw，实现射频全屏蔽，功率加载在4500W以上，功率密度超过14W/cm2,第二抽气泵52连接镀膜室2，对镀膜室2进行抽真空处理，在高温退火室3上设置有第三密封门31，第一抽气泵51连接高温退火室3，对高温退火室3进行抽真空处理，基片传送室6内设置有一个旋转中心61，机械手62可旋转的安装在旋转中心61上，机械手62一次夹取一片基片。参见图7，该图为高温退火室3的剖面图，高温退火室3包括高温室81和退火室82，在高温室81和退火室82之间设置有第二隔热层38，两边温区相差超过1000度,防止抓取基片时机械手62损坏，在退火室83内设置有多层第三基片放置架34，能分层放置总共10片基片，第三基片放置架34的下部连接第三升降机构33，第三基片放置架34的上面通过连接件37连接第二隔热层38的内圈，在高温室81的内壁环形设置有加热装置35，加热时温度可达1600摄氏度，高温室81的上面设置有第一隔热层36，第二隔热层38的外圈固定设置在高温室81的下面，高温退火室3一次可以处理10片基片，需要的时间大致在120分钟左右。因为高温退火处理的时间较长，机械手62无法将镀膜好的基片传送到退火室82，使镀膜室2空操作，因此基片传送室6还连接有一个缓存室4，缓存室4与进出样室1为相同的结构，在缓存室4和基片传送室6之间设置有第四阀门43，在缓存室4上设置有一个第四密封门41，缓存室4内固定设置有一个多层的第二基片放置架42，第二放置架42下部连接第二升降机构（图中未标出），暂时将镀膜好的基片先放在缓存室4内，待高温退火处理结束，机械手62将退火室82的成品全部送出到进出样室1后，机械手62直接从缓存区4抓取镀膜好的基片放置到高温退火室3中，放满10片，继续高温退火处理，使效率提升。第一基片放置架12、第二基片放置架42和第三基片放置架34是分层结构，每层由分开的两片凸起（图中未示出）构成。工作状态下，镀膜室2、高温退火室3、基片传送室6和缓存室4都处于真空状态，只有进出样室1需要放置基片时才会与外部接触，因此只会用到第一密封门13，其他密封门只有在设备维护的时候才会使用。工作步骤1.打开第一密封门11，将基片放入到第一基片放置架13内，总共10片，一层一片；2.关闭第一密封门11，第三抽气泵（图中未示出）对进出样室1抽真空处理；3.打开第一阀门13、第二阀门22、第三阀门32和第四阀门43，机械手62一次一片地将基片传送到镀膜室2进行镀膜操作；4.机械手62将镀膜好的基片放入到退火室82中的第三基片放置架34，总共放置10片；5．关闭第三阀门本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种束线型磁控溅射生产线，包括设置在支架上的进出样室、镀膜室、高温退火室，所述的进出样室内固定设置有第一基片放置架，在高温退火室内设置有第三基片放置架， 其特征在于：还设置有基片传送室、缓存室、第一升降机构和第三升降机构，所述的基片传送室分别连接进出样室、镀膜室、高温退火室和缓存室，所述的第一基片放置架的下部连接第一升降机构，所述的基片传送室内设置有一个旋转中心和机械手，所述的机械手安装在所述的旋转中心上，所述的高温退火室包括高温室和退火室，在所述高温室和所述的退火室之间设置有第二隔热层，所述的第三基片放置架的下部连接所述的第三升降机构，第三基片放置架的上面连接所述的第二隔热层的内圈，第二隔热层的外圈固定设置在高温室的下面，在高温室的上面固定设置有第一隔热层，所述的缓存室与进出样室为相同的结构。

【技术特征摘要】
1.一种束线型磁控溅射生产线，包括设置在支架上的进出样室、镀膜室、高温退火室，所述的进出样室内固定设置有第一基片放置架，在高温退火室内设置有第三基片放置架，其特征在于：还设置有基片传送室、缓存室、第一升降机构和第三升降机构，所述的基片传送室分别连接进出样室、镀膜室、高温退火室和缓存室，所述的第一基片放置架的下部连接第一升降机构，所述的基片传送室内设置有一个旋转中心和机械手，所述的机械手安装在所述的旋转中心上，所述的高温退火室包括高温室和退火室，在所述高温室和所述的退火室之间设置有第二隔热层，所述的第三基片放置架的下部连接所述的第三升降机构，第三基片放置架的上面连接所述的第二隔热层的内圈，第二隔热层的外圈固定设置在高温室的下面，在高温室的上面固定设置有第一隔热层，所述的缓存室与进出样室为相同的结构。2.根据权利要求1所述的束线型磁控溅射生产线，其特征在于：在所述的进出样室和基片传送室之间设置有第一阀门，在所述的镀膜室和基片传送室之间设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炯，杨林，姜琼，
申请(专利权)人：杭州赛威斯真空技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33