【技术实现步骤摘要】
一种新型变色防隐裂太阳能电池保护涂层的制备方法
本专利技术属于太阳能电池保护涂层的制造
，尤其涉及一种新型变色防隐裂太阳能电池保护涂层的制备。
技术介绍
目前已经商业化应用于大规模光伏电站的太阳能板以基于玻璃为衬底的非晶硅或者多晶硅材料为主，不论是多晶硅还是单晶硅，制备太阳能电池板的技术都是采用硅基材料，通过掺杂形成P型或者N型，然后镀上各种材料，形成太阳能基片，而后挤压组装成太阳能电池板。然而，Si材料的太阳能材料尤其脆，很容易产生隐裂，影响发电效率。其次，如果能使电池板变颜色，不仅可以增强对太阳能光谱的吸收，还可以使太阳能电池板美观，与建筑完美结合。
技术实现思路
本专利技术就是针对上述问题，提供一种新型变色防隐裂太阳能电池保护涂层的制备方法。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案，本专利技术包括以下步骤：1）将Si基太阳能电池基片用离子水超声波清洗后，吹干送入磁控溅射反应室，在真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极；2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加...
【技术保护点】
1.一种新型变色防隐裂太阳能电池保护涂层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将Si基太阳能电池基片用离子水超声波清洗后，吹干送入磁控溅射反应室，在真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极；2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；在蒸镀AZO透明导电电极的电池基片上继续沉积制备TiSiN薄膜作为抗腐蚀保护涂层；3）将磁控溅射反应室抽真空，将蒸镀完毕AZO透明导电电极和TiSiN薄膜的电池基片翻过来，向磁控溅射反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池...
【技术特征摘要】
1.一种新型变色防隐裂太阳能电池保护涂层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将Si基太阳能电池基片用离子水超声波清洗后，吹干送入磁控溅射反应室，在真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极；2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；在蒸镀AZO透明导电电极的电池基片上继续沉积制备TiSiN薄膜作为抗腐蚀保护涂层；3）将磁控溅射反应室抽真空，将蒸镀完毕AZO透明导电电极和TiSiN薄膜的电池基片翻过来，向磁控溅射反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片正面沉积制备AZO透明导电电极；4）将磁控溅射反应室抽真空，向磁控溅射反应室通入氩气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片正面沉积制备AZO透明导电电极之后继续沉积制备MgF2变色材料；5）向磁控溅射反应室中通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；继续制备TiSiN抗腐蚀保护涂层。2.根据权利要求1所述一种新型变色防隐裂太阳能电池保护涂层的制备方法，其特征在于所述步骤1）将Si基太阳能电池基片用离子水超声波清洗5分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气与氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分钟。3.根据权利要求2所述一种新型变色防隐裂太阳能电池保护涂层的制备方法，其特征在于所述步骤2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，氮气流量为30sccm～80sccm，反应溅射氮化钛靶材和硅靶材的纯度为99.99%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～400℃，反应时间为20分钟。4.根据权利要求3所述一种新型变色防隐裂太阳能电池保护涂层的制备方法，其特征在于所述步骤3）将磁控溅射反应室抽真空至1.0×10-3Pa真空条件，将蒸镀完毕AZO透明导电电极和TiSiN薄膜的电池基片翻过来，向磁控溅射反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气与氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9%，对电池基片进行加热，加热温度为100℃～300℃，反应时间为30分...
【专利技术属性】
技术研发人员：鞠振河，郭睿，张东，
申请(专利权)人：辽宁太阳能研究应用有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21
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