The present invention discloses a magnetron sputtering preparation process for high resistance and high barrier composite packaging film, which comprises the following steps: (1) preparation of a substrate; (2) pre sputtering of a substrate into a pre sputtering true empty box, a pre sputtering gas of 99.95%, 99.99% argon gas, and a pre sputtering power increase rate of 0.1 6W small When the sputtering time is 30, the sputtering time is 30 and 500 seconds; (3) the RF power is opened and the multi target is deposited on the pre sputtering substrate to prepare the composite high resistance film, in which the pre sputtered substrate is fixed on the surface of the roller and the vacuum degree of the vacuum chamber is controlled by 0.1 10 * 10 5Pa, the working gas is argon or argon oxygen mixing. The purity of gas is 99.95%, the gas flow is 99.99%, the gas flow is 10 450sccm, the oxygen purity is 99.95% 99.999%, the gas flow is 0.5, and the operating pressure is 0.2 2Pa, the target base distance is 4 16cm, the rotation speed of the drum is 0.5 10m/, and the sputtering time is 5 of 300 minutes.
【技术实现步骤摘要】
一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺
本专利技术涉及阻隔包装的
,特别是涉及一种耐折叠磁控溅射高阻隔膜的生产工艺。
技术介绍
阻隔包装的发展源自于食品、药品、微电子产品等包装物易氧化变性变质而对包装薄膜提出的阻隔需求。通常是把气体阻隔性很强的材料与热缝合性、水分阻隔性很强的聚烯烃同时进行挤出而成,是多层结构的薄膜。磁控溅射技术自问世以来,由于其沉积速率快、衬底温度低、溅射阴极尺寸可以按比例扩大等优点。已应用于从微电子器件到数平方米玻璃镀膜的诸多领域,并逐渐发展成为大面积高速沉积的主流方法,并应用于阻隔包装材料的生产。1959年,真空沉积类的气体阻隔包装材料最先出现了镀铝薄膜,于1970年左右实现工业化,并在此后的几十年中科研工作者对镀铝膜的制备方法、Al膜厚度与阻隔性的关系、Al的结构特征、金属与PET基材的结合界面等等进行了研究。后来相继生产出了各种高阻隔薄膜包括:ZnO、SiOx、SiNyOx、ITO以及DLC等。目前,沉积阻隔薄膜的方法主要包括物理气相沉积(PVD)、等离子辅助化学气相沉积(PECVD)等。然而,由于薄膜生长应力以及膜层材料与基材的热胀系数差异,利用PVD方法制备的该类材料存在大量的细微裂纹和纳米裂纹,极大限制了该类材料的应用。尽管国内外研究者针对PVD法制备薄膜的裂纹问题给出了细致的研究,但依旧缺乏有效的解决途径。一般的阻隔性包装材料绝大部分是高分子塑料,大多是由高分子缠绕而成,塑料自身的阻隔性达不到要求。因此,提高塑料包装基材的阻隔性技术应运而生。目前,提高材料的阻隔性一般采用多元复合、多层复合、共混、真空蒸发、等 ...
【技术保护点】
1.一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺,其特征在于:包含如下步骤:(1)基材的准备;(2)将基材送入预溅射真空箱进行预溅射清洗,预溅射气体为99.95%‑99.99%氩气,预溅射功率加大速率为0.1‑6W小时/平方厘米,溅射时间为30‑500秒;(3)开启射频电源,在预溅射基体上进行多靶材同时沉积制备复合高阻膜,其中,经过预溅射的基材缠绕在滚筒表面固定,真空室的真空度控制在0.1‑10×10‑5Pa,工作气体为氩气或者氩氧混合气,氩气纯度为99.95%‑99.99%,气流量为10‑450sccm,氧气纯度为99.95%‑99.999%,气流量为0.5‑100sccm,工作气压控制为0.2‑2Pa,靶基距为4‑16cm,滚筒旋转速度控制为0.5‑10m/分,溅射时间为5‑300分钟;所述的多靶材共溅射为以高分子聚合物为靶材,将其与无机靶材、无机氧化物靶材中一种或者两种组成双靶材或者三靶材同时溅射。
【技术特征摘要】
1.一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺,其特征在于:包含如下步骤:(1)基材的准备;(2)将基材送入预溅射真空箱进行预溅射清洗,预溅射气体为99.95%-99.99%氩气,预溅射功率加大速率为0.1-6W小时/平方厘米,溅射时间为30-500秒;(3)开启射频电源,在预溅射基体上进行多靶材同时沉积制备复合高阻膜,其中,经过预溅射的基材缠绕在滚筒表面固定,真空室的真空度控制在0.1-10×10-5Pa,工作气体为氩气或者氩氧混合气,氩气纯度为99.95%-99.99%,气流量为10-450sccm,氧气纯度为99.95%-99.999%,气流量为0.5-100sccm,工作气压控制为0.2-2Pa,靶基距为4-16cm,滚筒旋转速度控制为0.5-10m/分,溅射时间为5-300分钟;所述的多靶材共溅射为以高分子聚合物为靶材,将其与无机靶材、无机氧化物靶材中一种或者两种组成双靶材或者三靶材同时溅射。2.根据权利要求1所述的一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺,其特征在于:所述的基材为采用由聚对苯二甲酸乙二醇酯、PP、EVOA和PA单一组分或者一种以上组分多层共混塑料。3.根据权利要求1所述的一种耐折叠高阻隔复合包装薄膜的磁控溅射制备工艺,其特征在于:所述的高分子靶材采用PI、PTFE、聚乙烯LLDPE、聚异戊二烯和环氧树脂单一或者一种以上共混的高分子聚合物。4.根据权利要求1所述的一种溅射耐折叠高阻隔复合薄膜的制备工艺,其特征在于:所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王超楠,任达森,张朝珍,罗笙芸,鲁听,杨吟野,黄宝进,
申请(专利权)人:贵州民族大学,
类型:发明
国别省市:贵州,52
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